The purpose of this research is to identify and develop technology protection plans for small and medium-sized enterprises (SMEs) by analyzing past technology leakage patterns which were experienced by SMEs. We identified factors which affect the technology leakage, and analyzed patterns of the influences using a data mining algorithms. A decision tree analysis showed several significant factors which lead to technology leakage, so we conclude that preemptive actions must be put in place for prevention. We expect that this research will contribute to determining the priority of activities necessary to prevent technology leakage accidents in Korean SMEs. We expect that this research will help SMEs to determine the priority of preemptive actions necessary to prevent technology leakage accidents within their respective companies.
지난 5년간 국가기술의 약 200여건이 해외로 유출되었으며, 그 중의 70% 이상이 중소기업이며, 내부유출은 80%에 이르는 것으로 통계자료(국가정보원 산업기밀보호센터)를 통해 확인 할 수 있다. 이는 중소기업내의 내부유출 방지에 대한 정부의 산업기술 유출방지를 위한 정책이 중소기업에 집중되어야 한다는 것이다. 특히 기술유출 피해경험이 기업규모에 따라 유출방지 성과에 미치는 영향에 대해 분석한 연구는 전무하며 산업기술 유출에 대한 요인을 조사한 연구 또한 미약한 실정이다. 본 연구는 기존의 선행되어진 국, 내외의 연구들을 분석하여 산업기술 유출방지 성과에 미치는 요인을 바탕으로 각각의 특성들을 성질화 하여 변인들을 각각 TOE 프레임워크와 TAM모델을 적용하여 성과와의 영향관계를 실증 분석하였다. 산업기술 내부 유출을 보호하기 위하여 정부정책, 회사의 방향성 등이 어떤 영향을 미치는지 분석하여 방향성을 제시하는 것이 산업기술의 내외적인 유출보호에 대하여 기업과 조직에게 시스템 구축과 인력관리에 대한 실무적 시사점을 제공해줌으로써 정책과 제도를 수립하는데 방향성을 제시하고자 연구를 진행하였으며, 이에 따른 보다 올바른 방향성 제고에 그 의미를 두고 있다.
Kim, Jongseok;Kim, HyungTae;Kim, Seungtaek;Choi, Won-Jin;Jung, Hyundon
Current Optics and Photonics
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제3권6호
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pp.516-521
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2019
The electrical leakage levels of GaN-based light-emitting diodes (LEDs) containing leakage paths are estimated using photoluminescence (PL) and photovoltaic properties under photoexcitation conditions. The PL intensity and open-circuit voltage (VOC) decrease because of carrier leakages depending on photoexcitation conditions when compared with reference values for typical LED chips without leakage paths. Changes of photovoltage-photocurrent characteristics and PL intensity due to carrier leakage are employed to assess the leakage current levels of LEDs with leakage paths. The current corresponding to the reduced VOC of an LED with leakage from the photovoltaic curve of a reference LED without leakage is matched with the leakage current calculated using the PL intensity reduction ratio and short-circuit current of the LED with leakage. The current needed to increase the voltage for an LED with a leakage under photoexcitation from VOC of the LED up to VOC of a reference LED without a leakage is identical to the additional current needed for optical turn-on of the LED with a leakage. The leakage current level estimated using the PL and photovoltaic properties under photoexcitation is consistent with the leakage level measured from the voltage-current characteristic obtained under current injection conditions.
최근 기업이 보유한 산업기밀은 영업비밀보호법, 산업기술유출방지법 등 다양한 산업보안 관련 법률에 의해 보호 받고 있다. 그러나 그러한 보호에도 불구하고 산업기밀의 침해 및 유출사고는 해마다 증가하고 있다. 한국산업기술보호협회의 조사에 따르면 산업기밀 유출 예상 피해액은 연평균 "50조 원"으로 추정되며 이는 중소기업 4,700여 개의 연 매출액과 맞먹는 금액이다. 이처럼 산업기밀 유출은 국가와 기업의 경쟁력은 물론이고 경제적으로도 심각한 피해를 초래한다. 하지만 산업기밀 유출범죄에 대한 투자와 노력은 피해규모에 비해 한 없이 부족한 수준이며 일부 대기업을 제외한 대부분의 기업들이 산업기밀 유출보안을 위한 별도의 조직, 인력, 예산이 없어 산업기밀 유출에 대한 대응체계가 부족한 것이 현실이다. 본 논문은 국내외 산업기밀 유출범죄 분석을 통하여 산업기밀 유출에 따른 피해실태를 파악하고 발생원인, 유출경로 등 다양한 분류체계를 통하여 산업기밀 유출범죄에 대한 전반적인 흐름을 파악하여 관련 연구에 대한 기초자료가 될 것으로 기대한다.
Kim, Jongseok;Kim, Seungtaek;Kim, HyungTae;Choi, Won-Jin;Jung, Hyundon
Current Optics and Photonics
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제3권2호
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pp.164-171
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2019
Photoluminescence (PL) properties of GaN-based light-emitting diodes (LEDs) were analyzed to study the effects of carrier leakage on the luminescence properties at room temperature. The electrical leakage and PL properties were compared for LEDs showing leakages at forward bias and an LED with an intentional leakage path formed by connecting a parallel resistance of various values. The leakages at the forward bias, which could be observed from the current-voltage characteristics, resulted in an increase in the excitation laser power density for the maximum PL efficiency (ratio of PL intensity to excitation power) as well as a reduction in the PL intensity. The effect of carrier leakages on PL properties was similar to the change in PL properties owing to a reduction of the photovoltage by a reverse current since the direction of the carrier movement under photoexcitation is identical to that of the reverse current. Valid relations between PL properties and electrical properties were observed as the PL properties deteriorated with an increase in the carrier leakage. The results imply that the PL properties of LED chips can be an indicator of the electrical properties of LEDs.
Purpose: To attain advanced performance certification, safety aspects along with functionality and performance are essential. Hence, this study suggests radiation leakage assessment methods for aviation security equipment during its performance certification. Methods: Detection technology guided the choice of radiation leakage assessment targets. We then detailed measurement and evaluation methods based on equipment type and operation mode. Equipment was categorized as container or box types for establishing measurement procedures. Results: We've developed specific radiation leakage assessment procedures for different types of aviation security equipment, crucial for ensuring airport safety. Using these procedures allows efficient evaluation of compliance with radiation leakage standards. Conclusion: The suggested radiation leakage assessment method aims to enhance aviation security and reliability. Future research will focus on identifying risks in novel aviation security equipment detection technologies and establishing safety standards.
Recently, Because the consumption of electricity is increased, having stable electricity supply and diagnosis of the power device is important. In this paper, I propose a diagnostic techniques of the leakage current for switchgear based on LabVIEW NI's. Using the data obtained from the leakage current sensor installed in switchgear panels, in performed continuously diagnosis, notifications and warnings can be the administrator immediately results. It is expected accordingly, the administrator will be able to take prompt action. Using the virtual switchgear with a PXI NI's, war tested the proposed techniques.
The purpose of this study was to analyze their status of underground storage tank(UST) facilities and level of soil contamination, and to establish its management criteria. DB program was developed to analyze the correlation between specific characteristic of UST and level of soil contamination. For a suitable management of UST, leakage monitoring and inspection method of UST was investigated. Inspection period was established based on the leakage rate. The most dominant factor for leakage seemed to be caused by the corrosion. Therefore, main factor, construction method and installation year of UST, and corrosion protection system were suggested for optimal protection of UST. Considering the present management status of UST in Korea, inspection and management criteria of UST should be accomplished in term of contamination protection of leakage, and flexible regulation act should be introduced for each specific site.
2015년 산업기밀보호센터의 발표 자료에 의하면 2003년부터 2014년까지 산업스파이의 적발 건수는 총 438건이었으며 이러한 기술유출에 따른 피해액은 연평균 50조원에 달하고 있다. 이러한 산업보안유출로 인한 피해는 기업은 물론 국가에까지도 큰 영향을 미치고 있기 때문에 국내의 산업보안 유출에 대한 방지 대책을 강구해야 한다. 따라서 이 연구의 목적은 기업에서의 산업보안 유출 및 범죄에 대하여 CPTED(Crime Prevention Through Environmental Design) 기법을 적용하여 산업유출 방지 방안을 제안하는 것이다. 이 연구는 산업기술 유출의 최근 사례분석 및 문헌연구의 방법을 사용하였다. 이 연구의 결과, 산업기술 유출 방지를 위해서 CPTED기법을 적용하여 1) 접근통제의 강화, 2) 감시의 증대, 3) 영역성의 강화, 4) 활동의 지원은 예방적 측면에서 효과가 있을 것으로 제시되었다. 끝으로, 이 연구의 한계 및 향후 연구를 위한 제언을 논의하였다.
This paper proposes a new input pattern generator for minimal leakage power in the nanometer CMOS technology considering all the leakage current components (sub-threshold leakage, gate tunneling leakage, band-to-band tunneling leakage). Using the accurate macro-model, a heuristic algorithm is developed to generate a input pattern for the minimum leakage. The algorithm applies to ISCAS85 benchmark circuits, and the results are compared with the results of Hspice. The simulation result shows that our method's accuracy is within a 5% difference of the Hspice simulation results. In addition, the simulation time of our method is far faster than that of the Hspice simulation.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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