As the use of automatic handling equipment for sensitive semiconductor devices is rapidly increased, manufacturers of electronic components and equipments need to be more alert to the problem of electrostatic discharges(ESD). In order to analyze damage characteristics of semiconductor device damaged by ESD, this study adopts a new charged-device model(CDM), field-induced charged model(FCDM) simulator that is suitable for rapid, routine testing of semiconductor devices and provides a fast and inexpensive test that faithfully represents ESD hazards in plants. High voltage applied to the device under test is raised by the field of non-contacting electrodes in the FCDM simulator, which avoids premature device stressing and permits a faster test cycle. Discharge current and time are measured and calculated. The characteristics of electrostatic attenuation of domestic semiconductor devices are investigated to evaluate the ESD phenomena in the semiconductors. Also, the field charging mechanism, the device thresholds and failure modes are investigated and analyzed. The damaged devices obtained in the simulator are analyzed and evaluated by SEM. The results obtained in this paper can be used to prevent semiconductor devices form ESD hazards and be a foundation of research area and industry relevant to ESD phenomena.
본 연구는 새로 고안된 부정-논리곱 논리기능을 가지는 방전 논리 게이트 플라즈마 디스플레이 패널의 논리 게이트 방전특성을 해석한 것이다. 이 방전 논리 게이트는 방전 경로에 따른 전극사이의 전압을 제어하여 논리 출력을 유도한다. 실험결과 논리 게이트의 방전특성은 두 수직전극에 인가되는 전압들의 상호관계에 영향을 받는다는 것을 알았다. 그리고 대화면 PDP에의 적용 가능성을 검토하기 위하여 전극의 선저항에 의한 방전특성을 평가한 결과, 두 수직전극들의 선저항에 의한 전압강하가 논리 게이트의 방전에 미치는 영향은 미미한 것으로 추론되었다. 실험을 통해 방전 논리 게이트를 구성하는 각 전극들의 펄스전압과 전류제한저항의 최적 값들을 구하였으며 49[V]의 최대동작마진을 얻었다.
본 연구는 위치지정 중첩 화상표시 구동방식에서 표시방전 유지펄스의 휴지기간 폭에 대한 방전특성을 실험한 것이다. 실험결과, 표시방전은 벽전하 뿐만 아니라 공간전하의 영향도 강하게 받는다는 것을 알았다. 휴지기간 바로 다음에 나오는 첫 번째 표시방전은 휴지기간에 대한 의존도가 높으며 두 번째 표시방전은 의존도가 매우 낮았다. 첫 번째 표시방전이 다소 불충분해도 어느 정도이상 벽전하가 축적되기만 하면 두 번째 표시방전은 안정적으로 유도될 수 있으나 공간전하의 영향을 고려하면 휴지기간의 폭은 $30[{\mu}s}]$ 이내가 바람직하다. 또한 휴지기간의 폭이 $30[{\mu}s}]$까지는 약 12[V]의 균일한 표시방전 전압의 동작마진을 얻을 수 있었다.
This paper describes the generation region and suppression effect of the abnormal field voltage induced when the synchronous generator is switched to the infinite bus, the critical value of negative field current is calculated by simmulation which has parameters of the phase difference and voltatge ratio between the bus and the generator. The suppression effect of discharge resistance connected in parallel with the field circuit is also investigated. According to this study, the optimal value of discharge resistance which can suppress effectively the abnormal field voltage may be calculated.
본 연구는 1,080개의 주사선수를 가지는 full-HD PDP를 위한 새로운 고속구동방식에 관한 것으로 고속 어드레스에 의한 표시방전의 방전특성을 고찰하여 새로운 구동방식의 특성을 평가하였다. 이 구동방식에서 어드레스 펄스의 폭이 좁아지면 최초 표시방전의 상대적 방전강도와 방전지연시간은 그 영향을 받는다. 어드레스 펄스의 인가위치의 변화는 방전강도와 무관하나 방전지연시간에는 영향을 미친다. 그러나 어드레스 펄스의 인가위치가 [$6{\mu}s$]이내이고 펄스의 폭이 [$0.7{\mu}s$]이내라면, 어드레스 펄스의 인가위치나 폭에 무관하게 안정된 표시방전을 유도할 수 있다. 실험결과로부터 폭이 좁은 어드레스 펄스를 사용하는 고속구동기술은 축적되는 벽전하의 부족으로 인해 공간전하의 영향에 매우 민감하다는 것을 알았다.
본 연구에서는 연소공정에서 발생하는 NOx를 제거하기 위해 연면방전과 AC Corona 방전을 중첩해서 특수설계 제작된 중첩방전 반응기의 방전분해 특성을 연구하였다. 실험은 SPCP, Corona Discharge 및 중첩방전에 대한 NOx의 분해율을 비교 측정하였다. 실험변수는 방전형태, 가스의 농도, 방전주파수, 가스의 유량 등에 대하여 측정하였다. 실험결과 중첩방전에 의한 NOx의 분해율은 SPCP방전고 Corona방전에 의한 분해율보다 10∼15[%] 증가하였고 소모전력도 10[%] 정도 작게 소모되었다. 중첩방전시 상부전극의 주파수의 영향은 주파수가 작을수록 NOx의 분해율이 높았고 하부전극의 SPCP만의 방전시에는 주파수가 높을수록 NOx의 분해율이 증가하였다. 방전형태에 대한 NOx의 최대분해율은 SPCP일 때 방전전력 18[W]에서 80[%] 이었고 AC코로나 방전일 때 방전전력 805[W]에서 10[%] 이었으나 중첩방전의 경우는 14[W]에서 90[%]로 중첩방전의 효과는 10[%]이상 증가하였다.
The degradation characteristics of MgO protective layer and phosphors have been investigated in terms of the ion-induced secondary electron emission coefficient ${\gamma}$ and static margin of discharge voltages, respectively, in this experiment. The ion-induced secondary electron emission coefficients ${\gamma}$ for the degraded MgO protective layer and phosphors have been studied by ${\gamma}$ -focused ion beam system. The energy of Ne+ ions used is from 80 eV to 200 eV in this experiment. The degraded MgO and phosphor layers are found to have higher ${\gamma}$ than that of normal ones without degradations or aged one. Also, the static margin of discharge voltages for test panels with degraded MgO protective layer and phosphors been found to be seriously decreased in comparison with those of normal ones without degradations.
In this paper, we introduced a LIF measurement method and summarized the theoretical side. When an altered wavelength of laser and electric power, lamp applied electric power, we measured the relative density of the metastable state in mercury after observing a laser induced fluorescence signal of 404.8nm and 546.2nm, and confirmed the horizontal distribution of plasma density in the discharge lamp. Due to this generation, the extinction of atoms in a metastable state occurred through collision, ionization, and excitation between plasma particles. The density and distribution of the metastable state depended on the energy and density of plasma particles, intensely. This highlights the importance of measuring density distribution in plasma electric discharge mechanism study. The results confirmed the resonance phenomenon regarding the energy level of atoms along a wavelength. change, and also confirmed that the largest fluorescent signal in 436nm, and that the density of atoms in 546.2nm ($6^3S_1{\to}6^3P_2$) were larger than 404.8nm ($6^3S_1{\to}6^3P_2$). According to the increase of lamp applied electric power, plasma density increased, too. When increased with laser electric power, the LIF signal reached a saturation state in more than 2.6mJ. When partial plasma density distribution along a horizontal axis was measured using the laser induced fluorescence method, the density decreased by recombination away from the center.
Electrostatic Discharge (ESD) 펄스의 누적이 산화형 표면 발광 반도체 레이저 (oxide VCSEL)의 전기 및 광학적 특성의 열화에 미치는 영향에 대하여 살펴보았다. 순방향 ESD의 누적에 따른 열화 과정은 3 단계의 열화과정을 보이는 반면 역방향 ESD의 인가에 따른 열화 과정은 급격한 전기 및 광학적 특성 변화에 의하여 구분되는 2 단계의 열화과정을 보였다. 등가회로 모델 및 대신호 등가회로 모델을 이용하여 I-V 특성 및 그 미분특성을 분석함으로써 두 가지 ESD 조건에 의한 산화형 VCSEL의 전기 및 광학적 특성의 열화과정을 이해할 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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