1 |
J. G. Tenedorio and P. A. Terizian, IEEE Electron Device Lett. 5, 199 (1984)
DOI
ScienceOn
|
2 |
Y. C. Chou, R. Lai, G. P. Li, H. Jun, P. Nam, R. Grundbacher, H. K. Kim, Y. Ra, M. Biedenbender, E. Ahlers, M. Barsky, A. Oki, and D. Streit, IEEE Electron Device Lett. 24, 7 (2003)
DOI
ScienceOn
|
3 |
R. T. Yoshioka, L. E. M. de Barros, J. A. Diniz, and J. W. Swart, Int. Microw. Symp., (SBMO/IEEE MTT-S, APS and LEOS-IMOC California, USA, 1999), p. 108
DOI
|
4 |
Y. T. Kim, S. M. Cho, H. Y. Lee, H. D. Yoon, and D. H. Yoon, Surf. Coat. Technol. 174, 166 (2003)
DOI
ScienceOn
|
5 |
J. Y. Sin, H. D. Park, K. J. Choi, K. W. Lee, J. Y. Lee, and J. W. Hong, Trans. Electr. Electron. Mater. 10, 97 (2009)
과학기술학회마을
DOI
ScienceOn
|
6 |
C. J. Sandroff, R. N. Nottenburg, J. C. Bischoff, and R. Bhat, Appl. Phys. Lett. 51, 33 (1987)
DOI
|
7 |
A. Kapila, V. Malhotra, L. H. Camnitz, K. L. Seaward, and D. Mars, J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 10 (1995)
DOI
ScienceOn
|
8 |
T. Matsuo, M. Esashi, and H. Abe, IEEE Trans. Electron Devices, 26, 1939 (1979)
DOI
|
9 |
J. Scarpulla, D. Eng, S. Olson, and C. S. Wu, IEEE Int. Rel. Phys. Symp., (IEEE, San Diego, USA, 1999), p. 128
|
10 |
C. Wang, C. Qian, G. I. Kyung, B. Shrestha, and N. Y. Kim, IEEE Asia Pac. Microw. Conf., (IEEE, Hong Kong, China, 2008)
|
11 |
R. Ulrich and L. Schaper, Integrated Passive Component Technology, (IEEE Press/Wiley, New York, 2003), p. 23
|
12 |
H. Y. Li, Y. M. Khoo, N. Khan, K. W. Teoh, V. S. Rao, H. B. Li, E. B. Liao, S. Mohanraj, V. Kripesh, and K. Rakesh, IEEE Electr. Compon. Tech. Conf., (IEEE, Florida, USA, 2008), p. 1709
DOI
|
13 |
Y. T. Kim, S. M. Cho, Y. G. Seo, H. D. Yoon, Y. M. Im, S. J. Suh, and D. H. Yoon, Surf. Coat. Technol. 171, 34 (2002)
DOI
ScienceOn
|
14 |
E. Y. Chang, G. T. Cibuzar, and K. P. Pande, IEEE Trans. Electron Devices, 35, 1412 (1988)
DOI
ScienceOn
|
15 |
M. S. Jeon and K. Kamisako, Trans. Electr. Electron. Mater. 10, 75 (2009)
과학기술학회마을
DOI
ScienceOn
|
16 |
G. B. Park, Trans. Electr. Electron. Mater. 9, 231 (2008)
과학기술학회마을
DOI
ScienceOn
|