Fundamental studies of microstructural changes and high temperature deformation of titanium aluminide (TiAl) were conducted from the view point of the effect of Al content in order to develop the manufacturing process of TiAl. Microstructures in an as cast state consisted mainly of lamellar structure irrespective of Al content. By homogenization at 1473 K, the microstructures of Ti-49Al and Ti-51Al were transformed into an equiaxial structure which was composed of ${\gamma}$-TiAl, while the lamellar structure that was observed in Ti-46Al and Ti-47Al was much more stable. We found that the reduction of Al content suppressed the formation of equiaxial grains and resulted in a microstructure of only a lamellar structure. On Ti-49Al and Ti-51Al, dynamic recrystallization occurred during high temperature deformation, and the microstructure was transformed into a fine equiaxial one, while the microstructures of Ti-46Al and Ti-47Al contained few recrystallized grains and consisted mainly of a deformed lamellar structure. We observed that on the low-Al alloys the lamellar structure under hard mode deformation conditions deformed as kink observed B2-NiAl. High temperature deformation characteristics of TiAl were strongly affected by Al content. An increase of Al content resulted in a decrease of peak stress and activation energy for plastic deformation and an increase of the recrystallization ratio in TiAl.
The composition of martensite transformation in NiAl alloy is determined using pure nickel and aluminum powder by vacuum hot press powder metallurgy, which is a composition of martensitic transformation, and the characteristics of martensitic transformation and microstructure of sintered NiAl alloys are investigated. The produced sintered alloys are presintered and hot pressed in vacuum; after homogenizing heat treatment at 1,273 K for 86.4 ks, they are water-cooled to produce NiAl sintered alloys having relative density of 99 % or more. As a result of observations of the microstructure of the sintered NiAl alloy specimens quenched in ice water after homogenization treatment at 1,273 K, it is found that specimens of all compositions consisted of two phases and voids. In addition, it is found that martensite transformation did not occur because surface fluctuation shapes did not appear inside the crystal grains with quenching at 1,273 K. As a result of examining the relationship between the density and composition after martensitic transformation of the sintered alloys, the density after transformation is found to have increased by about 1 % compared to before the transformation. As a result of examining the relationship between the hardness (Hv) at room temperature and the composition of the matrix phase and the martensite phase, the hardness of the martensite phase is found to be smaller than that of the matrix phase. As a result of examining the relationship between the temperature at which the shape recovery is completed by heating and the composition, the shape recovery temperature is found to decrease almost linearly as the Al concentration increases, and the gradient is about -160 K/at% Al. After quenching the sintered NiAl alloys of the 37 at%Al into martensite, specimens fractured by three-point bending at room temperature are observed by SEM and, as a result, some grain boundary fractures are observed on the fracture surface, and mainly intergranular cleavage fractures.
Al-Cr-Si ternary quench ribbons are fabricated using a single roll method and investigated for their structural and thermal properties. In particular, the sinterability is examined by pulse current sintering to obtain the following results. The Al74Cr20Si6 composition becomes a quasicrystalline single phase; by reducing the amount of Cr, it becomes a two-phase mixed structure of Al phase and quasicrystalline phase. As a result of sintering of Al74Cr20Si6, Al77Cr13Si10 and Al90Cr6Si4 compositions, the sintering density is increased with the large amount of Al phase; the sintering density is the highest in Al90Cr6Si4 composition. In addition, as a result of investigating the effects of sintering temperature and pressurization on the sintered density of Al90Cr6Si4, a sintered compact of 99% or more at 513 K and 500 MPa is produced. In particular, since the Al-Cr-Si ternary crystal is more thermally stable than the Al-Cr binary quaternary crystal, it is possible to increase the sintering temperature by about 100 K. Therefore, using an alloy of Al90Cr6Si4 composition, a sintered compact having a sintered density of 99 % or more at 613 K and 250 MPa can be manufactured. It is possible to increase the sintering temperature by using the alloy system as a ternary system. As a result, it is possible to produce a sintered body with higher density than that possible using the binary system, and at half the pressure compared with the conventional Al-Cr binary system.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.36
no.4
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pp.334-338
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2003
$BCl_3$고밀도 평판형 유도결합 플라즈마(High Density Planar Inductively Coupled Plasma)를 이용하여 AlGaAs와 InGaP의 건식식각에 대하여 연구하였다. 본 실험에서는 ICP 소스파워(0∼500 W), RIE 척 파워(0-150 W), 공정압력(5∼15 mTorr)의 변화에 따른 AlGaAs와 InGaP의 식각률, 식각단면 그리고 표면 거칠기 등을 분석 하였다. 또, 공정 중 OES(Optical Emission Spectroscopy)를 이용하여 in-situ로 플라즈마를 관찰하였다. $BCl_3$ 유도결합 플라즈마를 이용한 AlGaAs의 식각결과는 우수한 수직측벽도와(>87$^{\circ}$) 깨끗하고 평탄한 표면(RMS roughness = 0.57 nm)을 얻을 수 있었다. 반면, InGaP의 경우에는 식각 후 표면이 다소 거칠어진 것을 확인할 수 있었다. 모든 공정조건에서 AlGaAs의 식각률이 InGaP보다 더 높았다. 이는 $BCl_3$ 유도결합 플라즈마를 이용하여 InGaP을 식각하는 동안 $InCl_{x}$ 라는 휘발성이 낮은 식각부산물이 형성되어 나타난 결과이다. ICP 소스파워와 RIE 척파워가 증가하면 AlGaAs와 InGaP모두 식각률이 증가하였지만, 공정압력의 증가는 식각률의 감소를 가져왔다. 그리고 OES peak세기는 공정압력과 ICP 소스파워의 변화에 따라서는 크게 변화하였지만 RIE 척파워에 따라서는 거의 영향을 받지 않았다.
Kim, Hyeong-Jo;Tulugan, Kelimu;Kim, Hyung-Jin;Park, Won-Jo
Journal of Power System Engineering
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v.17
no.1
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pp.110-115
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2013
The electrochemical performance and microstructure of Al-Si, Al-Si/C was investigated as anode for lithium ion battery. The Al-Si nano composite with 5 : 1 at% ratio was prepared by arc-discharge nano powder process. However, some of problem is occurred, when Al nano composite was synthesized by this manufacturing. The oxidation film is generated around Al-Si particles for passivating processing in the manufacture. The oxidation film interrupts electrical chemistry reaction during lithium ion insertion/extraction for charge and discharge. Because of the existence the oxidation film, Al-Si first cycle capacity is very lower than other examples. Therefore, carbon synthsized by glucose ($C_6H_{12}O_6$) was conducted to remove the oxidation film covered on the composite. The results showed that the first discharge cycle capacity of Al-Si/C is improved to 113mAh/g comparing with Al-Si (18.6mAh/g). Furthermore, XRD data and TEM images indicate that $Al_4C_3$ crystalline exist in Al-Si/C composite. In addition the Si-Al anode material, in which silicon is more contained was tested by same method as above, it was investigated to check the anode capacity and morphology properties in accordance with changing content of silicon, Si-Al anode has much higher initial discharge capacity(about 500mAh/g) than anode materials based on Aluminum as well as the morphology properties is also very different with the anode based Aluminum.
We have investigated the contactless electroreflectance (CER) properties of $In_{0.5}(Ga_{1-x}Al_x)_{0.5}P$/GaAs double heterostructures grown by metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD). The CER measurements on the sample were studied as a function of temperature, modulation voltage ($V_{ac}$), and dc bias voltage ($V_{bias}$). Five signals observed at room temperature are related to the GaAs, $In_{0.5}Ga_{0.5}P$, $In_{0.5}(Ga_{0.73}Al_{0.27})_{0.5}P$, $In_{0.5}(Ga_{0.5}Al_{0.5})_{0.5}P$, and $In_{0.5}(Ga_{0.2}Al_{0.8})_{0.5}P$ transitions, respectively. From the temperature dependence of CER spectrum, the Varshni coefficients and broadening parameters were determined and discussed. In addition, we found that the behavior of the CER amplitude for the reverse bias is larger than that of the forward.
Proceedings of the Korean Powder Metallurgy Institute Conference
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2006.09b
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pp.868-869
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2006
[ $Cr_2AlC$ ] was synthesized by a reactive hot pressing of $CrC_x(x=0.5)$ and Al powder mixture used as starting materials at the temperature range of $1200^{\circ}C{\sim}1400^{\circ}C$ under 25 MPa in Ar atmosphere. Fully dense $Cr_2AlC$ with high purity was synthesized by hot pressing $CrC_x$ and Al powder mixture at the temperature as low as $1200^{\circ}C$. The average grain size of synthesized bulk $Cr_2AlC$ was varied in the range of $10-100{\mu}m$ depending on hot pressing temperatures. The maximum flexural strength of synthesized bulk $Cr_2AlC$ exceeded 600 MPa.
We design Ge-Al multilayer assemblies as anode materials for Li-ion batteries, in which Ge and Al thin films are alternately deposited by a radio sputtering method. By sandwiching Ge layers between Al layer, the cyclability, rate capability, and capacity of Ge are improved significantly. The success of the Ge-Al multilayer is attributed to the Al films. To maintain the integrity of electrical contact, Al acts as an elastic layer, which can expand or shrink with the Ge film upon lithiation or delithiation. In addition, the presence of the Al film on the surface can prevent direct contact of Ge and electrolyte, thereby reducing the growth of a SEI layer. Importantly, with high electrical and ionic conductivities, the Al film provides efficient electrical and ionic routes for electrons and Li-ions to access the Ge film, promoting a high specific capacity and high rate capability for Ge.
SiAlON glasses are silicates or alumino-silicates, containing Mg, Ca, Y or rare earth (RE) ions as modifiers, in which nitrogen atoms substitute for oxygen atoms in the glass network. These glasses are found as intergranular films and at triple point junctions in silicon nitride ceramics and these grain boundary phases affect their fracture behaviour. This paper provides an overview of the preparation of M-SiAlON glasses and outlines the effects of composition on properties. As nitrogen substitutes for oxygen in SiAlON glasses, increases are observed in glass transition temperatures, viscosities, elastic moduli and microhardness. These property changes are compared with known effects of grain boundary glass chemistry in silicon nitride ceramics. Oxide sintering additives provide conditions for liquid phase sintering, reacting with surface silica on the $Si_3N_4$ particles and some of the nitride to form SiAlON liquid phases which on cooling remain as intergranular glasses. Thermal expansion mismatch between the grain boundary glass and the silicon nitride causes residual stresses in the material which can be determined from bulk SiAlON glass properties. The tensile residual stresses in the glass phase increase with increasing Y:Al ratio and this correlates with increasing fracture toughness as a result of easier debonding at the glass/${\beta}-Si_3N_4$ interface.
Kim Dong-Hyun;Baek Su-Jeong;Kim Suk-Bum;Song Ju-Min;Kim Jin-Sang
The Journal of Korean Physical Therapy
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v.14
no.2
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pp.234-249
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2002
This study was performed, using c-fos and Substance P, to investigate the effect of GaAlAs laser on acute pain model induced by wound in lumbar region's spinal level. The test group was divided into control and experimental group. Control group is shamed group(c-fos and substance P expression after non-irradiation by a GaAlAs laser), The experimental group was divided into two subgroups: one is experimental group I (c-fos expression after irradiation by a GaAlAs laser), and the other is experimental group II (substance P expression after irradiation by a GaAlAs laser). The results of this study were as following: 1. The numbers of c-fos immunoreactive neuron in spinal cord was increased markedly 1 day after wound, and decreased gradually from 1 day to 2 days in wound with GaAlAs laser irradiation. 2. The changes of the average percentages of substance P immunoreactive neurons in spinal cord was increased markedly 1 day after wound, and decreased gradually from 1 day to 2 days in wound with GaAlAs laser irradiation. Therefore, decreasing the changes of c-fos and substance P expression after irradiation by a GaAlAs laser indicates and GaAlAs laser have effect on pain control.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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