InGaP/GaAs HBT 적용을 위한 높은 절연강토의$1000{\AA}$ 실리콘 질화막 MIM capacitor제작과 특성 분석
(Analysis of Properties and Fabrication of $1000{\AA}$ silicon nitride MIM capacitor with High Breakdown Electric Field for InGaP/GaAs HBT Application)
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- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
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- pp.693-696
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- 2004