• 한국ITS학회 논문지
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• 제10권1호
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• pp.42-48
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• 2011

본 논문에서는 GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor) bare-chip을 이용하여 X-대역에서 수동로드 풀(Passive load-pull)을 수행하였다. 열로 인한 특성 변화가 최소화 된 동작 조건을 얻기 위해 드레인 바이어스 전압과 입력 RF 신호를 펄스로 인가하였다. 전자기장 시뮬레이션과 회로 시뮬레이션을 병행하여, 와이어 본딩 효과를 고려하여 드레인 경계면에서의 정확한 임피던스 정합 회로를 구현하였다. 임피던스를 변화시키기 위해 마이크로스트립 라인 스터브의 길이가 조절 가능한 회로를 설계하였다. 펄스 로드 풀 실험 결과 8.5 GHz에서 9.2 GHz 대역에서 최대 42.46 dBm의 출력 전력을 얻었으며, 58.7%의 드레인 효율 특성을 얻었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.278-278
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• 2016

Solution-processed metal-oxide semiconductors have been considered as the next generation semiconducting materials for transparent and flexible electronics due to their high electrical performance. Moreover, since the oxide semiconductors show high sensitivity to light illumination and possess persistent photoconductivity (PPC), these properties can be utilized in realizing optical memory devices, which can transport information much faster than the electrons. In previous works, metal-oxide semiconductors are utilized as a memory device by using the light (i.e. illumination does the "writing", no-gate bias recovery the "reading" operations) [1]. The key issues for realizing the optical memory devices is to have high photoconductivity and a long life time of free electrons in the oxide semiconductors. However, mono-layered indium-zinc-oxide (IZO) and mono-layered indium-gallium-zinc-oxide (IGZO) have limited photoconductivity and relaxation time of 570 nA, 122 sec, 190 nA and 53 sec, respectively. Here, we boosted up the photoconductivity and relaxation time using a double-layered IZO/IGZO active layer structure. Solution-processed IZO (top) and IGZO (bottom) layers are prepared on a Si/SiO2 wafer and we utilized the conventional thermal annealing method. To investigate the photoconductivity and relaxation time, we exposed 9 mW/cm2 intensity light for 30 sec and the decaying behaviors were evaluated. It was found that the double-layered IZO/IGZO showed high photoconductivity and relaxation time of 28 uA and 1048 sec.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.262-262
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• 2016

최근 고해상도 디스플레이가 주목받으면서 기존 비정질 실리콘(a-Si)을 대체할 수 있는 재료에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. a-Si의 경우 간단한 공정 과정, 적은 생산비용, 대면적화가 가능하다는 장점이 있지만 전자 이동도가 매우 낮은 단점이 있다. 반면, 산화물 반도체는 비정질 상태에서 전자 이동도가 높으며 큰 밴드갭을 가지고 있어 투명한 특성을 나타낼 뿐만 아니라, 저온공정이 가능하여 기판의 제한이 없는 장점을 가지고 있다. 대표적으로 가장 널리 연구되고 있는 산화물 반도체는 a-IGZO(amorphous indium-gallium-zinc oxide)이다. 그러나 InZnO(IZO) 기반의 산화물 반도체에서 carrier suppressor 역할을 하는 Ga(gallium)은 수요에 대한 공급이 원활하지 못하여 비싸다는 단점이 있다. 그러므로 경제적이면서 a-IGZO와 유사한 전기적 특성을 나타낼 수 있는 suppressor 물질이 필요하다. 따라서 본 연구에서는 IZO 기반의 산화물 반도체에서 Ga을 Hf(hafnium), Zr(zirconium), Si(silicon)으로 대체하여 용액증착(solution-deposition) 공정으로 각각의 채널층을 형성한 back-gate type의 박막 트랜지스터(thin-film transistor, TFT) 소자를 제작하였다. 용액증착 공정은 물질의 비율을 자유롭게 조절할 수 있고, 대기압의 조건에서도 공정이 가능하기 때문에 짧은 공정시간과 저비용의 장점이 있다. 제작된 소자는 p-type Si 위에 게이트 절연막으로 100 nm의 열산화막이 성장된 기판을 사용하였다. 표준 RCA 클리닝 후에 각 solution 물질을 spin coating 방식으로 증착하였다. 이후, photolithography, develop, wet etching의 과정을 거쳐 채널층 패턴을 형성하였다. 또한, 산화물 반도체의 전기적 특성을 향상시키기 위해서 후속 열처리 과정(post deposition annealing, PDA)은 필수적이다. CTA 방식은 높은 열처리 온도와 긴 열처리 시간의 단점이 있다. 따라서, 본 연구에서는 $100^{\circ}C$ 이하의 낮은 온도와 짧은 열처리 시간의 장점을 가지는 MWI (microwave irradiation)를 후속 열처리로 진행하였다. 그 결과, 각 물질로 구현된 소자들은 기존 a-IGZO와 비교하여 적은 양의 carrier suppressor로도 우수한 전기적 특성 및 안정성을 얻을 수 있었다. 따라서, Si, Hf, Zr 기반의 산화물 반도체는 기존의 Ga을 대체하여 저비용으로 디스플레이를 구현할 수 있는 IZO 기반 재료로 기대된다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제26권2호
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• pp.165-170
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• 2015

본 논문에서는 GaAs 기반 저잡음 증폭기가 사용되고 있는 레이더 수신기의 잡음지수를 낮추고, 저잡음 증폭기의 강인성(robustness)을 위하여 GaN HEMT 기반의 저잡음 증폭기를 설계하고 측정하였다. GaAs 기반의 저잡음 증폭기를 사용하는 레이더 수신기의 경우, 맨 앞단에 저잡음 증폭기를 보호하기 위한 리미터(limiter)가 필요하고, 이는 레이더 수신기 전체 잡음지수를 나빠지게 한다. 본 연구에서 측정한 GaN 기반 저잡음 증폭기의 잡음지수는 2 dB 이하로 측정되었다. 상용화된 GaAs 기반 저잡음 증폭기의 경우, 최대 입력 전력은 약 30 dBm인 반면 본 연구에서는 입력 전력이 43 dBm일 때 소자가 번아웃(burn-out)되었고, 전류 제한 모드로 동작시킬 경우 45.4 dBm에서도 강인성이 보장되었다.

• 대한핵의학회지
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• 제23권1호
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• pp.27-33
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• 1989

The relationship between angiographic findings and those of $^{67}Ga$ scan was evaluated in 30 patients with primary hepatocellular carcinoma diagnosed by either pathological examination or laboratory, radiologic findings. Twenty-three cases revealed hot activities on $^{67}Ga$ scan and definite tumor stains on angiography. Main findings of $^{67}Ga$ scans of 7 cases were isoactivity in 5 and cold area in 2, 5 of which revealed faint or no tumor stain on angiography. Cold areas within the primary hepatocellular carcinoma were noted in 9 cases by $^{67}Ga$ scan. In 6 cases these were due to tumor necrosis. Remaining 3 cases had arterioportal shunt, portal vein thrombosis and one had necrosis as well. These results indicate that gallium uptake of primary hepatocellular carcinoma seems to be relatively correlated with tumor stains on angiography. It is well known that the necrotic portion of primary hepatocellular carcinoma does not uptake gallium and it's the main cause of cold areas on $^{67}Ga$ scan. And we suspect that the hemodynamic changes of primary hepatocellular carcinoma such as large arterioportal shunt, portal vein thromosis may cause the decreased activity on $^{67}Ga$ scan.

• Childhood Kidney Diseases
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• 제5권1호
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• pp.73-77
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• 2001

국소성 세균성 신엽염(nephronia focal bacterial nephritis 신엽염)이라는 명칭은 1979년 Rosenfeld 등에 의해 처음 소개되었다. 국소성 세균성 신엽염은 여러 문헌에서 "Nephronia" 라는 용어로 동일하게 불렸는데, 이는 마치 흉부 촬영에서 보이는 대엽성 폐렴과 유사한 형태로 신장의 한 두 분절에만 국한되어 침범하는 방사선적인 소견을 보이기 때문이다. 본 보고자들은 항생제 치료에도 불구하고 증상호전이 현저하지 못한 요로감염 소견을 보인 생후 4개월 남아에서 방사선적 검사상 신엽염의 전형적인 소견을 보인 증례를 경험하였기에 문헌고찰과 함께 보고하고자 한다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제33권5호
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• pp.427-431
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• 2020

In this research, we evaluated the electrical properties of polycrystalline-gallium-oxIde (Ga₂O₃) thin films grown by mist-CVD. A 500~800 nm-thick Ga₂O₃ film was used as a channel in a fabricated bottom-gate MOSFET device. The phase stability of the β-phase Ga₂O₃ layer was enhanced by an annealing treatment. A Ti/Al metal stack served as source and drain electrodes. Maximum drain current (I_D) exceeded 1 mA at a drain voltage (V_D) of 20 V. Electron mobility of the β-Ga₂O₃ channel was determined from maximum transconductance (g_m), as approximately, 1.39 ㎠/Vs. Reasonable device characteristics were demonstrated, from measurement of drain current-gate voltage, for mist-CVD-grown Ga₂O₃ thin films.

• The Journal of Korean Physical Therapy
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• 제9권1호
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• pp.89-96
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• 1997

The purpose of this study was to determine the effect of Ga-Al-As (Gallium-Aluminum-Arsenid) laser radiation on the tail-flick latency in rat. Thirty Sprague-Dawley male and female rats Were divided into five groups : that is control, laser 15sec radiation, laser 30sec radiation, laser 60sec radiation, and Tramadol Hcl injection groups. The continuous Ga-Al-As laser with, wave length 780-830nm and diameter of probe in the 3mm, averse output of 100mw radiation was applied to the meridian point(Gv 1 : Governing vessel) of the rats. Tail-flick latency were measured with hot plate at $55^{\circ}C$ : before treatment and immediately, 30 minutes, 1 hour, 2 hours, 24 hours, 24 hours and 48 hours after treatment. The result were as follows ; 1. The tail-flick latency according to time varition, control group was not significance. 2. The tail-flick latency according to time varition, laser 15 sec irradiate rats in post-treared was significance(P<0.05). 3. The tail-flick latency according to time varition, laser 30 sec irradiate rats group was not significance. 4. The tail-flick latency according to time varition, laser 60 sec irradiate rats in post 30 minute was significance(P<0.05). 5. The tail-flick latency according to time varition, Tramadol Hcl injection rats in post-treated (P<0.05), post 30 minute(P<0.05), post 60 minute (P<0.01) and 2 hour(P<0.05) was significance. This study suggest that Ga-Al-As (Gallium-Aluminum-Arsenid) laser applied to meridian point of the rat with 15 sec, 30 sec, and 60 set radiation could induc no analgesic effect, but Tramadol Hcl injection rat is good analgesic effect.

• 한국재료학회지
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• 제24권4호
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• pp.214-220
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• 2014

In this research, a precipitation method was used to synthesize ${\beta}-Ga_2O_3$ powders with various particle morphologies and sizes under varying precipitation conditions, such as gallium nitrate concentration, pH, and aging temperature, using ammonium hydroxide and ammonium carbonate as precipitants. The obtained powders were characterized in detail by XRD, SEM, FT-IR, and TG-DSC. From the TG-DSC result, GaOOH phase was transformed to ${\beta}-Ga_2O_3$ at around $742^{\circ}C$, and weight loss percent was about 14 % when $NH_4OH$ was used as a precipitant. Also, ${\beta}-Ga_2O_3$ formed at $749^{\circ}C$ and weight loss percent was about 15 % when $(NH)_2CO_3$ was used as a precipitant. XRD results showed that the obtained $Ga_2O_3$ had pure monoclinic phase in both cases. When $(NH)_2CO_3$ was used as a precipitant, the particle shape changed and became irregular. The range of particle size was about $500nm-4{\mu}m$ based on various concentrations of gallium nitrate solution with $NH_4OH$. The particle size was increased from $1-2{\mu}m$ to $3-4{\mu}m$ and particle shape was changed from spherical to bar type by increasing aging temperature over $80^{\circ}C$.

• 한국진공학회지
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• 제20권4호
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• pp.271-275
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• 2011

본 논문은 고휘도 발광소자의 특성을 높이기 위한 p-GaN 박의 홀농도 향상을 연구하였다. 우리는 metal organic chemical vapor deposition 법을 이용하여 Antimony (Sb)가 p-GaN의 홀농도 향상에 도움을 주는 것을 확인하였다. Atomic force microscope 측정을 통해 Sb가 계면활성제처럼 역할을 함으로써 p-GaN의 2차원 성장이 촉진됨을 알 수 있었다. 또한 X-ray diffraction 결과 [002] 면과 [102] 면의 반폭치가 Sb 도핑과 함께 줄어드는 것을 통해 Edge과 Screw 전위의 감소와 photoluminescence 결과에서 450~500 nm 청색 파장 영역에서 발광의 세기가 현저히 줄어드는 것으로 보아 질소 공극이 감소되는 것이 홀농도 향상의 주된 원임임을 알 수 있었다. Trimethylantimony가 10 ${\mu}mol/min$일 때 홀농도는 최대가 되었고 그때 홀농도는 $5.4{\times}10^{17}cm^{-3}$이었다.