A new high efficiency and low profile on-board DC/DC converter for digital car audio amplifiers is proposed. The proposed converter shows low conduction loss due to the low voltage stress of the secondary diodes, a lack of DC magnetizing current for the transformer, and a lack of stored energy in the transformer. Moreover, since the primary MOSFETs are turned-on under zero-voltage-switching (ZVS) conditions and the secondary diodes are turned-off under zero-current-switching (ZCS) conditions, the proposed converter has minimized switching losses. In addition, the input filter can be minimized due to a continuous input current, and an output inductor is absent in the proposed converter. Therefore, the proposed converter has the desired features, high efficiency and low profile, for a viable power supply for digital car audio amplifiers. A 60W industrial sample of the proposed converter has been implemented for digital car audio amplifiers with a measured efficiency of $88.3\%$ at nominal input voltage.
The use of high voltage gain converters is essential for the distributed power generation systems with renewable energy sources such as the fuel cells and solar cells due to their low voltage characteristics. In this paper, a high voltage gain topology combining cascode Inverting Buck-Boost converter and voltage multiplier structure is introduced. In proposed converter, the input voltage is connected in series at the output, the portion of input power is directly delivered to the load which results in continuous input current. In addition, the voltage multiplier stage stacked in proper manner is not only enhance high step-up voltage gain ratio but also significantly reduce the voltage stress across all semiconductor devices and capacitors. As a result, the high current-low voltage switches can be employed for higher efficiency and lower cost. In order to show the feasibility of the proposed topology, the operation principle is presented and the steady-state characteristic is analyzed in detail. A 380W-40/380V prototype converter was built to validate the effectiveness of proposed converter.
This paper describes a low noise and high efficiency analog-digital switching mixed mode battery charger for production facilities of Li-Ion batteries. The requirements for battery chargers for production facilities are very strict. The accuracy of output voltage and output current should be below 0.1% with very low ripple current. Therefore analog type linear regulators are widely used for battery charger in spite of their inefficiency and bulkiness. We combined linear regulator as a voltage source with digital switching converter as a dependent current source. Low current ripple and high accuracy are obtained by linear regulator while high efficiency is achieved by digital switching converter. Experimental results show that proposed method has 0.1% ripple and 90% efficiency at an output current of 1A for a battery voltage of 4V.
We present a two-stage inverter with high step-up conversion ratio engaging modified finite-set Model Predictive Control (MPC) for utility-integrated photovoltaic (PV) applications. The anticipated arrangement is fit for low power PV uses, the calculated efficiency at 150 W input power and 19 times boosting ratio was around 94%. The suggested high-gain dc-dc converter based on Cockcroft-Walton multiplier constitutes the first-stage of the offered structure, due to its high step-up ability. It can boost the input voltage up to 20 times. The 3S current-source inverter constitutes the second-stage. The 3S current-source inverter hires three semiconductor switches, in which one is functioning at high-frequency and the others are operating at fundamental-frequency. The high-switching pulses are varied in the procedure of unidirectional sine-wave to engender a current coordinated with the utility-voltage. The unidirectional current is shaped into alternating current by the synchronized push-pull configuration. The MPC process are intended to control the scheme and achieve the subsequent tasks, take out the Maximum Power (MP) from the PV, step-up the PV voltage, and introduces low current with low Total Harmonic Distortion (THD) and with unity power factor with the grid voltage.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제16권4호
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pp.528-533
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2016
A low voltage high PSRR CMOS Bandgap circuit capable of generating a stable voltage of less than 1 V (0.8 V and 0.5 V) robust to Process, Voltage and Temperature (PVT) variations is proposed. The high PSRR of the circuit is guaranteed by a low-voltage current mode regulator at the central aspect of the bandgap circuitry, which isolates the bandgap voltage from power supply variations and noise. The isolating current mirrors create an internal regulated voltage $V_{reg}$ for the BG core and Op-Amp rather than the VDD. These current mirrors reduce the impact of supply voltage variations. The proposed circuit is implemented in a $0.35{\mu}m$ CMOS technology. The BGR circuit occupies $0.024mm^2$ of the die area and consumes $200{\mu}W$ from a 5 V supply voltage at room temperature. Experimental results demonstrate that the PSRR of the voltage reference achieved -118 dB at frequencies up to 1 kHz and -55 dB at 1 MHz without additional circuits for the curvature compensation. A temperature coefficient of $60 ppm/^{\circ}C$ is obtained in the range of -40 to $120^{\circ}C$.
The conduction mechanisms of the off-current in low temperature (.leq. >$600^{\circ}C$) processed polycrystalline silicon thin film transistors (LTP poly-Si TFT'S) have been systematically studied. Especially, the temperature and bias dependence of the off-current between hydrogenated and nonhydrogenated poly-Si TFT's were investigated and compared. The off-current of nonhydrogenated poly-Si TF's is because of a resistive current at low gate and drain voltage, thermally activated current at high gate and low drain voltage, and Poole-Frenkel emission current in the depletion region near the drain at high gate and drain voltage. After hydrogenation it has shown that the off -current mechanism is caused mainly by thermal activation and that the field-induced current component is suppressed.
This paper describes the two control techniques to perform the sensorless vector control of a PMSM by injecting the high frequency voltage to the stator terminal. The first technique is the estimation algorithm of the initial rotor position. A PMSM possesses the saliency which produces the ellipse of the stator current when the high frequency voltage is injected into the motor terminal. The major axis angle of the current ellipse gives the rotor position information at a standstill. The second control technique is a sensorless control algorithm that injects the high frequency voltage to the stator terminal in order to estimate the rotor position and speed. The rotor position and speed for sensorless vector control is calculated by appropriate signal processing to extract the position information from the stator current at low speeds or standstill. The proposed sensorless algorithm using the double-band hysteresis controller exhibits excellent reference tracking and increased robustness. Experimental results are presented to verify the feasibility of the proposed control schemes. Speed, position estimation and vector control were carried out on the floating point processor TMS320VC33.
This paper presents a new transient overvoltage blocking device (TOBD) for info-communication facilities with low power and high frequency bandwidth. Conventional protection devices have some problems such as low frequency bandwidth, low energy capacity and high remnant voltage. In order to improve these limitations, thehybrid type TOBD, which consists of a gas tube, avalanche diodes and junction typefield effect transistors (JFETs), was designed and fabricated. The TOBD differs from the conventional protection devices in configuration, and JFETs were used as an active non-linear element and a high speed switching diode with low capacitance limits high current. Therefore the avalanche dilde with low energy capacity are protected fromthe high current, and the TOBD has a very small input capacitance. From the performance test using combination surge generator, which can produce $1.2/50\mus\;4.2kV_{max}\; 8/20\mus\; 2.1kA_{max}$, it is confirmed that proposed TOBD has an excellent protection performance in tight clamping voltage and limiting current characteristics.
In this paper, we propose a new current sense amplifier for low-voltage, high-speed SRAM. As a supply voltage is reduced, a sensing delay is increased owing to reduced cell read current. It causes a low-speed operation in SRAM. To overcome this problem, we present a new current sense amplifier which consists of the current-mirror type circuit with feedback structure. For demonstration, a 0.8-V, 256-Kb SRAM incorporating the proposed current sense amplifier has been designed with $0.18-{\mu}m$ CMOS technology. The simulation results show 15.6ns of the sensing delay reduction in comparison with a previous current sense amplifier and 11.5ns of the sensing delay reduction in comparison with a voltage sense amplifier.
A new synchronous switch controlled transient current build-up zero voltage switching (TCB-ZVS) forward converter is proposed. The proposed converter is suitable for the low-voltage and high-current applications. The features of the proposed converter are low conduction loss of magnetizing current, no additional circuit for the ZVS operation, high efficiency, high power density and low EMI noise throughout all load conditions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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