Al-doped ZnO (AZO) films were deposited on the plastic substrate by inductively coupled plasma (ICP) assisted DC magnetron sputtering. The AZO films were produced by sputtering a metallic target (Zn/Al) in a mixture of argon and oxygen gases. AZO films with an electrical resistivity of ${\sim}10^3\;{\Omega}cm$ and an optical transmittance of 80% were obtained even at a low deposition temperature. In-situ process control methods were used to obtain stable deposition conditions in the transition region without any hysteresis effect. The target voltage was controlled either at a constant DC power. It was found that the ratio of the zinc to oxygen emission intensity, I (O 777)/I (Zn 481) decreased with increasing the target voltage in the transition region. The $Ar/O_2$ plasma treatment improve the adhesion strength between the polycarbonate substrate and AZO films.
Niobium nitride coatings have many potential thin film applications due to their chemical inertness, good mechanical properties, temperature stability and superconducting properties. In this study, $NbN_x$ coatings were prepared by inductively coupled plasma (ICP) assisted DC magnetron sputtering method on the surface of AISI 304 austenitic stainless steels. Effects of target power were studied on mechanical and chemical properties of the coatings. The coating structure was analyzed by X-ray diffraction (XRD) and field emission scanning electron microscopy (FESEM). The coating hardness was measured by micro-knoop hardness tester. The coating thickness was measured using a 3D profiler and wear characteristics were estimated using a ball-on-disk wear tester. The thickness of the $NbN_x$ coatings increased linearly from 300 nm to 2000 nm as the Nb target power increased, and it showed over $HK_{0.005}$ 4000 hardness above Nb target power of 300 W. Hexagonal ${\delta}^{\prime}$-NbN phase and cubic ${\delta}$-NbN phase were observed in the coating films and the hardness of the NbNx coatings was higher when these two peaks were mixed. The corrosion resistance increased with the increase of the Nb target power.
NbN coatings were prepared by ICP (inductively coupled plasma) assisted magnetron sputtering from a Nb metal target in $Ar+N_2$ atmosphere at various ICP powers. Effect of ICP on the microstructure, crystalline structure and mechanical properties of NbN coatings was investigated by field emission electron microscopy, X-ray diffraction, atomic force microscopy and nanoindentation measurements. The results show that ICP power has a significant influence on coating microstructure, structure and mechanical properties of NbN coatings. With the increasing of ICP power, coating microstructure evolves from the columnar structure of DC process to a highly dense one. Crystalline structure of NbN coatings were changed from cubic ${\delta}$-NbN to hexagonal ${\beta}-Nb_2N$ with increase of ICP power. The maximum nano hardness of 25.4 GPa with Ra roughness of 0.5 nm was obtained from the NbN coating sputtered at ICP power of 200 W.
Ar공정 분압에 따라 스퍼터링된 $LiCoO_2$박막 양극의 $400^{\circ}C$저온 열처리를 통한 전기화학적 및 미세구조적 특성을 연구하였다. Ar분압이 변화함에 따라 양극 박막의 미세구조 및 조성이 변화하였으며, Ar분압이 증가할수록 $LiCoO_2$ 박막의 안정성 및 전기화학적 특성이 개선되었다. 순환전류전위법 및 정전류 충방전 시험에 의해 전극반응의 가역성 및 안정성 등을 고찰하였으며, 박막의 조성, 결정성, 표면 특성 등 물리적 특성은 ICP-AES, XRD, SEM 및 AFM을 통해 분석하였다.
To enhance the ionization level of I-PVD and reduce the coil voltage two approaches were tried and as a diagnostic, optical emission spectroscopy and impedance analysis of the plasma was done with a range of Ar pressures and RF power along with XRD analysis of deposited Ag films. RF sputtering power was pulsed with various on/off time scales to recover the ICP quenched by sputtered metals. This in average enhances the ionization of the sputtered atoms with 10 ms/10 ms and 100 ms/100ms pulse on/off time duration and gives higher (200) preferred orientation over (111) in deposited Ag films. Secondly, Small axial B field about 8G remarkably reduced RF coil sputtering and showed scaled relationship between RF power and magnetic field strength for optimal process condition. From OES of Ar0 and Ar+, wave-like dispersion structure appeared and reduced the coil voltage about 20% at very weak field strength of 8G. This should be studied further to have nay relation with low mode helicon wave launching.
Carbon nanotubes (CNTs) were grown with high density on a large area of Ni-coated silicon oxide substrates by using an inductively coupled plasma-chemical vapor deposition (ICP-CVD) of $C_2H_2$ at temperatures ranging from 600 to $700^{\circ}C$. The Ni catalyst was formed using an RF magnetron sputtering system with varying the operating pressure and exposure time of $NH_3$ plasma. The surface morphology of nickel catalyst films and CNTs was examined by SEM and AFM. The graphitized structure of CNTs was confirmed by Ramman spectra, SEM, and TEM. The growth of CNTs was observed to be strongly influenced by the surface morphology of Ni catalyst, which depended on the pre-treatment time and growth temperature. Dense CNTs with uniform-sized grains were successfully grown by ICP-CVD.
ICP 마그네트론 스퍼터를 이용하여 2.5$\times$2.5 $\textrm{cm}^2$ 넓이의 열산화막이 형성된 실리콘 기판에 총 14개의 동일한 간격으로 NiFe(170 )/CoFe(48 )/Al(13 )-O/CoFe(500 )/Ta(50 ) 구조의 junction을 형성하여 자기저항비의 균일성을 알아보았다. 각 층은 ICP 마그네트론 스퍼터를 이용하여 만들고 특히 절연층은 플라즈마 산화법으로 제작하여 TMR 소자를 만들었다. 완성된 각 소자를 외부자기장을 변화시키면서 4단자 측정법으로 기준저항, 자기저항비, 자화반전자장을 측정하였다. 균일한 박막형성에 적합한 ICP스퍼터라도 같은 공정하에서 자기저항비의 표준편차가 2.72 정도의 분포가 있었으며, 위치에 따른 각 기준저항, 자기저항비, 자화반전자장의 유의차는 없었다. 또한 기준저항이 증가함에따라 자기저항비와 자화반전자장이 증가하는 경향이 있었으며, 이러한 현상은 균일하지 못한 절연막의 형성에 기인하는 것으로 판단되었다. 균일한 성막이 가능한 ICP 스퍼터로도 위치별로 절연막층 상태의 국부적 분산에 따라 표준편차가 기준저항의 경우 64.19, 자기저항비의 경우 2.72의 변화가 발생하여 실제적인 소자의 양산을 위해서는 산화막 형성공정의 개선이나 후열처리 등에 의한 균일화 공정이 필요할 것으로 생각되었다.
Sputter deposition followed by surface treatment was studied using reactive RF plasma as a method for preparing titanium oxide($TiO_{2}$) films on indium tin oxide(ITO) coated glass substrate for dye-sensitized solar cells(DSSCs). Anatase structure $TiO_{2}$ films deposited by reactive RF magnetron sputtering under the conditions of $Ar/O_{2}$(5%) mixtures, RF power of 600W and substrate temperature of $400^{\circ}C$ were surface-treated by inductive coupled plasma(ICP) with $Ar/O_{2}$ mixtures at substrate temperature of $400^{\circ}C$, and thus the films were applied to the DSSCs, The $TiO_{2}$ Films made on these exhibited the BET specific surface area of 95, the pore volume of $0.3cm^{2}$ and the TEM particle size of ${\sim}25$ nm. The DSSCs made of this $TiO_{2}$ material exhibited an energy conversion efficiency of about 2.25% at $100mW/cm^{2}$ light intensity.
Metalloid의 양이 거의 일정(B, Si 각각 l0 at.% 정도)하게 유지되는 상황에서 FeCoSiB 박막내의 Co함량 증가가 여러 가지 자기적 특성에 미치는 효과, 그리고 열처리 온도와 시간에 따른 막의 자성특성 변화를 관찰해 보았다. dc magnetron sputter를 이용하여 비정질 합금 자성박막을 증착하였으며, 비정질의 막을 형성하기 위하여 기판은 수냉하였다. 막의 조성은 순철 target위에 올려놓는 pellet의 수를 조절하여, 대략 $Fe_{80-X}Co_XBi_{10}Si_{10}$ (X=8~18 at.%)로 하였으며, 증착된 막의 조성은 ICP 분석법을 이용하여 조사하였다. Sputtering에 의해 증착된 박막의 결정화 유무는 XRD로 분석하였으며, 보자력과 포화 자화값 등의 자기적 성질은 VSM을 이용하여 측정하였다. 실험결과에 따르면 막내 Co 함량이 증가함에 따라 보자력은 감소하는 경향을 나타내었으며, 포화자화 값은 Co 함량이 대략 10 at.%에 도달할 때까지는 증가하다가 그 이상에서는 감소하는 현상을 나타내었다. 그리고 증착 과정중에 막에 생기는 잔류응력의 제거효과를 관찰하기 위해 열처리 온도(100, 200, $300^{\circ}C$)와 시간(0~60분)을 변화시키며 실험한 결과, 예상되었던 바대로 잔류응력의 감소로 인해 Co 첨가시와 마찬가지로 보자력이 감소하는 결과를 나타내었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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