Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology (한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집)
- 2003.12a
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- Pages.86-88
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- 2003
Gate 산화막으로 $HfO_2$ 박막을 이용하여 제작한 NFET 특성 고찰
Abstract
Gate 산화막을 high-k 물질인
Keywords