• 한국재료학회지
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• 제24권12호
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• pp.715-719
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• 2014

(PDDA/$SiO_2$) thin films that consisted of positively charged poly (diallyldimethylammonium chloride) (PDDA) and negatively charged $SiO_2$ nanoparticles were fabricated on a glass substrate by an applying voltage layer-by-layer (LBL) self-assembly method. In this study, the microstructure and optical properties of the (PDDA/$SiO_2$) thin films coated on glass substrate were measured as a function of the applied voltage on the Pt electrodes. When 1.0 V was applied to a Pt electrode in a PDDA and $SiO_2$ solution, the thickness of the $(PDDA/SiO_2)_{10}$ thin film increased from 79 nm to 166 nm. The surface roughness also increased from 15.21 nm to 33.25 nm because the adsorption volume of the oppositely charged PDDA and $SiO_2$ solution increased. Especially, when the voltage was applied to the Pt electrode in the $SiO_2$ solution, the thickness increase of the (PDDA/$SiO_2$) thin film was larger than that obtained when using the PDDA solution. The refractive index of the fabricated (PDDA/$SiO_2$) thin film was ca. n = 1.31~1.32. The transmittance of the glass substrate coated by (PDDA/$SiO_2$)6 thin film with a thickness of 106 nm increased from ca. 91.37 to 95.74% in the visible range.

• 한국결정성장학회지
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• 제26권6호
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• pp.220-224
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• 2016

초음파 스프레이를 이용하여 유리기판 위에 반사방지 박막이 제조되었다. GPTMS와 TEOS는 솔-젤 하이브리드 코팅 용액을 제조하기 위하여 사용되었다. 반사방지막의 코팅 두께를 제어하기 위하여 스프레이 노즐의 이동속도는 15~25 mm/s로 변경되었다. 스프레이 노즐의 이동속도가 증가 됨에 따라 반사방지막의 두께는 138 nm에서 86 nm로 감소되었다. 20 mm/s의 노즐 이동속도에 의해 제조된 반사방지막의 굴절률은 약 1.31, 막의 두께는 104 nm이며, 380 nm에서 780 nm의 가시광 영역에서의 평균 반사율은 0.75 %, 투과율은 94 %로 측정되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제32권5호
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• pp.617-625
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• 1995

In order to reduce reflectance of soda-lime glass having average reflectance of 7.35% and refractive index of 1.53, single (SiO2), double (SiO2/20SiO2-80ZrO2), and triple (SiO2/ZrO2/75SiO2-25ZrO2) layers were designed and fabricated on the glass substrate by Sol-Gel method. Stble sols of SiO2-ZrO2 binary system for antireflective (AR) coatings were synthesized with tetraethyl orthosilicate (TEOS) and zirconium n-butoxide as precursors and ethylacetoacetate (EAcAc) as a chelating agent in an atmosphere environment. Films were deposited on soda-lime glass at the withdrawal rates of 3~11 cm/min using the prepared polymeric sols by dip-coating and they were heat-treated at 45$0^{\circ}C$ for 10 min to obtain homogeneous, amorphous and crack-free films. In case of SiO2-ZrO2 binary system, refractive index of film increased with an increase of ZrO2 mol%. Designed optical constant of films could be obtained through varying the withdrawal rate. In the visible region (380~780nm), reflectance was measured with UV/VIS/NIR Spectrophotometer. Average reflectances of the prepared single-layer [SiO2 (n=1.46, t=103nm)], double-layer [SiO2 (n=1.46, t=1-4nm)/20SiO2-80ZrO2 (n=1.81, t=82nm)], and triple-layer [SiO2 (n=1.46, t=104nm)/ZrO2 (n=1.90, t=80nm)/75SiO2-25ZrO2 (n=1.61, t=94 nm)] were 4.74%, 0.75% and 0.38%, respectively.

• 한국광학회지
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• 제25권2호
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• pp.102-107
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• 2014

본 논문에서는 현재 양산되고 있는 Red(621 nm), Green(530 nm), Blue(453 nm), Amber(590 nm) 등 4파장의 LED 조합을 이용하여 색온도가 가변되는 동안에도 평균연색지수 및 특별연색지수 R9 값이 높게 유지될 수 있도록 조명의 스펙트럼을 최적화하였다. 최적화 시 설계의 정확도를 높이기 위하여 실제 측정한 LED 스펙트럼을 사용하였고 광선과 기구물 사이의 상호 작용을 고려한 광선 추적 기법을 활용하여 수행하였다 또한 최적화 결과를 검증하기 위하여 색온도 가변 조명 장치를 직접 제작하였으며 광 특성을 평가한 결과 색온도가 3000 K에서 6000 K까지 변하는 동안 CRI 및 R9 값이 각각 87~90, 34~93을 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.243.1-243.1
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• 2016

Recently, many groups have attempted to fabricate 3-dimensional (3D) structures of GaN such as pyramids, rods, stripes and annulars. Since quantum structures on non-polar and semi-polar planes of 3D structures have less influence of internal electric filed, multi quantum wells (MQWs) formed on those planes have high quantum efficiency. Especially, pyramidal and annular structures consist of various crystal planes with different emission wavelength, providing a possibillity of phosphor-free white light emtting diodes (WLEDs).[1] However, it still has problem to obtain high color rendering index (CRI) number because of narrow-band emission and poor indium composition caused by the formation of few number of facets during metal-organic chemical vapor deposition growth.[2] If we can fabricate 3D structure having more various facets, we can make broad-band emittied WLEDs and improve CRI number. In this study, we suggest a simple method to fabricate 3D structures having various facet and containing high indium composition by means of a combination of metal-organic chemical vapor deposition and wet chemical etching techniques.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제9권4호
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• pp.163-168
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• 2008

Photonic crystal structures have been received considerable attention due to their high optical sensitivity. One of the techniques to construct their structure is the dip-pen lithography (DPN) process, which requires a nano-scale resolution and high reliability. In this paper, we propose a two dimensional photonic crystal array to improve the sensitivity of optical biosensor and DPN process to realize it. As a result of DPN patterning test, we have observed that the diffusion coefficient of the mercaptohexadecanoic acid (MHA) molecule ink in octanol is much larger than that in acetonitrile. In addition, we have designed and fabricated optical waveguides based on the mach-zehnder interferometer (MZI) for application to biosensors. The waveguides were optimized at a wavelength of 1550 nm and fabricated according to the design rule of 0.45 delta%, which is the difference of refractive index between the core and clad. The MZI optical waveguides were measured of the optical characteristics for the application of biosensor.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제10권5호
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• pp.147-151
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• 2009

For integrated passive device (IPD) applications, we have successfully developed and characterized metalinsulator-metal (MIM) capacitors with 2000 $\AA$ plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) silicon nitride which are deposited with the $SiH_4/NH_3$ gas mixing rate, working pressure, and RF power of PECVD at $250^{\circ}C$. Five PECVD process parameters are designed to lower the refractive index and lower the deposition rate of $Si_3N_4$ films for the high breakdown electric field. For the PECVD process condition of gas mixing rate (0.957), working pressure (0.9 Torr), and RF power (60 W), the atomic force microscopy (AFM) root mean square (RMS) value of about 2000 $\AA$ $Si_3N_4$ on the bottom metal is lowest at 0.862 nm and the breakdown electric field is highest at about 8.0 MV/cm with a capacitance density of 326.5 pF/$mm^2$. A pretreatment of metal electrodes is proposed, which can reduce the peeling of nitride in the harsh test environment of heat, pressure, and humidity.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2000년도 춘계종합학술대회
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• pp.493-496
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• 2000

본 논문에서는 전계의 변화에 의한 굴절율의 변화에 따라 편광 상태가 달라지는 포켈스 소자인 BSO(Bi$_{12}$SiO$_{20}$)에 균등한 전계를 가하기 위해서 보조 전극을 이용한 공간분압방식을 채용하여 절연 신뢰도가 향상된 광전압 센서 모듈을 설계 제작하였다. 또한 항온 조를 이용하여 온도 변화에 따른 광전압센서의 출력특성을 측정하였으며, 광전압센서를 배전자동화 개폐기에 설치하여 60Hz의 교류전압을 6.6kV에서 17.8kV 까지 인가하여 측정한 결과 오차특성이 우수한 결과를 얻을 수 있다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권4호
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• pp.26-34
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• 2002

본 논문에서는 반도체 공정 중, 토포그래피 시뮬레이션을 수행함에 있어서, 기존의 셀 모델을 수정하여, 소요되는 메모리의 양을 최소화하는 셀 전진 모델을 개발하였다. 셀 전진 모델은, 전체 시뮬레이션 영역은 물질 정보만으로 나타내지며, 표면의 셀들만으로 리스트가 구성되고, 리스트에 표면 진화 계산에 필요한 정보가 저장된다. 개발된 시뮬레이터는 해석적 모델과 몬테카를로 모델을 이용하여 식각 공정에 있어서 입사이온 분포가 계산되며, 단위 공정 뿐만 아니라 공정 순서도에 따라 적층 캐패시터 또는 디램 셀(DRAM cell) 제조 공정과 같은 통합 공정을 수행한다. 개발된 시뮬레이터를 이용하여 디램 셀 제조 공정 시뮬레이션을 수행하였을 경우에, 소요된 셀은 5,440,500(130×155×270)개였고, 메모리 양은 22MB에 불과하였다.

• 한국광학회지
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• 제10권6호
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• pp.448-452
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• 1999

가우스 함수 형태인 진폭임펄스 초기 함수 $e^{-\sigma^2\chi^2}$를 역푸리에 변환하여 변조된 가우스 동함수 $e^{\frac-{\omega^2}{4\sigma^2}$를 구하였다. 굴절률이 같은 흡수유리와 투명유리를 조합한 가우스 진폭변조판에 적용되는 설계이론을 유도하고 설계에 따라 가우스 진폭변조판을 제작하였다. 가우스 진폭변조판은 포물선 방정식형태로 제작하여 투과율을 측정한 뒤 설계이론에 따라 구한 값과 비교하였다. 파장이 $0.365{\mu}m$이고, 수치구경수(NA)가 0.07인 광학계에서 가우스 진폭변조판이 있을 때와 없을 때에 폭이 $60{\mu}m$인 단일 슬릿과 $25{\mu}m$인 단일 슬릿의 각각의 경우에 대해 회절 선폭을 비교하여 가우스 진폭변조판에 의해서 선폭이 2/3로 감소함을 확인하였다.