• 제목/요약/키워드: IC circuit

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LCD/PDP TV 전원장치용 고전압 구동 IC (High Voltage Driver IC for LCD/PDP TV Power Supply)

  • 송기남;이용안;김형우;김기현;서길수;한석붕
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.11-12
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    • 2009
  • In this paper, we propose a high voltage driver IC(HVIC) for LCD and PDP TV power supply. The proposed circuit is included novel a shoot-through protection and a pulse generation circuit for the high voltage driver IC. The proposed circuit has lower variation of dead time and pulse-width about a variation of a process and a supply voltage than a conventional circuit. Especially, the proposed circuit has more excellent pulse-width matching of set and reset signals than the conventional circuit. Also the proposed pulse generation circuit prevent from fault operations using a logic gate. Dead time and pulse-width of the proposed circuit are typical 250 ns, and its variation is maximum 170 ns(68 %) about a variation of a process and a supply voltage. The proposed circuit is designed using $1\;{\mu}m$ 650 V BCD process parameter, and a simulation is carried out using Spectre.

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나노초 UV 레이저 응용 IC 기판 소재 조성별 가공 특성 (Characteristics of direct laser micromachining of IC substrates using a nanosecond UV laser)

  • 손현기;신동식;최지연
    • 한국레이저가공학회지
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    • 제15권3호
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    • pp.7-10
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    • 2012
  • Dimensions (line/space) of circuits in IC substrates for high-end chips (e.g. CPU, etc.) are anticipated to decrease as small as $10{\mu}m/10{\mu}m$ in 2014. Since current etch-based circuit-patterning processes are not able to address the urgent requirement from industry, laser-based circuit patterning processes are under active research in which UV laser is used to engrave embedded circuits patterns into IC substrates. In this paper, we used a nanosecond UV laser to directly fabricate embedded circuit patterns into IC substrates with/without ceramic powders. In experiments, we engraved embedded circuit patterns with dimensions (width/depth) of abut $10{\mu}m/10{\mu}m$ and $6{\mu}m/6{\mu}m$ into the IC substrates. Due to the recoil pressure occurring during ablation, the circuit patterning of the IC substrates with ceramic powders showed the higher ablation rate.

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공정 및 공급전압 변화에 강인한 하프브리지 구동 IC의 설계 (Design of a Robust Half-bridge Driver IC to a Variation of Process and Power Supply)

  • 송기남;김형우;김기현;서길수;장경운;한석붕
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제22권10호
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    • pp.801-807
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    • 2009
  • In this paper, we propose a novel shoot-through protection circuit and pulse generator for half-bridge driver IC. We designed a robust half-bridge driver IC over a variation of processes and power supplies. The proposed circuit is composed a delay circuit using a beta-multiplier reference. The proposed circuit has a lower variation rate of dead time and pulse-width over variation of processes and supply voltages than the conventional circuit. Especially, the proposed circuit has more excellent pulse-width matching of set and reset signals than the conventional circuit. Also, the proposed pulse generator is prevented from fault operations using a logic gate. Dead time and pulse-width of the proposed circuit are typical 250 ns, respectively. The variation ratio is 68%(170 ns) of maximum over variation of processes and supply voltages. The proposed circuit is designed using $1\;{\mu}m$ 650 V BCD (Bipolar, CMOS, DMOS) process parameter, and the simulations are carried out using Spectre simulator of Cadence corporation.

그린 모드 파워 스위치 IC 설계에 관한 연구 (A Study on the Design of Green Mode Power Switch IC)

  • 이우람;손상희;정원섭
    • 전기전자학회논문지
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    • 제14권2호
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    • pp.1-8
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    • 2010
  • 본 논문에서는 대기전력을 줄일 수 있는 Green Mode Power IC 회로를 설계하였다. 이 회로는 switch mode power supply(SMPS)을 구동하기 위한 PWM 기능을 가지고 있으며, 불필요한 소비전력을 제거하기 위해 burst mode와 skip mode 구간을 만들고 대기전력을 낮출 수 있도록 외부의 Power MOSFET에 의해 제어된다. 제안한 회로는 KEC 30V-High Voltage 0.5um CMOS process를 이용하여 시뮬레이션 하였다. 회로 내부는 크게 voltage regulator 회로, voltage reference 회로, UVLO(Under Voltage Lock Out)회로, Ibias 회로, green 회로, PWM 회로, OSC 회로, protection회로, control 회로, Level shift&Driver 회로로 구성되어 있다. 시뮬레이션 결과로부터 회로 동작 시 각 블록의 소비전류를 측정하여 확인한 결과 블록 별 전류총합이 1.29mA이었고, 이 값은 목표 설계치인 1.3mA을 충족시킴을 입증하였다. 이 값은 기존 IC의 소비전류보다 1/2이상 줄어든 값이며, 대기모드로 동작할 경우는 전력소비를 1W 미만까지 줄일 수 있었다.

NMOSFET으로 구성된 AC PDP 스캔 구동 집적회로의 동작 (Operation of NMOSFET-only Scan Driver IC for AC PDP)

  • 김석일;정주영
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제40권7호
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    • pp.474-480
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    • 2003
  • We designed and tested a new scan driver output stage. Compared to conventional CMOS structured scan driver IC′s, the new NMOSFET-only scan driver circuit can reduce the chip area and therefore, the chip cost considerably. We confirmed the circuit operation with open drain power NMOSFET IC′s by driving 2"PDP test panel. We defined critical device parameters and their optimization methods lot the best circuit performance.

화재방지제어 시스템 IC (A System IC for Controlling the Fire Prevention)

  • 김병철
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제13권4호
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    • pp.737-746
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    • 2009
  • 본 연구에서는 정보가전기기에서 과부하를 방지하고 이상신호를 검출하며 화재방지를 제어할 수 있는 원 칩(one chip) 시스템 IC를 개발하였다. 이를 위하여 화재에 직접적으로 영향을 미치는 아크(arc) 검출회로와 감전을 방지하기 위한 누전검출회로를 설계하였다. 시뮬레이션과 표준트랜지스터를 이용한 bread boarding 평가에 의해 블록별로 설계된 회로를 검증하였다. 평가결과로부터 34 V 2 Metal $1.5{\mu}m$바이폴라 트랜지스터 공정을 이용하여 시스템 IC를 제작하였다. 제작된 시스템 IC와 IC응용회로를 PCB보드에 실장하여 화재방지 시스템보드의 전기적 성능을 평가하였으며, 아크와 GF(ground fault) 신호에 잘 동작함을 확인하였다.

INVAR 마스크 응용 반도체 기판 소재의 고체 UV 레이저 프로젝션 어블레이션 (DPSS UV Laser Projection Ablation of IC Substrates using an INVAR Mask)

  • 손현기;최한섭;박종식
    • 한국레이저가공학회지
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    • 제15권4호
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    • pp.16-19
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    • 2012
  • Due to the fact that the dimensions of circuit lines of IC substrates have been forecast to reduce rapidly, engraving the circuit line patterns with laser has emerged as a promising alternative. To engrave circuit line patterns in an IC substrate, we used a projection ablation technique in which a metal (INVAR) mask and a DPSS UV laser instead of an excimer laser are used. Results showed that the circuit line patterns engraved in the IC substrate have a width of about 15um and a depth of $13{\mu}m$. This indicates that the projection ablation with a metal mask and a DPSS UV laser could feasibly replace the semi-additive process (SAP).

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Noise Injection Path의 주파수 특성을 고려한 IC의 전자파 전도내성 시험 방법에 관한 연구 (Evaluation of IC Electromagnetic Conducted Immunity Test Methods Based on the Frequency Dependency of Noise Injection Path)

  • 곽상근;김소영
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제24권4호
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    • pp.436-447
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    • 2013
  • 본 논문에서는 IC(Integrated Circuit) 전자파 전도내성 시험 방법인 BCI(Bulk Current Injection)와 DPI(Direct Power Injection)를 이용하여 1.8 V I/O 버퍼에 대한 IC 전자파 전도내성을 시험하였다. IC 전자파 전도내성 시험을 회로 해석기를 사용하여 시뮬레이션 할 수 있는 등가회로 모델(model)을 개발하고 검증하였다. BCI와 DPI의 주파수에 따른 forward 전력을 비교한 결과는 주파수 성분에 따라 실제 IC에 도달하는 전자파(electromagnetic, EM) 노이즈의 양이 제한됨을 보여준다. 시뮬레이션을 통해, 가해지는 RF(Radio Frequency) 노이즈가 전달되는 경로의 삽입손실을 구하여, 하나의 시험 방법만으로는 넓은 주파수 영역에서 실질적인 IC 전자파 내성시험의 어려움을 발견하였다. 따라서 규정된 시험 방법을 보완하여 넓은 주파수 영역의 노이즈에 대해 신뢰도 높은 IC 전자파 전도내성 시험 방법을 제안한다.

자동차용 ABS/TCS 인터페이스 시스템 IC의 설계 (Design of an Interface System IC for Automobile ABS/TCS)

  • 이성필;김찬
    • 융합신호처리학회논문지
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    • 제7권4호
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    • pp.195-200
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    • 2006
  • 자동차용 ABS/TCS 시스템의 기존 개별소자 회로를 시험하고, 시스템의 문제점을 컴퓨터 시뮬레이션으로 분석하였다. ABS/TCS 시스템의 성능을 개선하기 위해 에러 보상회로, 비교기 및 UVLO 회로를 가진 인터페이스 IC를 설계하고, 전기적 특성을 조사하였다. 전압 조절기는 자동차 환경에 견디기 위해 $-20^{\circ}C$에서 $120^{\circ}C$ 사이의 온도 범위에서 온도변화를 보상하도록 하였고, ABS와 브레이크는 같은 주파수와 다른 주파수의 듀티 계수를 사용하여 분리하였다. UVLO 회로와 정전압 회로는 잡음을 제거하기 위해 적용하였고, 과도 전류를 제한하기 위해 보호회로를 사용하였다. ABS/TCS 시스템의 전기적 성능을 향상시키기 위해 IC 제조를 위한 레이아웃을 설계하였다. 제작된 마스크 패턴은 11개로 구성하였으며, 전류 손실을 줄이기 위해 8개의 패드를 유효하게 배치하였다. 브레드보드 시험치와 레이아웃을 설계한 후 시뮬레이션의 시험치를 비교한 결과 시뮬레이션과 브레드보드 실험치가 거의 일치하거나 우수한 결과를 가짐을 알 수 있었다.

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출력전류 제어 기능이 향상된 고휘도 LED 구동 IC 설계 (Design of the High Brightness LED Driver IC with Enhanced the Output Current Control Function)

  • 송기남;한석붕
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제23권8호
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    • pp.593-600
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    • 2010
  • In this paper, High brightness LED (light-emitting diodes) driver IC (integrated circuit) using new current sensing circuit is proposed. This LED driver IC can provide a constant current with high current precision over a wide input voltage range. The proposed current-sensing circuit is composed of a cascode current sensor and a current comparator with only one reference voltage. This IC minimizes the voltage stress of the MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) from the maximum input voltage and has low power consumption and chip area by using simple-structured comparator and minimum bias current. To confirm the functioning and characteristics of our proposed LED driver IC, we designed a buck converter. The LED current ripple of the designed IC is in ${\pm}5%$ and a tolerance of the average LED current is lower than 2.43%. This shows much improved feature than the previous method. Also, protections for input voltage and operating temperature are designed to improve the reliability of the designed IC. Designed LED driver IC uses 1.0 ${\mu}m$ X-Fab. BiCMOS process parameters and electrical characteristics and functioning are verified by spectre (Cadence) simulation.