• 생명과학회지
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• 제26권3호
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• pp.302-308
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• 2016

본 연구에서는 고지방·고콜레스테롤 식이 흰쥐에서 미나리 및 부추가 혈청 및 간조직의 지질대사에 미치는 영향을 관찰하였다. 실험군을 5군으로 나누어 정상 식이군(N 군), 고지방·고콜레스테롤 식이군(HF 군), 고지방·고콜레스테롤 식이에 미나리를 5% 첨가한 군(OP 군), 고지방·고콜레스테롤 식이에 부추를 5% 첨가한 군(AP 군), 고지방·고콜레스테롤 식이에 미나리와 부추를 각각 2.5% 첨가한 군(OAP 군)으로 나누었다. 혈중의 중성지방 농도는 N 군에 비해 HF 군에서 유의적으로 증가하였다. HF 군에 비해 OP 및 AP 군에서 유의적이지는 않았지만 감소하는 경향을 나타내었고, 특히 OAP 군에서는 유의적으로 감소하는 경향을 보였다. 혈중 총콜레스테롤 함량은 HF 군이 N 군에 비해 유의적으로 증가하였으며 미나리 및 부추 공급군에서 HF 군에 비해 유의적이지는 않지만 감소하였다. HDL-콜레스테롤은 함량은 HF 군에 비해 미나리 및 부추 공급군에서 증가하였고, 특히 OAP 군에서 유의적으로 증가하는 경향을 보였다. LDL-콜레스테롤은 함량은 HF 군에 비해 OP 군과 OAP 군에서 유의적으로 감소되어졌다. AI의 경우 HF 군에서 유의적으로 증가하였고, HF 군에 비해 미나리 및 부추 공급군 모두에서 유의적으로 감소하였다. 간조직의 중성지방 함량은 HF 군에 비해 미나리 및 부추 공급군에서 감소하였고, 특히 OAP 군에서 유의적으로 감소하는 경향을 보였다. 간조직의 총 콜레스테롤 함량은 HF 군에 비해 미나리 및 부추 공급군 모두에서 유의적으로 감소하는 경향을 나타내었다. 분변의 중성지방 및 총콜레스테롤의 함량은 N 군에 비해 HF 군에서 유의적으로 증가하였고, 미나리 및 부추의 공급군에서 HF 군에 비해 유의적으로 증가되어졌다. 또한 OP 군에 비해 AP 군 및 OAP 군에서 유의적인 증가경향을 나타내었다. 이러한 결과를 미루어 미나리 및 부추는 지질대사 조절에 효과적으로 작용되어질 수 있음을 시사하였으며, 특히 미나리와 부추의 복합공급은 이러한 체내 지질조절에 상승효과가 있음을 확인할 수 있었다.

• 한국식품과학회지
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• 제18권2호
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• pp.158-162
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• 1986

감의 연화에 따른 세포벽다당류의 조성과 함량 및 gel여과를 통한 개략적인 분자량의 변화를 조사하였다. 조세포벽의 함량은 연화된 감에서 현저히 감소되었는데 구체적으로 ionically associated pectin (IAP )은 59%, covalently bounded pectin (CBP)은 60%, $0{\sim}3N$ KOH soluble hemicellulosic fraction($HF_2$)은 74%가 감소된 반면 4N KOH soluble hemicellulosic fraction($HF_2$)과 cellulosic fraction(CF)은 큰 변화가 없었다. 신선한 감과 연화된 감의 IAP와 CBP 구성다당류의 조성은 uronic acid외에 hemicellulose에 유래한 Pentose와 hexose가 함유되어 있었고 연화에 따라 IAP에서는 pentose가 CBP에서는 hexose가 감소되었다. 개략적인 분자량은 IAP의 400만과 25만의 Peak이 130만과 6만으로, CBP의 경우는 400만이상의 Peak이 60만과 20만으로 CBP에서의 저분자화 정도가 현저하였다. $HF_1$과 $HF_2$ 역시 polyuronide의 함유율이 높았는데, $HF_2$가 현저하였다. 또 연화에 따라 $HF_1$은 pentose가 $HF_2는$ uronic acid와 hexose의 손실율이 높았다. $HF_1$의 연화에 따른 재략적인 분자량은 200만의 peak이 2개로 분리 되었고 $HF_2$는 수백만 단위의 거대분자가 만단위까지 저분자화 하였다. 이상의 결과에서 감의 연화는 CBP에 인결된 hemiceldlose중 특히 $HF_2$의 저분자화와 CBP자체의 분해 내지가용화 현상과 밀접한 관련이 있는 것으로 판단되었다.

• Asian-Australasian Journal of Animal Sciences
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• 제28권11호
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• pp.1558-1564
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• 2015

Cutaneous evaporative heat loss in Bos indicus and Bos taurus has been well documented. Nonetheless, how crossbreds with different fractional genetic proportions respond to such circumstances is of interest. A study to examine the physiological responses to cutaneous evaporative heat loss, also lactation period and milk yield, were conducted in Sahiwal (Bos indicus, n = 10, $444{\pm}64.8kg$, $9{\pm}2.9years$), Holstein Friesian (Bos taurus, HF100% (n = 10, $488{\pm}97.9kg$, $6{\pm}2.8years$)) and the following crossbreds: HF50% (n = 10, $355{\pm}40.7kg$, $2{\pm}0years$) and HF87.5% (n = 10, $489{\pm}76.8kg$, $7{\pm}1.8years$). They were allocated so as to determine the physiological responses of sweating rate (SR), respiration rate (RR), rectal temperature (RT), and skin temperature (ST) with and without hair from 06:00 h am to 15:00 h pm. And milk yield during 180 days were collected at days from 30 to 180. The ambient temperature-humidity-index (THI) increased from less than 80 in the early morning to more than 90 in the late afternoon. The interaction of THI and breed were highly affected on SR, RR, RT, and ST (p<0.01). The SR was highest in Sahiwal ($595g/m^2/h$) compared to HF100% ($227g/m^2/h$), and their crossbreds both HF50% ($335g/m^2/h$) and HF87.5% ($299g/m^2/h$). On the other hand, RR was higher in HF87.5% (54 bpm) and both HF100% (48 bpm) and HF50% (42 bpm) than Sahiwal (25 bpm) (p<0.01). The RT showed no significant differences as a result of breed (p>0.05) but did change over time. The ST with and without hair were similar, and was higher in HF100% ($37.4^{\circ}C$; $38.0^{\circ}C$) and their crossbred HF50% ($35.5^{\circ}C$; $35.5^{\circ}C$) and HF87.5% ($37.1^{\circ}C$; $37.9^{\circ}C$) than Sahiwal ($34.8^{\circ}C$; $34.8^{\circ}C$) (p<0.01). Moreover, the early lactation were higher at HF100% (25 kg) and 87.5% (25 kg) than HF50% (23 kg) which were higher than Sahiwal (18 kg) while the peak period of lactation was higher at HF100% (35 kg) than crossbreds both HF87.5% and HF50% (32 kg) which was higher than Sahiwal (26 kg) (p<0.05). In conclusion, sweating and respiration were the main vehicle for dissipating excess body heat for Sahiwal, HF and crossbreds, respectively. The THI at 76 to 80 were the critical points where the physiological responses to elevated temperature displayed change.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제9권1호
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• pp.12-15
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• 2008

Hafnium oxynitride films have been deposited onto a silicon substrate by means of radio frequency (RF) reactive sputtering using a hafnium dioxide $(HfO_2)$ target with a variety of nitrogen! argon $(N_2/Ar)$ gas flow ratios. Auger electron spectroscopy (AES)results confirm that $N_2$ was successfully incorporated into the HfON films. An increase in the $N_2/Ar$ gas flow ratio resulted in metal oxynitride formation. The films prepared with a $N_2/Ar$ flow ratio of 20/20 sccm show (222), (530), and (611) directions of $HfO_2N_2$, and the (-111), (311) directions of $HfO_2$. From X-ray reflectometry measurements, it can be concluded that with $N_2$ incorporated into the HfON films, the film density increases. The density increases from 9.8 to $10.1g/cm^3$. XRR also reveals that the surface roughness is related to the $N_2/Ar$ flow ratio.

• 한국재료학회지
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• 제11권3호
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• pp.236-242
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• 2001

고속도 공구강 기판에 반응성 스퍼터링법으로 증착된 HfN/Si$_3$N$_4$와 NbN/Si$_3$N$_4$다층박막의 기계적인 성질들을 막 증착 조건에 따라 평가하였다. HfN/Si$_3$N$_4$와 NbN/Si$_3$N$_4$ 다층박막의 강도는 $N_2$/Ar비가 0.4일 때가지 증가하다가 유량비가 증가함에 따라 더 이상 증가하지 않았다. 두 다층박막의 강도는 낮은 온도에서의 열처리에 의해서는 거의 변화가 업지만 80$0^{\circ}C$ 정도의 고온에서는 열처리에 의한 산화로 인하여 감소하였다. 낮은 온도에서의 열처리는 밀착성을 향상시키는 반면 고온에서의 열처리는 강도의 감소 이외에 밀착성이 감소하므로 바람직하지 못하다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 1997년도 춘계연구발표회 논문개요집
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• pp.52-53
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• 1997

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.86-88
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• 2003

Gate 산화막을 high-k 물질인 $HfO_2$ 박막을 이용하여 N-type MOS field effect transistor를 제작하였다. 전극은 poly-Si 전극을 사용하였다. Gate 산화막은 ALD 로 $Hf(N(CH_3)_2)_4$ 원료를 이용하여 $HfO_2$ 박막을 형성하였다. 산화제는 $H_{2}O$ 와 $O_3$ 를 사용하였는데, $H_{2}O$ 가 약간 우수하였으나 그 차이는 크지 않았다. $HfO_2$ 를 증착하기 전에 in-situ 로 $O_3$ 를 흘려 줌으로써 $SiO_2$를 얇게 형성하였는데, 이 결과 threshold voltage 가 약 0.2V 높아지고 saturation current 가 커지는 것이 관찰되었다. 이러한 결과는 $HfO_2$ 박막을 직접 channel 위에 증착하는 것보다 $O_3$ 를 이용 얇은 $SiO_2$ 를 형성하고 그 위에 $HfO_2$ 박막을 증착하는 방법이 transistor의 특성을 향상시키는 데 도움이 된다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
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• pp.551-552
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• 2006

Plasma-induced charging damage was been measured during TaN gate electrode of MISFET(TaN/$HfO_2$/Si) or interconnection metal etching step using large antenna structures. The results of these experiments were obtained that $HfO_2$ gate dielectric layer was affected about plasma charging effects and damage increased with F-N tunneling. Therefore, the etching conditions should be optimized to avoid the defects caused by plasma charging.

• 한국결정학회지
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• 제12권3호
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• pp.182-187
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• 2001

고포화자속밀도 특성을 갖는 Fe-Hf-N 박막의 진공분위기 열처리 시 발생하는 연자기 특성 열화현상을 조사하였다. 열처리 온도는 450℃∼650℃이며, TEM 분석 및 전자회절빔 분석을 통하여 박막의 미세구조와 국부적 미세결정상을분석하였다 450℃에서 600℃까지 열처리한 박막의 연자기 특성은 미세화 되어있는 α-Fe 결정립이 성장함에 따라, 열처리 전에 비해 보자력 이 0.2 Oe 정도 증가하고 유효투자율이 1500 정도 감소하는 것으로 나타났다. 포화자속밀도는 600℃ 이하까지는 0.5 KG 정도 미량 증가하나 650℃에서는 모든 연자기 특성 이 급격하게 떨어졌다. 이러한 열화현상은 650℃ 열처리시 α-Fe격자 내에 존재하던 N이 HfN로 석출됨에 따라, α-Fe 결정립이 급격히 성장하여 박막의 미세구조가 초미세 결정구조를 벗어났기 때문인 것으로 나타났다.

• 한국표면공학회지
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• 제53권2호
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• pp.67-71
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• 2020

For deposition technology using plasma, it plays an important role in improving film deposited with high ionization rate through high density plasma. Various deposition methods such as high-power impulse magnetron sputtering and ion-beam sputtering have been developed for physical vapor deposition technology and are still being studied. In this study, it is intended to control plasma using inductive coupled plasma (ICP) antennas and use properties to improve the properties of Hafnium nitride (HfN) films using ICP assisted magnetron sputtering (ICPMS). HfN film deposited using ICPMS showed a finer grain sizes, denser microstructure and better mechanical properties as ICP power increases. The best mechanical properties such as nanoindentation hardness of 47 GPa and Young's modulus of 401 GPa was obtained from HfN film deposited using ICPMS at ICP power of 200 W.