In this study a low-signal equivalent circuit based on DSB model is proposed for ZnO-based varistor. As a equivalent circuit simulation result dielectric loss factor $tan{\delta}$ shows 2 peaks in low frequency and high frequency regions. The low-frequency peak means the relaxation by deep defects and the high-frequency peak means the relaxation by shallow defects.
고다층 배선 기판에 형성된 개방 스터브(open stub)를 제거한 후면드릴가공홀(Back-Drilled-Hole, BDH)과 일반적인 구조인 관통홀(Plated-Through-Hole, PTH) 구조의 전기적 특성에 대한 분석을 하였으며, 고속 선호를 부품 실장면으로부터 내층의 스트립라인으로 전송하기 위해 비아홀의 급전 길이가 가장 긴 전송층을 선택하였다. 10 GHz의 광대역 주파수 내에서 실험계획법(DOE, design of experiment)을 적용하여 비아홀 구조 내에 외층과 급전층 사이의 비아홀의 길이, 접지층에 형성된 천공(anti-pad)의 크기와 급전층에 형성된 패드 (pad)의 크기가 최대 반사 손실 반전력 주파수와 삽입 손실에 미치는 영향을 분석하였다. 이로 부터 거시적 모델(macro model)을 위한 회귀 실험식을 추출하여 실험 결과와 비교 평가하였고, 실험 영역 외에서도 측정 결과와 5% 이내의 오차를 보이고 있음을 확인하였다.
본 논문은 A/D 변환기(Analog-to-Digital Converter) 회로에서 신호선의 터미네이션 조건이 crosstalk에 의해 왜곡되기 쉬운 특성을 가지며 동작 주파수가 높아짐에 따라 이에 대한 주의가 더욱 요구된다. 그중에서도 아날로그 신호인 입력 신호와 레퍼런스 전압 신호는 crosstalk에 의해 왜곡되기 쉬운 아날로그 신호이면서, A/D 변환 전체의 동작 성능을 좌우하는 신호들이다. 이 두 신호들은 각각의 회로 구성에 따라 독특한 터미네이션 조건을 가지므로 본 논문에서는 주파수 영역에서 임피던스 불일치 조건을 고려한 crosstalk를 모델링하고 해당 터미네이션 조건이 crosstalk에 미치는 영향을 확인한다. 먼저, A/D 변환기 회로에서 두 신호의 회로 구성을 파악한 후 near-end와 far-end에서 임피던스 불일치를 고려한 crosstalk 모델을 유도한다. 유도한 crosstalk 모델을 이용하여 입력 신호의 near-end와 터미네이션 임피던스 불일치와 레퍼런스 전압 신호의 far-end 커패시턴스 터미네이션이 crosstalk에 미치는 영향을 예측하고, 실험을 통해 예측 결과를 확인한다. 신호선으로는 가장 널리 사용되는 microstrip 구조를 사용하였으며 skin effect에 의한 손실 증가를 반영하였다.
To simulate the characteristics of an High-Intensity Discharge Lamp, this paper uses PSpice circuit model which have been developed from modification of the classical Cassie and Mayr equations. The model is for an High-Intensity Discharge Lamp and compatible to adopt high-frequency electric ballast. This model is correspond to some conditions between the simulated and experimental results.
Orthorhombic dysprosium manganite DyMnO3 with single phase is synthesized using solid-state reaction technique and the crystal structure and dielectric properties as functions of temperature and frequency are investigated. Thermally activated dielectric relaxations are shown in the temperature dependence of the complex permittivity, and the respective peaks are found to be shifted to higher temperatures as the measuring frequency increases. In Arrhenius plots, activation energies of 0.32 and 0.24 eV for the high- and low-temperature relaxations are observed, respectively. Analysis of the relationship between the real and imaginary parts of the permittivity and the frequencies allows us to explain the dielectric behavior of DyMnO3 ceramics by the universal dielectric response model. A separation of the intrinsic grain and grain boundary properties is achieved using an equivalent circuit model. The dielectric responses of this circuit are discerned by impedance spectroscopy study. The determined grain and grain boundary effects in the orthorhombic DyMnO3 ceramics are responsible for the observed high- and low-temperature relaxations in the dielectric properties.
Kim, Kil-Han;Ahn, Min-Su;Kang, Jung-Han;Yun, Il-Gu
ETRI Journal
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제28권2호
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pp.182-190
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2006
The circuit modeling of interdigitated capacitors fabricated by high-k low-temperature co-fired ceramic (LTCC) sheets was investigated. The s-parameters of each test structure were measured from 50 MHz to 10 GHz, and the modeling was performed using these measured sparameters up to the first resonant frequency. Each test structure was divided into appropriate building blocks. The equivalent circuit of each building block was composed based on the partial element equivalent circuit (PEEC) method. Modeling was executed to optimize the parameters in the equivalent circuit of each building block. The validity of the extracted parameters was verified by the predictive modeling for the test structures with different geometry. After that, Monte Carlo analysis and sensitivity analysis were performed based on the extracted parameters. The modeling methodology can allow a device designer to improve the yield and to save time and cost for the design and manufacturing of devices.
Journal of international Conference on Electrical Machines and Systems
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제3권3호
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pp.339-353
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2014
A straightforward method for optimal determining of a high frequency inductor's parasitic capacitance is presented. The proposed estimation method is based on measuring the inductor's impedance samples over a limited frequency range bordering on the resonance point considering k-dB deviation from the maximum impedance. An optimized solution to k could be obtained by minimizing the root mean squared error between the measured and the estimated impedance values. The model used to provide the estimations is a parallel RLC circuit valid at resonance frequency which will be transferred to the real model considering the mentioned interval of frequencies. A straightforward algorithm is suggested and programmed using MATLAB which does not require a wide knowledge of design parameters and could be implemented using a spectrum analyzer. The inputs are the measured impedance samples as a function of frequency along with the diameter of the conductors. The suggested algorithm practically provides the estimated parameters of a real inductance model at different frequencies, with or without design information. The suggested work is different from designing a high frequency inductor; it is rather concentration of determining the parameters of an available real inductor that could be easily done by a recipe provided to a technician.
A new small-signal model for the controlled on-time boost Power factor correction (PFC) circuit is Presented. The proposed small-signal model is valid up to high frequencies ever 1kHz. IF to remove the low-frequency ripple from the output a 120Hz notch filter is used the proposed model can be used for the control design of the PFC circuit to improve the dynamics of the output voltage. The accuracy of the model is confirmed by comparing the experimental results with the simulational result.
This paper investigates a high performance converter topology for hydrogen gas generation electrolysis system. The proposed converter topology consists of full-bridge inverter, medium frequency transformer, and diode rectifier. Hydrogen gas generation electrolysis process considered in the paper is analyzed and characterized by its equivalent circuit. The electrolysis cell is modeled as effective resistance, capacitance, inductance, and internal emf voltage source. The proposed converter topology provides enhanced efficiency of hydrogen gas generation process under the operating condition of dc output voltage with high frequency ripple on it. The high performance operation of proposed converter is confirmed through the simulation with the electrolysis cell considered in the equivalent circuit model.
본 논문은 다층기판으로 구현된 마이크로스트립 전송선로와 여기에 결합된 결함접지구조의 초고주파 특성 및 모델링에 대하여 기술하고 있다. 단층 마이크로스트립 전송선로와 결함접지구조를 지닌 기본형 구조에, 제 2의 유전체 층을 결함접지구조가 있는 바닥 접지면 아래에 적층하여 다층기판 속의 결함접지구조를 형성하였다. 그리고 제2의 유전체 층의 유전율과 두께를 서로 달리해 가면서 초고주파 전송특성을 보고 추가된 유전체 층에 의한 등가회로의 변화를 등가회로 모델링을 통하여 분석하였다. 본 논문에서 제안된 방법에 따르면 적층된 제 2의 유전체 층에 의한 등가회로의 변화를 따로 확인할 수 있어서 추후 초고주파 회로에 유익하게 응용될 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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