Choe, Byung Hak;Lee, Bum Gyu;Jang, Hyeon Su;Park, Chan Sung;Kim, Jin Pyo;Park, Nam Gyu;Kim, Cheong In;Kim, Bo Mi
Korean Journal of Materials Research
/
v.27
no.8
/
pp.431-437
/
2017
This study investigated the surface pit corrosion of SS420J2 stainless steel accompanied by intergranular crack. To reveal the causes of surface pits and cracks, OM, SEM, and TEM analyses of the microstructures of the utilized SS420J2 were performed, as was simulated heat treatment. The intergranular cracks were found to have been induced by a grain boundary carbide of $(Cr,Fe)_{23}C_6$, which was identified by SEM/EDS and TEM diffraction analyses. The mechanism of grain boundary sensitization occurred at the position of the carbide, followed by its occurrence at the Cr depleted zone. The grain boundary carbide of $(Cr,Fe)_{23}C_6$ type precipitated during air cooling condition after a $1038^{\circ}C$ solid solution treatment. The carbide precipitate formation also accelerated at the band structure formed by cold working. Therefore, using manufacturing processes of cooling and cold working, it is difficult to protect SS420J2 stainless steel against surface pit corrosion. Several counter plans to fight pit corrosion by sensitization were suggested, involving alloying and manufacturing processes.
Na, Min Young;Lee, Seung-Mo;Kim, Do Hyang;Chang, Hye Jung
Applied Microscopy
/
v.45
no.1
/
pp.23-31
/
2015
Dark field (DF) transmission electron microscopy image has become a popular characterization method for two-dimensional material, graphene, since it can visualize grain structure and multilayer islands, and further provide structural information such as crystal orientation relations, defects, etc. unlike other imaging tools. Here we present microstructure of graphene, particularly, using DF imaging. High-angle grain boundary formation wass observed in heat-treated chemical vapor deposition-grown graphene on the Si substrate using patch-quilted DF imaging processing, which is supposed to occur by strain around multilayer islands. Upon the crystal orientation between layers the multilayer islands were categorized into the oriented one and the twisted one, and their local structure were compared. In addition information from each diffraction spot in selected area diffraction pattern was summarized.
Journal of the Korean Society of Industry Convergence
/
v.6
no.4
/
pp.299-305
/
2003
This research is for the relationship with heat treatment cooling temprature and the characteristic of Mechanical properties of Boron-Addition-Steel, the main material and SM25C steel, the sub material, structure viewing fractography, hardness test, tensite test and are carried out after the manufacturing small-specimen treated with heat of $750^{\circ}C$, $850^{\circ}C$, $1050^{\circ}C$. The influence to the Mechanical properties accompanied by AISI51B20, Boron-Addition-steel shows the following result. 1. The influenc of heat treatment by the content of cabon-steel is dominant. Addition of boron result is Strengthening structure effectively by segregation and improving over all mechanical characters such as good. it results from the increase of temacity by the stability of inter granular with improvement of harden-ability. 2. Boron-Addition-Steel exist in the from of martensite structure accompanied by the ferrite precipitition centering around grain boundary, and is improved to Hv 200. 3. The height of harden-ability and fatigue stress the influence of heat results from crystal structure of martensite by difference of strength level in the structure of ferrite and doesn't have am effect on sensibility of temperature, and turns out to defend on production and growth of Matrix-structure-factor.
Degradation of thin oxide by doped poly-Si and its improvement were studied. The gate oxide can be degraded by phosphorous in poly-Si doped POCl3. The degradation is increased with the decrement of sheet resistance and poly-Si thickness. Oxide failures of amorphous-Si are higher than those of poly-Si. In-situ double deposition of amorphous-Si, 54$0^{\circ}C$/30 nm, and poly-Si, 6$25^{\circ}C$/220 nm, forms the mismatch structure of grain boundary between amorphous-Si and poly-Si, and suppresses the excess phosphorous on oxide surface by the mismatch structure. The control of phosphorous through grain boundary improves the oxide reliability.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
/
v.45
no.4
/
pp.568-573
/
1996
The amorphous silicon films deposited by low pressure chemical vapor deposition are crystallized by the various annealing techniques including low-temperature furnace annealing and two-step annealing. Two-step annealing is the combination of furnace annealing at 600 [.deg. C] for 24 h and the sequential furnace annealing at 950 [.deg. C] 1h or the excimer laser annealing. It s found that two-step annealings reduce the in-grain defects significantly without changing the grain boundary structure. The performance of the poly-Si thin film transistors (TFTs) produced by employing the tow-step annealing has been improved significantly compared with those of one-step annealing. (author). 13 refs., 6 figs., 1 tab.
Purpose: The age-hardening mechanism of an Au-Ag-Cu-Pt-Zn alloy for crown and bridge fabrication was investigated by means of hardness test, X-ray diffraction study and field emission scanning electron microscopic observation. Methods: Before hardness testing, the specimens were solution treated and then were rapidly quenched into ice brine, and were subsequently aged isothermally at $400-450^{\circ}C$ for various periods of time in a molten salt bath and then quenched into ice brain. Hardness measurements were made using a Vickers microhardness tester. The specimens were examined at 15 kV using a field emission scanning electron microscope. Results: By the isothermal aging of the solution-treated specimen at $450^{\circ}C$, the hardness increased rapidly in the early stage of aging process and reached a maximum hardness value. After that, the hardness decreased slowly with prolonged aging. However, the relatively high hardness value was obtained even with 20,000 min aging. By aging the solution-treated specimen, the f.c.c. Au-Ag-rich ${\alpha}_0$ phase was transformed into the Au-Ag-rich ${\alpha}_1$ phase and the AuCu I ordered phase. Conclusion: The hardness increase in the early stage of aging process was attributed to the formation of lattice strains by the precipitation of the Cu-rich phase and then subsequent ordering into the AuCu I-type phase. The decrease in hardness in the later stage of aging process was due to the release of coherency strains by the coarsening of tweed structure in the grain interior and by the growth and coarsening of the lamellar structure in the grain boundary. The increase of inter-lamellar space contributed slightly to the softening compared to the growth of lamellar structure toward the grain interior.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
/
v.40
no.7
/
pp.670-674
/
1991
This paper presents the material properties of LPCVD silicon films formed using Si2H6 gas at various deposition temperatures. To study the structural properties depending on the deposition temperature, XRD, EBD and TEM analyses were used. The maximum grain size in this experiment was obtained at the deposition temperature of 485ø C. It is discussed that LPCVD films formed below the deposition temperature of 485ø C are promising for low temperature TFT applications. The enhancement of the film characteristics results from the reduction of grain boundary density. We also observed that the film properties of Si2H6 at 600ø C was quite different from those of Si H4 at 600ø C. It has shown that the grain structure from a TEM analysis was elliptical and not dependent on the deposition temperature.
Journal of the Korea Institute of Military Science and Technology
/
v.2
no.1
/
pp.183-193
/
1999
Semiconducting (Sr0.85Ca0.15)TiO3 ceramics were prepared by conventional powder synthesis techniques, and then alkaline metallic cations were diffused into the ceramic bodies. The threshold voltage of the ceramics increases with increasing diffusion time and the amount of diffused materials. The ceramics had boundary potential heights of 0.01 ~ 2.89 eV, while their boundary resistance ranged from 2.2 $M{\Omega}$ to 120.4 $M{\Omega}$. Such electrical characteristics of the boundaries were correlated with the boundary structure of the ceramics obtained by transmission electron microscopy.
In this paper, the specimens-($Ba_{0.997}$ L $a_{0.003}$)Ti $O_{3}$ + xTi $O_{2}$, x=0.005, 0.01, 0.02, 0.03[mol]- were fabricated by a solid-state reaction method which is easy in microstructure control and good in mass production. Their crystalline structures and microstructures were analysed, and electrical properties were investigated. The perovskite-crystalline structure is confirmed by XRD, and it is exhibited by SEM that the grain grows with an addition of Ti $O_{2}$. Resistivity decreases with increasing sinteiing temperature, and the specimen of ($Ba_{0.997}$ L $a_{0.003}$)Ti $O_{3}$ + 0.02Ti $O_{2}$ sintered at 1350.deg. C shows the best PTC effects. The complex impedance plots exhibit the serial equivalent circuit of ( $R_{gb}$ / $C_{gb}$ ) and $R_{g}$ it is realized that PTC effect is attributed to the resistivity of grain boundary.ary.y.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
/
v.50
no.11
/
pp.539-543
/
2001
ln this paper, the $Sr_{l-x}Ca_xTiO_3(0\leqx\leq0.2)-based$ grain boundary layer ceramics were fabricated to measure dielectric properties with the sintering temperature and the thermal treatment time. The sintering temperature and time were $1420~15206{\circ}C$, 4hours, and the thermal treatment temperature and time of the specimen were $l150^{\circ}C$, 1, 2, 3hours, respectively. The structural and the dielectric properties were investigated by SEM, X-ray, HP4194A and K6517. The average grain size was increased with increasing the sintering temperature, but it decreased up to 15mo1% with increasing content of Ca. X-ray diffraction analysis results showed that all specimens were the cubic structure, and the main peaks were moved to right and the lattice constant were decreased with increasing content of Ca. The appropriate thermal treatment time and temperature of CuO to obtain dielectric properties of $\varepsilon_r>50000,\; tan \delta<0.05\; and \;\DeltaC<\pm10%$ were 2hrs and $l150^{\circ}C$, respectively.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.