• International Journal of Contents
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• 제7권2호
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• pp.59-63
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• 2011

The aim of our study was to evaluate the immediate effects of an 830-nm Aluminium gallium arsenide (GaAlAs) laser, by examining the changes, in pressure-pain threshold (PPT) and tenderness at 3 kg of the myofascial trigger point (MTrP) of the upper trapezius muscle in visual display terminal (VDT) workers in comparison with placebo treatment. Thirty VDT workers (13 males, 17 females) with complaints of upper trapezius muscle were recruited. All participants were given either active GaAlAs laser (830 nm wavelength, 450 mW, 9 J at point) or placebo GaAlAs laser, according to the double-blinded and placebo-controlled trial. Both active and placebo low-level laser therapy (LLLT) treatments showed no significant effect on PPT and tenderness at 3 kg. These results suggest that a higher dosage may be necessary to produce immediate effects when applying LLLT to the MTrP of relatively large muscles such as the upper trapezius muscle.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권1호
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• pp.12-17
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• 1998

The heteroepitaxial growth of InP and GaInAs on GaAs substrates has been studied by using a new combination of source materials: ethyldimethylindium (EDMIn) and trimethylgallium (TMGa) as group III sources, and tertiarybutylarsine (TBAs) and tertiarybutylphosphine (TBP) as group V sources. Device quality InP heteroepitaxial layers were obtained by using a two-step growth process under atmospheric pressure, involving a growth of an initial nucleation layer at low temperature followed by high temperature annealing and the deposition of epitaxial layer at a growth temperature. The continuity and thickness of nucleation layer were important parameters. The InP layers deposited at 500$^{\circ}$- 55$0^{\circ}C$ are all n-type, and the electron concentration decreases with decreasing TBP/EDMIn molar ratio. The excellent optical quality was revealed by the 4.4 K photoluminescence (PL) measurement with the full width at half maximum (FWHM) of 4.94 meV. Epitaxial Ga\ulcorner\ulcorner\ulcornerIn\ulcorner\ulcorner\ulcornerAs layers have been deposited on GaAs substrates at 500$^{\circ}$ - 55$0^{\circ}C$ by using InP buffer layers. The composition of GaInAs was determined by optical absorption measurements.

• 한국임상수의학회지
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• 제19권3호
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• pp.316-321
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• 2002

The purpose of this study was to examine the effect of Ga-As(Gallium-Arsenide, wave length; 904 nm) infrared laser irradiation on healing of the experimentally crush injured rat sciatic nerves. The bilateral sciatic nerves of 43 adult male Sprague-Dawley rats were compressed surgically with a straight hemostat (1 mm width). The right legs of all the rats were irradiated using a 27 mW Ga-As infrared laser (laser irradiated group). The radiation procedure was administered for 3 minutes every day for 1, 3, 5, and 7 weeks in each group. Left legs were not irradiated and served as the control group. The numbers of total myelinated axon and degenerated myelin in the sciatic nerves of bilateral legs were measured and analyzed with mage analysis system in order to make a morphological analysis of the effect of the Ga-As infrared laser on injured nerves. Total number of myelinated axons was increased with time interval, especially in the 1, 3. and 5 week of irradiated group. Conversely, the number of degenerated myelin was decreased with time interval, especially in the irradiated group. The effects in the irradiated group were more pronounced than those of the control group. In conclusion, the Ga-As infrared laser irradiation is a useful adjuvant therapy to the regeneration of the peripheral nerve injury.

• 한국재료학회지
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• 제16권10호
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• pp.652-655
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• 2006

A direct wafer bonding process necessary for GaAs-on-insulator (GOI) fabrication with high thermal annealing temperatures was studied by using PECVD oxides between gallium arsenide and silicon wafers. In order to apply some uniform pressure on initially-bonded wafer pairs, a graphite sample holder was used for wafer bonding. Also, a tool for measuring the tensile forces was fabricated to measure the wafer bonding strengths of both initially-bonded and thermally-annealed samples. GaAs/$SiO_2$/Si wafers with 0.5-$\mu$m-thick PECVD oxides were annealed from $100^{\circ}C\;to\;600^{\circ}C$. Maximum bonding strengths of about 84 N were obtained in the annealing temperature range of $400{\sim}500^{\circ}C$. The bonded wafers were not separated up to $600^{\circ}C$. As a result, the GOI wafers with high annealing temperatures were demonstrated for the first time.

• 생명과학회지
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• 제26권11호
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• pp.1308-1312
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• 2016

갈륨은 갈륨비소와 같은 고속 반도체 제작에 사용되는 금속간 화합물 중 하나이다. 본 연구의 목적은 금붕어(Carassius auratus)에 갈륨을 적용 시 일어나는 혈청의 생화학 변수, 급성독성 및 적혈구 형태의 변화에 대해 알아보고자 한다. $LC_{50}$은 96시간 째 갈륨 농도 9.15 mg/ml로 나타났다. 갈륨을 농도별(2.0, 4.0, 8.0 mg/ml)로 금붕어에 노출시켜 28일 동안 독성실험을 하였다. 독성실험 결과 혈청의 생화학(글루코즈, 혈액요소질소, 크레아티닌, 콜레스테롤 및 중성지질)반응에서 갈륨 미처리 그룹과 다른 결과가 나타났다. 갈륨의 노출에 따른 적혈구의 변형으로 인한 호흡장애를 유발하는 것으로 사료된다. 실험에 사용된 금붕어와의 동일한 크기에 갈륨을 적용할 때 생물학적으로 안전한 농도는 2.0 mg/ml로 사료된다.

• 한국진공학회지
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• 제22권1호
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• pp.37-44
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• 2013

본 연구에서는 양자점(quantum dot, QD)에서의 전하트랩이 태양전지의 특성에 미치는 영향을 조사하기 위하여, GaAs 모체 태양전지(MSC)의 활성층에 InAs/GaAs QD을 삽입한 $p^+-QD-n/n^+$ 태양전지(QSC)를 제작하여 그 특성을 비교 조사하였다. Stranski-Krastanow (SK)와 준단층(quasi-monolayer, QML)의 2종류 QD를 도입하였으며, 표준 태양광(AM1.5)에서 얻은 전류-전압 곡선으로부터 태양전지의 특성인자(개방전압($V_{OC}$), 단락전류($I_{SC}$), 충만도(FF), 변환효율(CE))를 결정하였다. SK-QSC의 FF값은 80.0%로 MSC의 값(80.3%)과 비슷한 반면, $V_{OC}$와 $J_{SC}$는 각각 0.03 V와 $2.6mA/cm^2$만큼 감소하였다. $V_{OC}$ 및 $J_{SC}$ 감소 결과로 CE는 2.6% 저하되었는데, QD에 의한 전하트랩이 주요 원인으로 지적되었다. 전하트랩을 완화시키기 위한 구조로서 QML-QD 기반 태양전지를 본 연구에서 처음 시도하였으나, 예측과는 달리 부정적 결과를 보였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제30권6호
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• pp.467-478
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• 2019

본 논문에서는 전자전용 재밍 송신기에 사용하기 위해서 개발된 광대역 평면형 능동위상배열 안테나 시스템의 설계 및 제작 그리고 측정 결과를 소개한다. 설계된 시스템은 $45^{\circ}$ slant 광대역 복사소자를 $8{\times}8$ 삼각 배열 구조로 배치하고, 광대역 GaN 반도체 고출력 증폭기와 GaAs 다기능집적회로(MFC)를 적용한 64개의 송신 채널을 구성하여 개발하였다. GaAs다기능집적회로는 광대역에서 빔 편이 현상을 피하기 위한 실시간 지연소자, 디지털 감쇠기 그리고 GaAs 구동증폭기를 포함하고 있어서 송신 빔 조향을 할 수 있으며, 시스템의 전자적 빔 조향 범위는 방위각/고각 방향으로 각각 ${\pm}45^{\circ}/{\pm}25^{\circ}$ 범위에서 가능하다. 개발된 시스템의 송신 빔 패턴 성능을 확인하기 위해 근접 전계 시험 시설을 이용하였다. 전자전용 송신 시스템 빔 패턴 측정 결과, 시스템의 유효방사출력은 목표성능(P) 대비 최대 9.8 dB 이상을 만족하였고, 방위각/고각 방향으로 각각 ${\pm}45^{\circ}/{\pm}25^{\circ}$ 빔 조향 결과 요구성능에 만족함을 확인하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제13권5호
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• pp.247-253
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• 2003

본 연구에서는 반응기의 유입 확대부의 형상이 반응기 내의 유동 및 증착특성에 미치는 영향을 연구하기 위하여 수평형 MOCVD 반응기에서 TMGa와 $AsH_3$로부터의 GaAs 증착에 관한 수치적 연구를 수행하였다. 두 개의 기하학적인자(확대각, 확대부 형상)가 증착률, 증착률 균일도. 유속 균일도, 압력강하에 미치는 영향을 연구하였다 웨이퍼 위에서의 증착률 균일도, 평균증착률, 유속 균일도를 고려한 결과, 직선형 확대부의 최적 확대각은 $50^{\circ}$∼$55^{\circ}$이며 포물선형 확대부의경우, $40^{\circ}$∼$45^{\circ}$이다. 또한 확대부의 확대각의 변화는 평균증착률 보다 증착률의 균일도에 큰 영향을 미치고 있음을 알 수 있으며 직선확대부보다 포물선형의 확대부에서 더 민감하게 나타남을 알 수 있었다.

• The Journal of Korean Physical Therapy
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• 제15권3호
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• pp.239-250
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• 2003

This study was performed to investigate the effect of low power laser irradiation on Substance P(SP) expression in the burned skin of the rats. Burns of about 3cm in diameter were created with $75^{\cric}C$ water on the back of the rats, and the lesion of experimental group were irradiated on days 1, 2, 3 and 4 postwounding. Control leasions were not irradiated. After burns, low power laser irradiation was applied by using 1000Hz, 830nm GaAlAs(Gallium-aluminum-arsenide) semiconductor diode laser. The expression of evaluated Substance P(SP) immunohistochemistry on rabbit anti-SP The results of this study wereas follows 1. The Substance P was expressed in the lamina I and II of dorsal horn of spinal cord. In expression of SP, the lesion of control group made SP to more induce significantly than experimental leasions. 2. SP immunoreactivity in burned leasion of spinal cord were decreased markedly 4 days after burns, and decreased gradually from 1 day to 2 days in burns which is laser irradiation These data suggest that low power laser have a pain release effect in the burned skin of the rats.

• 한국결정성장학회지
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• 제5권4호
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• pp.306-317
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• 1995

수평 브릿지만법은 갈륨 비소 반도체 결정을 성장시키는데 많이 사용된다. 수평 브릿지만 법에 의하여 성장된 단결정 내에서 불순물 분포를 알아보기 위하여 성장 과정 중의 액상에서 열전달, 물질전달, 유체흐름과 고상에서 열전달을 의사 정상상태를 가정하여 2차원 및 3차원 모델을 세우고 유한요소법에 의하여 수치모사하였다. 이때 고-액 계면의 위치와 형태도해의 일부분으로 다른 해들과 동시에 구하였다. 2차원 단열 경계조건에서는 3차원의 계면이 2차원의 경우보다 덜 휘어졌고, 대류 강도는 비슷하였다. 대류강도의 증가에 따라 수직 편석은 최대값을 보였으나 계면이 2차원에서 더 휘어져 최대값은 2차원에서 대류 강도가 더 작을 때 나타났다.