In this study, hetero-electrode structures have been fabricated to increase luminescence efficiency. The presence of a thin layer of Sn or Ag at the organic-aluminum interface enhanced both electron injection efficiency and electroluminescence when compared to OLEDs using homogeneous electrode. In this paper, the effect of the cathode using Sn/Al hetero electrode structure is observed. Electric properties of the OLED using Sn/Al hetero cathode are improved in comparison of only Al cathode. The hetero-electrode existing different energy level induces the advanced structure of OLED can accumulate electron density. The luminescence efficiency of OLED with Sn/Al of Ag/Al cathode is higher because of their higher electron injection efficiency. And, the turn on voltage of the OLED device using Sn thin layer is lowest as about 10 V.
In this work, we investigated simple Aㅣ/TCO/a-Si:H(n)/c-Si(p)/Al hetero-junction solar cells prepared by low temperature processes, unlike conventional thermal diffused c-Si solar cells. a-Si:H/c-Si hetero-junction solar cells are processed by low temperature deposition of n-type hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films by plasma-enhanced chemical vapor deposition on textured and flat p-type silicon substrate. A detailed investigation was carried out to acquire optimization and compatibility of amorphous layer, TCO (ZnO:Al) layer depositions by changing the plasma process parameters. As front TCO and back contact, ZnO:Al and AI were deposited by rf magnetron sputtering and e-beam evaporation, respectively. The photovoltaic conversion efficiency under AMI.5 and the quantum efficiency on $1cm^2$ sample have been reported. An efficiency of $12.5\%$ is achieved on hetero-structure solar cells based on p-type crystalline silicon.
표면전위측정 수단을 이용하여 polyethylene terephthalate의 electret 구조를 해명하는 실험을 하였다. 시료에 전극을 증착하므로서 내부의 전하생성과 감쇠를 관측하였다. electret 의 기구에는 hetero charge 와 home charge가 공존하고 있으며 model로 2전하이론을 기반으로 연구하였는데 hetero charge는 쌍극자와 내부의 이온 변위로 되고 hetero charge를 형성하는 것은 외부에서 주입된 전하라고 생각된다.
TCAD 시뮬레이션을 이용하여 소스 영역으로 오버랩된(Overlapped) 게이트를 가진 실리콘(Si), 게르마늄(Ge)과 실리콘-게르마늄(Si-Ge) Hetero 터널 전계효과 트랜지스터(Tunnel Field-Effect Transistor; TFET)의 터널링 전류 특성을 분석하였다. $SiO_2$를 산화막으로 사용한 Si-TFET의 경우에 포인트와 라인 터널링이 모두 나타나서 험프(Hump) 현상이 나타난다. Ge-TFET는 구동전류가 Si-TFET보다 높으나 누설전류가 높고 포인트 터널링이 지배적으로 나타난다. Hetero-TFET의 경우에 구동전류가 높게 나타나고 누설전류는 나타나지 않았으나 포인트 터널링이 지배적으로 나타난다. $HfO_2$를 산화막으로 사용한 Si-TFET의 경우에 라인 터널링의 문턱전압(threshold voltage)이 감소하여 라인 터널링만 나타난다. Ge과 Hetero-TFET의 경우에 포인트 터널링의 문턱전압이 감소하여 포인트 터널링에 의해 동작되며 Ge-TFET는 누설전류가 증가하였고, Hetero-TFET에서 Hump가 나타난다.
A ferredoxin adsorbed hetero self-assembled layer was fabricated on chemically modified Au substrate, 4-Aminothiophenol (4-ATP) was deposited onto Au substrate and then N-succinimidyl-3-[2-pyridyldithio] propionate (SPDP) was adsorbed on the 4-ATP layer, since SPDP was used as a bridging molecule for ferredoxin adsorption, Ferredoxin/SPDP/4-ATP structured hetero layer was constructed because of strong chemical binding of ferredoxin, SPDP, and 4-ATP, The surface of the ferredoxin-adsorbed SPDP/4-ATP layer was observed by scanning tunneling microscopy, The hetero film formation was verified by surface plasmon resonance measurement. The current flow and rectifying property based on the scanning tunneling spectroscopy I-V characteristics was achieved in the proposed hetero layer. Thus, the hetero layer structure of ferredoxin functioned as a molecular diode with rectifying property, The proposed molecular diode can be usefully applied for the development of molecular scale electronic devices.
Protein A molecular thin film was fabricated as a platform of antibody-based biosensor. For the immobilization of the protein A thin film, a viologen multilayer was built up using the Langmuir-Blodgett (LB) technique, and then, protein A was adsorbed on the viologen LB film by an electrostatic interaction force, which was formed as a hetero-film structure. For the deposition of viologen, surface pressure area ($\pi$-A) isotherm was investigated. The fabricated protein A-viologen hetero LB film was investigated using atomic force microscopy (AFM). Using the developed molecular film, antibody immobilization and fluorescence measurement was carried out.
In this paper, the multi-point hydrogen detection system based on the combination of the hetero-core optical fiber SPR hydrogen tip sensor and interrogator by pseudorandom noise (PN) code correlation reflectometry has been developed. In a light intensity-based experiment with an LED operating at 850 nm, it has been presented that a transmitted loss change of 0.32dB was induced with a response time of 25 s for 4% $H_2$ in $N_2$ in the case of the 25-nm Au, 60-nm $Ta_2O_5$, and 5-nm Pd multi-layers film. The proposed sensor characteristic shows excellent reproducibility in terms of loss level and time response for the in- and out- $H_2$ action. In addition, in the experiment for multi-point hydrogen detection, all sensors show the real-time response for 4% hydrogen adding with reproducible working. As a result, the real-time multi-point hydrogen detection could be realized by means of the combination of interrogating system and hetero-core optical fiber SPR hydrogen tip sensors.
본 연구에서는 PSC 구조물의 프리스트레스를 직접적으로 평가하기 위해 헤테로코어 광섬유를 활용하여 콘크리트의 변형량 계측을 기반으로 하는 새로운 센서모듈을 제안하고 성능실험을 수행하였다. 헤테로코어 광섬유는 전송로의 특정 부분이 구부러지면 광 손실이 발생하며, 곡률의 크기에 따라 광 손실량이 선형적으로 변한다. 센서모듈의 계측 성능과 광섬유의 적용성을 확인하기 위해 센서모듈에 변형을 발생시키며 광섬유를 통과하는 빛을 전력으로 변환하여 측정하였다. 센서모듈을 매립시킨 지름 15cm, 높이 35cm의 원주형 콘크리트 공시체에 최대 변형량 0.5mm을 0.12mm/min의 속도로 발생시키는 동안 광섬유를 통과한 빛은 변형과의 관계에서 0.9333의 선형성을 가지는 것을 확인할 수 있었다. 이번 실험의 결과를 통해 헤테로코어형 광섬유를 활용한 센서모듈을 구조물에 매립하여 콘크리트 압축변형량 계측을 통해 PSC 구조물의 프리스트레스를 직접적으로 평가하는 것이 가능할 것으로 판단되며, 앞으로 진행될 PSC 부분 거더 모델 실험에 적용할 쉬스관 일체형 센서모듈 개발에 유용한 자료로 활용될 수 있을 것으로 판단된다.
$BiFeO_3$ films grown on (111) $SrTiO_3$ substrate have a rhombohedral structure, identical to that of single crystals. On the other hand, films grown on (110) or (001) $SrTiO_3$ substrate are monoclinically distorted from the rhombohedral structure due to the epitaxial constraint. The easy axis of spontaneous polarization is close to [111] for the variously oriented films. Dramatically enhanced polarization and magnetization have been found for hetero-epitaxially grown $BiFeO_3$ thin films comparing to that of $BiFeO_3$ crystals. The results are explained in terms of an epitaxially-induced transition between cycloidal and homogeneous spin states, via magneto-electric interactions.
Hetero-dimer anions of naphthalene (Np), anthracene (An), phenanthrene (Ph) and pyrene (Py) were investigated using the time-of-flight mass spectrometer (TOF-MS), anion photoelectron spectroscopy (PES) and theoretical calculation. There are two possible geometries with their electron affinity (EA) difference: parallel displaced (PD) and T-shaped. Dispersion force plays a key role in PD structure with the formation of a new anionic core while ${\pi}$-hydrogen interaction plays a key role in T-shaped structure with the monomer anionic core. The optimized structures and charge distributions can simply be explained by the relative difference of EA.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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