In this study, for carrying out the spray and combustion experiment using a Common Rail Direct Injection(CRDI) system, the controller was fabricated to drive a high speed camera, a injector and a laser beam sequentially at a low cost. CB280 module of one-chip micro processer was used for the controller. In order to confirm responsibility and utility of the controller, the current drive performance, the spray behavior and the injection rate were tested and analyzed under various experimental conditions. As this research results, we found that the fabricated controller was able to control the devices for the spray experiment precisely with the input value in program and it had the dynamic load responsibility and repetition. Also, we found that the injection rates of our experimental results were higher than those of others at the same injection pressure and the controller connected with the laser system and the data acquisition system had validity for carrying out the spray visualization experiment.
Kim, C.H.;Kim, Y.H.;Jung, K.R.;Hahn, T.S.;Park, J.H.;Choi, S.S.
한국초전도학회:학술대회논문집
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v.10
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pp.179-183
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2000
For a ground plane in high-temperature superconducting ramp-edge junction devices, YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-{\delta}}$/SrTiO$_3$/YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-{\delta}}$ multilayer structures were fabricated using pulsed laser deposition and ECR ion milling. Various process parameters were adjusted to enhance the device characteristics. By etching the STO layer to form a tapered edge of about 15$^{\circ}$ and in-situ RF plasma treatment of bottom YBCO surface prior to deposition of top YBCO, the top-to-bottom YBCO showed T$_c$ of 75${\sim}$80 K and I$_c$ of about 40 mA through holes. It was found that the deposition of bottom YBCO at a reduced laser repetition rate of 1Hz increased the T$_c$ of top YBCO to 79.9 K. The resistivity of 570 layer was about 10$^6$${\Omega}$cm at 60 K, which ensures good electrical isolation between successive YBCO layers.
Woo, Sung-Hun;Lee, Kwang-Sik;Lee, Dong-In;Cho, Chu-Hyun;Choi, Young-Wook;Lee, Hong-Sik;Abroyan, M.
Proceedings of the KIEE Conference
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1998.07e
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pp.1767-1769
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1998
We have established a pulsed electron beam generation system with an energy of 200[keV], pulse repetition rate of 200[Hz], and several tens of [${\mu}s$] pulse width. The system is characterized by a cold cathode that is simpler than the hot cathode. Target object does not need to be scanned because of large aperture electron beam of 300[$cm^2$]. Electron source is secondary electrons that are generated when the ions from the glow discharge collide on the cathode surface. In this paper, the discharge current characteristics are investigated experimentally as a function of He gas pressure in order to obtain stable glow discharge. And computer simulations are carried out as a preliminary study for the development of low energy large aperture electron beam generator. The variation of electon beam current is investigated as a function of rising time of high voltage when 20[kV] potential is applied in 20[mTorr] pressure.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.05a
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pp.704-707
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1999
Partial discharge(PD) in air insulated electric power systems is responsible for considerable power lossesfrom high voltage transmission lines. PD in air often leads to deterioration of insulation by the combined action of the discharge ions bombarding the surface and the action of chemical compounds that are formed by the discharge and may give rise to interference in ommunication systems. PD can indicate incipient failure. Thus understanding and classification of PD in air is very important to discern source of PD. In this paper, we investigated PD in air by using statical method. We classified air discharge with corona, surface discharge and cavity discharge by source of discharge. we used the mean pulse-height phase distribution $H_{qmean}(\psi)$, the max pulse-height phase distribution $H_{qmax}(\psi)$ , the pulse count phase distribution $H_n(\psi)$ and the max pulse height vs. repetition rate $H_{q}(n)$ for analysis PD pattern. We used statistical operators, such as skewness(S+. S-1, kurtosis(K+, K-), mean phase(AP+. AP-), cross-correlation factor(CC) and asymmetry from the distribution.
A high-voltage power supply has been built for activation of the brain via stimulation using a Full Wave Cockroft-Walton Circuit (FWCW). A resonant half-bridge inverter was applied (with half plus/half minus DC voltage) through a bidirectional power transistor to a magnetic stimulation device with the capability of producing a variety of pulse forms. The energy obtained from the previous stage runs the transformer and FW-CW, and the current pulse coming from the pulse-forming circuit is transmitted to a stimulation coil device. In addition, the residual energy in each circuit will again generate stimulation pulses through the transformer. In particular, the bidirectional device modifies the control mode of the stimulation coil to which the current that exceeds the rated current is applied, consequently controlling the output voltage as a constant current mode. Since a serial resonant half-bridge has less switching loss and is able to reduce parasitic capacitance, a device, which can simultaneously change the charging voltage of the energy-storage condenser and the pulse repetition rate, could be implemented. Image processing of the brain activity was implemented using a graphical user interface (GUI) through a data mining technique (data mining) after measuring the vital signs separated from the frequencies of EEG and ECG spectra obtained from the pulse stimulation using a 90S8535 chip (AMTEL Corporation).
Kim, Hee-je;Song, Keun-ju;Song, Woo-Jung;Kim, Su-Weon;Park, Jin--Young;Joung, Jong-Han
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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v.4C
no.3
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pp.91-95
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2004
The pulsed power system is widely available for use in pulse generator applications. Generally, the pulse generator is required for very short pulse width and high peak value. We have designed and fabricated our own pulsed type power system and through its use, we investigated microbe removal characteristics. This paper introduces a simple pulsed power system for removing various microbes caused by dirty water. This system includes a 2 times power supply circuit, IR2110 operated by using a fixed voltage regulator 7812 and 7805, and the switching MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). We can also control this process by using a PIC one chip microprocessor. As a result, we can obtain good removing characteristics of various microbes by adjusting the charging voltage, the pulse repetition rate and the electrical field inducing time.
A 150 kJ compact capacitive pulsed power system (CCPPS) capable of delivering electrical energy into an electrothermal chemical (ETC) gun on a vehicle has been studied. The CCPPS provides pulsed electrical energy into a capillary plasma injector which generates plasma of tens of thousands $^{\circ}K$ in temperature and has a nonlinear resistance depending on the current. The design requirements of the CCPPS are as follows: the maximum power of 250 MW, the pulse width of about 0.6 ms, the volume of no more than 0.5 cubic meter, the efficiency of energy transfer over 80 % and the repetition rate of 4~5 times per minute. The constructed CCPPS is composed of four 37.5 kJ capacitor bank modules in parallel to make a trapezoid pulse shape and to satisfy the design requirements. Each module is designed to achieve high reliability, safety, efficiency and energy density to endure severe operating conditions. The results of the performance test on the CCPPS using a 120 mm ETC gun are described.
We have proposed and experimentally verified a pulse-width modulation (PWM) generator which directly generated a PWM signal in the optical domain. Output waveforms were clear at the repetition rate of 16 MHz; the duty cycle (DC) was from 14.7% to 72.1%; and the DC-control resolution was about 4.399%/dB. The PWM generator' operation principle is based on the injection-locking property of a single-mode Fabry-$P{\acute{e}}rot$ laser diode (SMFP-LD). The SMFP-LD, which has a self-locked mode wavelength at ${\lambda}_{PWM}$, was used to detect the power of the injection-locking signal (optical analog input). If the analog input power is high, the SMFP-LD is locked to the wavelength of the input signal ${\lambda}_a$ and there is no output after an optical bandpass filter (OBF). If the analog input power is low, the SMFP-LD is unlocked and there is output signal at ${\lambda}_{PWM}$ after the OBF. Thus, the SMFP-LD plus the OBF provide digital output for an analog input. The DC of the output PWM signal can be controlled by tuning the power of the analog input.
Rivasto, Elmeri;Kim, Jihyun;Tien, Le Minh;Kang, Ji-Hoon;Park, Sungmin;Choi, Woo Seok;Kang, Won Nam;Park, Tuson
Progress in Superconductivity and Cryogenics
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v.23
no.3
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pp.41-44
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2021
We developed an optimization process of the pulsed laser deposition method to grow epitaxial CeCoIn5 thin films on MgF2 substrates. The effects of different deposition parameters on film growth were extensively studied by analyzing the measured X-ray diffraction patterns. All the deposited films contained small amounts of CeIn3 impurity phase and misoriented CeCoIn5, for which the c-axis of the unit cell is perpendicular to the normal vector of the substrate surface. The deposition temperature, target composition, laser energy density, and repetition rate were found effective in the formation of (00l)-oriented CeCoIn5 as well as the undesired phases such as CeIn3, misoriented CeCoIn5 along the (112) and (h00). Our results provide a set of deposition parameters that produce high-quality epitaxial CeCoIn5 thin films with sufficiently low amounts of impurity phases and can serve as a reference for future studies to optimize the deposition process further.
We demonstrate a Pr3+:YLF 639.7-nm laser with single-frequency output based on the Q-switched pre-lase technology, pumped by a fiber-coupled GaN blue laser diode. The pre-lase technology is realized by the step-type loss of the acousto-optical Q-switched device. The conclusions of the theoretical research are verified experimentally. The mode-suppression ratio was 44 dB at the single-frequency laser output. Detection by interferometer verified the realization of the stable single-frequency laser. In addition, the emission spectrum had a linewidth of 139.9 MHz, measured by Fabry-Perot interferometer. The single-frequency laser's single-peak power was over 19.7 W with 98.8-ns pulse duration, obtained under an absorption power of 1.74 W.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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