비휘발성 메모리 소자의 Gate-Blocking Layer 적용을 위한 $TiO_2$ 박막 특성
(Characteristic of $TiO_2$ Thin Film for Nonvolatile Memory Device's Gate-Blocking Layer)
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- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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- pp.199-200
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- 2007