1 |
D. P. Aspnes, Phys. Rev. B, 10, 4228 (1974).
DOI
|
2 |
E. Kapon, semiconductor Laser (Academic Press, London, 1999), pp. 4-8.
|
3 |
K. F. Hyang, K. Tai, S. N. G. Chu, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 54, 2026 (1989).
DOI
|
4 |
J. M. Wrobel, U. K. Reddy, L. C. Bassett, J. L. Aubel, and S. Sundaram, J. Appl. Phys. 60, 368 (1986).
DOI
|
5 |
Arto V. Nurmikko and P. L. Gunshor, Solid State Commun, 92, 113 (1994).
DOI
|
6 |
R. Kudrawiec, M. Motyka, J. Misiewicz, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, and M. Tłaczała, Microelectronics Journal 40, 370 (2009).
DOI
|
7 |
F. H. Pollak and H. Shen, Mater. Sci. Eng. R. 10, xv (1993).
DOI
|
8 |
M. Motyka, R. Kudrawiec, M. Syperek, J. Misiewicz, M. Rudzinski, P. R. Hageman, and P. K. Larsen, Thin Solid Films 515, 4662 (2007).
DOI
|
9 |
김기홍, 심준형, 배인호, 한국진공학회 18, 208 (2009).
과학기술학회마을
|
10 |
P. Lautenschlager, M. Garriga, S. Logothetidis, and M. Cardona, Phys. Rev. B 35, 9174 (1987).
DOI
|
11 |
Z. Qingke, Z. Xianfu, L. Changjun, and Songhao, Solid-State Electronics 42, 993 (1998).
DOI
|
12 |
J. S. Roberts, G. B scott, and J. P. Gowers, J. Appl. Phys. 52, 4018 (1981).
DOI
|
13 |
C. P. Kuo, R. M. Fletcher, T. D. Osentowiski, M, C. Lardizable, M. G. Graford, and V. M. Robbins, Appl. Phys. Lett. 57, 2937 (1990).
DOI
|
14 |
R. Kudrawiec, M. Motyka, M. Gladysiewicz, J. Misiewicz, J. A. Gupta, and G. C. Aers, Solid State Communications 138, 365 (2006).
DOI
|
15 |
K. Itaya, H. Sugawara, and G. Hatakoshi, J. Crystal Growth, 138, 768 (1994).
DOI
|
16 |
M. Cardona, Modulation Spectroscopy (Academic Press, New York, 1969), pp. 11.
|
17 |
O. G Koshelev and V. A. Morozova, Solid-State Electronics 39, 1379 (1996).
DOI
|
18 |
H. Chui, N. F. Gardner, P. N. Grillot, J. W. Huang, M. R. Krames, and S. A Maranowski, Semiconductors and Semimetals 64, 49 (2000).
|
19 |
Y. P. Varshni, Physica 34, 149 (1967).
DOI
|
20 |
J. S. Blackemore, J. Appl. Phys. 53, R123 (1982).
DOI
|