• 문화기술의 융합
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• 제6권4호
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• pp.819-824
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• 2020

본 논문에서는 차세대 디지털 회로 설계기술인 양자점 셀룰러 오토마타(QCA)를 이용하여 새로운 멀티플렉서를 제안한다. 디지털 회로 중 멀티플렉서는 입력 신호 중 하나를 선택하여 하나의 라인에 전달하는 회로이다. 이는 D-플립플롭, 레지스터, 그리고 RAM 셀 등 많은 회로에 쓰이므로 현재까지도 다양한 연구가 이루어지고 있다. 하지만 기존에 제안된 평면구조 멀티플렉서는 연결성을 고려하지 않아 큰 회로를 설계할 경우 비효율적으로 면적을 사용하게 된다. 기존에 다층구조로 제안된 멀티플렉서도 있으나 셀 간 상호작용을 고려하지 않아 필요면적이 여전히 높다. 이에 본 논문에서는 셀 간 상호작용을 이용하고, 다층구조를 이용하여 38% 면적축소, 17% 비용감소 그리고 연결성을 개선한 새로운 멀티플렉서를 제안한다.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제20권8호
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• pp.628-636
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• 2020

본 연구의 목적은 서울특별시 25개 치매안심 센터에서 시행하고 있는 자조모임이 치매환자 주부양자들의 스트레스와 삶의 만족도간에 어떠한 상관관계를 나타내는지 알아보는 것이다. 25개 치매안심 센터에서 자조모임을 알아보고, 자조모임에 참여하고 있는 치매환자 주부양자를 대상으로 설문조사를 실시하였다. 수집된 자료는 SPSS 21.0 프로그램을 사용하였고, 스트레스 수준과 프로그램 후의 만족도에 대해 신뢰도를 분석하였다. 자조모임 종류와 참석빈도, 모임개수는 다변랑 분산분석과 일원분산분석을 실시하였다. 그 결과 첫째, 참여자가 느끼는 전체 스트레스는 5점 척도 중 4점에 가까웠고, 모임종류와 참석빈도에서는 유의한 차이가 나타나지 않았으며, 자조모임 개수에서만 유의한 차이가 나타났다(p<.05). 둘째, 자조모임후의 만족도는 5점 척도 중 4점에 가까웠고, 모임종류와 참석빈도는 유의한 차이가 나타나지 않았으며, 자조모임 개수만 유의한 차이가 나타났다(p<.05). 셋째, 스트레스와 프로그램의 만족도간의 관계에서 유의한 부적 상관이 나타났다. 결과에서 보듯 자조모임은 치매환자 주부양자들의 스트레스와, 모임후의 만족도에 영향을 미치고 있음을 알 수 있다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권6호
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• pp.527-531
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• 2005

Fully coherent self-assembled InAs quantum dots(QDs) grown on Si (100) substrates by atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition(APMOCVD) were grown and the effect of growth conditions such as growth rate and growth time on quantum dots' morphology such as densities and sizes was investigated. InAs QDs of 30 - 80 nm in diameters with densities in the range of (0.6 - 1.7) x $10^{10}\;cm^{-2}$ were achieved on Si substrates and InAs layer was changed from 2 dimensional growth to 3 dimensional one at a nominal thickness less than 0.48 ML. This is attributed to the higher ambient pressure of APMOCVD suppressing of In segregation from the 2 dimensional InAs layer. This In segregation looked to disturb the dot formation especially when the growth rate was low so that the dots became less dense and bigger as the growth rate was lower.

• 한국재료학회지
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• 제23권8호
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• pp.430-434
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• 2013

Quantum dots(QDs) with their tunable luminescence properties are uniquely suited for use as lumophores in light emitting device. We investigate the microstructural effect on the electroluminescence(EL). Here we report the use of inorganic semiconductors as robust charge transport layers, and demonstrate devices with light emission. We chose mechanically smooth and compositionally amorphous films to prevent electrical shorts. We grew semiconducting oxide films with low free-carrier concentrations to minimize quenching of the QD EL. The hole transport layer(HTL) and electron transport layer(ETL) were chosen to have carrier concentrations and energy-band offsets similar to the QDs so that electron and hole injection into the QD layer was balanced. For the ETL and the HTL, we selected a 40-nm-thick $ZnSnO_x$ with a resistivity of $10{\Omega}{\cdot}cm$, which show bright and uniform emission at a 10 V applied bias. Light emitting uniformity was improved by reducing the rpm of QD spin coating.At a QD concentration of 15.0 mg/mL, we observed bright and uniform electroluminescence at a 12 V applied bias. The significant decrease in QD luminescence can be attributed to the non-uniform QD layers. This suggests that we should control the interface between QD layers and charge transport layers to improve the electroluminescence.

• 한국재료학회지
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• 제16권3호
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• pp.183-187
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• 2006

We present the effects of rapid thermal annealing (RTA) temperature on the structural and optical properties of self-assembled InAs quantum dot (QD) structures grown on GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE). The photoluminescence (PL) measurements are performed in a closed-cycle refrigerator as a function of temperature for the unannealed and annealed samples. RTA at higher temperature results in the increase in island size, the corresponding decrease in the density of islands, and the redshift in the PL emission from the islands. The temperature dependence of the PL peak energy for the InAs QDs is well expressed by the Varshni equation. The thermal quenching activation energies for the samples unannealed and annealed at $600^{\circ}C$ are found to be $25{\pm}5meV$ and $47{\pm}5$ meV, respectively.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권10호
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• pp.864-868
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• 2007

Effect of high-temperature annealing on morphology of fully coherent self-assembled InAs quantum dots' grown on Si (100) substrates at $450^{\circ}C$ by atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition(APMOCVD) was investigated by atomic force microscopy(AFM). When the dots were annealed at 500 - 600$^{\circ}C$ for 15 sec - 60 min, there was no appreciable change in the dot density but the heights of the dots increased along with the reduction in the diameters. In segregation from the InAs quantum dots and/or from the 2-dimensional InAs wetting layer which was not transformed into quantum dots looked responsible for this change in the dot size. However the change rates remained almost same regardless of annealing time and temperature, which may indicate that the morphological change due to thermal annealing is done instantly when the dots are exposed to high temperature annealing.

• 정보보호학회논문지
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• 제28권3호
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• pp.551-561
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• 2018

최근 양자 컴퓨팅을 활용한 연산 기술이 발달함에 따라 기존 암호 시스템들에 대한 안전성이 위협받고 있다. 이에 따라 양자 컴퓨터를 이용한 분석 공격에도 견딜 수 있는 새로운 포스트 양자 암호시스템(post-quantum cryptosystem)에 대한 연구가 활발하다. 그럼에도 불구하고 NTRU와 같은 격자 기반의 포스트 양자 암호시스템도 구현상에서 발생하는 취약점을 이용하는 오류 주입 공격에 의해 비밀 키가 노출될 수 있음이 밝혀졌다. 본 논문에서는 NTRU 서명 시스템에 대한 기존의 오류 주입 공격 대응 기법을 분석하고 효율성과 안전성이 개선된 새로운 대응 기법을 제안한다. 제안된 대응 기법에 대해 시뮬레이션을 수행한 결과, 오류 주입 검출율이 우수하며 구현이 효율적임을 확인하였다.

• 한국재료학회지
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• 제13권11호
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• pp.708-710
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• 2003

One-dimensional array of InAs quantum dots (QDs) have been grown on V-grooved GaAs substrates by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition. Atomic force microscope images show that InAs QDs are aligned in one-dimensional rows along the ［011］oriented bottom of V-grooves and no QDs are formed on the sidewalls and the surface of mesa top. Capability to grow one-dimensional InAs QDs array would feasible for the single electron tunneling devices and other novel quantum-confined devices.

• 예술인문사회 융합 멀티미디어 논문지
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• 제7권3호
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• pp.291-300
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• 2017

양자점 셀룰라 오토마타(QCA: quantum-dot cellular automata)는 셀룰라 오토마타와 유사하게 고안된 컴퓨팅 모델이며, 빠른 연산속도와 적은 전력손실로 차세대의 각광받는 기술도 떠오르고 있다. QCA는 최근 실험 결과와 함께 다양한 연구가 진행되고 있으며 나노 단위 소재로서 디바이스 밀도 및 상호 연결 문제를 해결할 수 있는 트랜지스터의 패러다임 중 하나이다. XOR(exclusive or) 게이트는 논리의 둘 중 하나가 참일 때 결과가 참이 되도록 작동하는 게이트이다. 제안하는 XOR 게이트는 5개의 층으로 구성되어 있다. 첫 번째 층은 OR 게이트, 세 번째 층과 다섯 번째 층은 AND 게이트로 구성되어 있고 중간에 두 번째 층과 네 번째 층은 통로로 구성하여 설계한다. 반가산기는 XOR 게이트와 AND 게이트로 이루어져 있다. 제안한 반가산기는 제안하는 XOR 게이트에서 셀 두 개를 추가하여 설계한다. 제안한 반가산기는 기존의 반가산기에 비해 보다 적은 수의 셀, 전체 면적, 그리고 클럭으로 구성한다.

• 예술인문사회 융합 멀티미디어 논문지
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• 제7권2호
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• pp.227-236
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• 2017

양자점 셀룰라 오토마타(QCA: quantum-dot cellular automata)는 나노 규모의 크기와 낮은 전력 소비로 각광받고 있으며, CMOS 기술 규모의 한계를 극복할 수 있는 대체 기술로 떠오르고 있다. 다양한 QCA 회로들이 연구되고 있고, 그 중 카운터와 상태 제어에 필요한 래치는 순차 회로의 구성 요소로서 제안되어 왔다. 래치는 이전 상태를 유지하기 위한 피드백 구조의 형태를 가지고 있으며, 이를 QCA 상에서 구현하기 위해 4 클럭을 소모하는 사각형 형태의 루프 구조를 사용한다. 기존의 QCA 상에서 제안된 래치는 동일 평면상에서 제안되었으며, 피드백 구조를 구현하기 위해 많은 셀과 클럭이 소모되었다. 본 논문에서는 이러한 단점을 개선하기 위해서 다층 구조를 이용한 새로운 형태의 SR 래치와 D 래치를 제안한다. 제안한 3차원 루프 구조는 다층 구조 기반의 설계이며 총 3개의 층으로 구성한다. 각 층의 배선은 다른 층과 영향을 받지 않도록 인접한 배선 간 2 클럭 차이를 주어 설계한다. 설계된 래치 구조는 시뮬레이션을 수행하고 기존의 래치와 비교 및 분석한다.