• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2001년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.25-28
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• 2001

In this paper, we have investigated the effects of gas flow rate, rf power, process pressure and Ar addition on reactive ion etching of InP, InGaAs and InAlAs using Sic14 and Cl$_2$ gases. The etch rates were measured by using a surface profiler. The etched profiles, sidewall roughness, and surface morphology were observed by scanning electron microscopy and by atomic force microscopy. The selective etching of InGaAs to InP and InAlAs was studied by varying the etching parameters. It was found that Cl$_2$ gas is more efficient for the selective etching of InGaAs to InAlAs than SiCl$_4$ gas. The etch selectivity of InGaAs to InAlAs is strongly dependent on the rf power and the process pressure.

• Journal of Magnetics
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• 제20권4호
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• pp.331-335
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• 2015

The ferromagnetic and electronic structure for the $Al_xGa_{1-x}P$ and Mn-doped $AlGaP_2$ was studied by using the self-consistent full-potential linear muffin-tin orbital method. The lattice parameters of un-doped $Al_xGa_{1-x}P$ (x = 0.25, 0.5, and 0.75) were optimized. The band-structure and the density of states of Mn-doped $AlGaP_2$ with or without the vacancy were investigated in detail. The P-3p states at the Fermi level dominate rather than the other states. Thus a strong interaction between the Mn-3d and P-3p states is formed. The ferromagnetic ordering of dopant Mn with high magnetic moment is induced due to the (Mn-3d)-(P-3p)-(Mn-3d) hybridization, which is attributed by the partially filled P-3p bands. The holes are mediated with keeping their 3d-characters, therefore the ferromagnetic state is stabilized by this double-exchange mechanism.

• 한국결정성장학회지
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• 제26권4호
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• pp.145-149
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• 2016

플라즈마 조성, ICP source power, rf chuck power 등의 공정변수가 GaN epitaxy층의 식각특성에 미치는 영향을 조사하였다. $GaF_x$ 화합물 보다 더 높은 휘발성을 가지는 $GaCl_x$ 식각 생성물 형성이 가능한 $Cl_2/Ar$ 플라즈마가 $SF_6/Ar$ 플라즈마보다 더 높은 식각속도를 나타내었다. 또한, $Cl_2/Ar$ 플라즈마에서 Ar 비중이 증가함에 따라 물리적 식각 기구 활성화로 인해 식각 이방성이 향상됨을 확인하였다. 두 가지 플라즈마 조성 모두에서 ICP source power와 rf chuck power가 증가함에 따라 식각속도가 지속적으로 증가함을 확인하였고, $13Cl_2/2Ar$, 750W ICP power, 400 W rf chuck power, 10 mTorr 조건에서 최고 251.9 nm/min의 식각속도를 확보하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.280-280
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• 2014

We report the fabrication and electroluminescent characteristics of GaN/InxGa1-xN microdonut-shaped light-emitting diode (LED) microarrays as variable-color emitters. The diameter, width, height, and period of the GaN microdonuts were controlled by their growth parameters and the geometrical factors of the growth mask patterns. For the fabrication of microdonut LEDs, p-GaN/p-AlxGa1-xN/u-GaN/u-InxGa1-xN heteroepitaxial layers were coated on the entire surface of n-GaN microdonuts. The microdonut LED arrays showed strong light emission, which could be seen with the unaided eye under normal room illumination. Additionally, magnified optical images of microdonut LED arrays exhibited microdonut-shaped light emissions having spatially resolved blue and green colors. Their electroluminescence spectra had two dominant peaks at 460 and 560 nm. With increasing applied voltage, the intensity of the blue emission peak increased much faster than that of the green emission peak, indicating that the color of the LEDs is tunable. We also demonstrated that EL spectra of the devices could be controlled by changing the size of microdonut LEDs. What we want to emphasize here with the microdonut LEDs is that they have additional inner sidewall facets which did not exist for other typical three-dimensional structures including nanopyramids and nanorods, and that InxGa1-xN single quantum well formed on the inner sidewall facets had unique thickness and chemical composition, which generated additional EL color. The origin of the electroluminescence peaks was investigated by structural characterizations and chemical analyses.

• 대한화학회지
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• 제53권6호
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• pp.653-662
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• 2009

흡수, 분포, 대사, 배설 특성 및 독성을 예측하기 위한 효과적인 툴을 개발하는 것은 신약개발의 초기단계에서 NCE(new chemical entity)에 대한 가장 중요한 업무 중의 하나이다. 최근에 이런 시도중의 하나로서 ADME/T(absorption, distribution, metabolism, excretion, toxicity)관련 성질들의 예측에 support vector machine(SVM)을 이용하고 있다. 그리고 SVM은 ADME/T 성질들을 정확하게 예측하는데 많이 사용 되고 있다. 그러나 SVM 모델링에 두 가지 문제가 있다. 특성 선택(feature selection) 과 매개변수 설정(parameter setting)은 여전히 해결해야 할 과제이다. 이 두 가지 문제들은 SVM 분류의 효율성과 정확도에 결정적인 영향을 끼친다. 특히 특성 선택과 최적화된 SVM 변수의 설정은 서로 영향을 주기 때문에 동시에 다루어져야 한다. 여기서 우리는 genetic algorithm(GA) – 특성 선택에 사용 – 과 grid search(GS) method– 변수최적화에 사용 – 두 가지를 통합하는 효과적인 해결책을 제시하였다. ADME/T관련 성질 중 하나인 심장부정맥을 야기시키는 hERG 이온채널 저해제 분류 모델이 여기서 제안된 GA-GS-SVM을 위해 할당되고 테스트 되었다. 1891개의 화합물을 가지는 트레이닝 셋으로 단일 모델 3개, 앙상블 모델 3개, 총 6개의 모델을 만들었고 175개의 외부 데이터를 테스트 셋으로 사용하여 검증하였다. 데이터의 불균형 문제를 해결하기 위하여 GA-GS-SVM 단일 모델에 의한 예측 정확도와 GA-GS-SVM 앙상블 모델 예측 정확도를 비교하였으며, 앙상블모델을 사용하여 예측의 정확도를 높일 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제25권11호
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• pp.1551-1558
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• 2021

실내 측위 시스템에 사용되는 Beacon의 신호는 반사 및 왜곡되어 노이즈 신호가 발생한다. 이 노이즈를 제거하기 위해 KF(Kalman Filter)가 널리 사용되어 왔다. KF를 적용하기 위해서는 각 제품의 신호 종류와 강도, 환경을 고려한 Parameters 최적화 과정이 필요하다. 본 논문에서는 BLE Beacon 기반 실내 측위 시스템에서 GA(Genetic Algorithm)를 활용한 KF Parameters의 최적화 문제 해결 방안을 제안한다. Beacon과 수신기 사이에 일정 거리를 두고 제안한 기법을 적용하여 KF Parameters를 최적화한 후, KF를 통과한 추정거리와 필터링을 거치지 않은 거리를 비교하였다. 제안하는 기법은 RSSI(Received Signal Strength Indi- cation)를 기반으로 하는 실내 측위 시스템에서 KF의 Parameters 최적화 소요시간 단축과 정확도 향상이 가능할 것으로 기대된다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제13권4호
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• pp.331-341
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• 2013

In the present work, the effect of the gate-to-drain capacitance ($C_{gd}$) on the noise performance of a symmetric tied-gate $In_{0.52}Al_{0.48}As/In_{0.53}Ga_{0.47}As$ double-gate HEMT is studied using an accurate charge control based approach. An analytical expression for the gate-to-drain capacitance is obtained. In terms of the intrinsic noise sources and the admittance parameters ($Y_{11}$ and $Y_{21}$ which are obtained incorporating the effect of $C_{gd}$), the various noise performance parameters including the Minimum noise figure and the Minimum Noise Temperature are evaluated. The inclusion of gate-to-drain capacitance is observed to cause significant reduction in the Minimum Noise figure and Minimum Noise Temperature especially at low values of drain voltage, thereby, predicting better noise performance for the device.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제19권1호
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• pp.63-67
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• 1998

The synthesis and characterization of the monomeric group 13 heterocyclic thiosemicarbazone complexes $Me_2M[SC_4H_3CHNNC(S)SCH_3]$ (M=Al (2), Ga (3)) are described. Compounds 2-3 were prepared using $MMe_3$ (M=Al, Ga) in toluene with 2-thiophenecarboxaldehyde-S-methyldithiocarbazat e under anaerobic conditions. These complexes have been characterized by $^1H\;NMR,\; ^{13}C\; NMR$, elemental analyses, and single-crystal X-ray diffraction. 2 crystallizes in the monoclinic space group $P2_1/c$ with unit cell parameters a=10.2930(5) Å, b=18.564 (1) Å, c=7.3812(6) Å, V=1347.9(2) Å3, $D_{calc}=1.342\; gcm^{-3}$ for Z=4, 9281 reflections with $I_o<3{\sigma}\;(I_o),$ R1=0.0500 and wR2=0.0526. 3 crystalizes in the orthorhombic space group $P_{bca}$ with unit cell parameters a=13.340(3) Å, b=19.9070(5) Å, c=11.3690(2) Å, $V=2673.88(9)\;{\AA}^3$, $D_{calc}=1.511\; gcm^{-3}$ for Z=8, 17004 reflections with $I_o>3{\sigma}\;(I_o),$, R1=0.0480 and wR2=0.0524. Compound 3 is a monomeric gallium compound with a weak interaction between the pendant thiophene and the gallium center.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 1995년도 Proceedings of the Korea Automation Control Conference, 10th (KACC); Seoul, Korea; 23-25 Oct. 1995
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• pp.18-21
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• 1995

In this paper we describe a new method for multimodal function optimization using genetic algorithms(GAs). We propose adaptation rules for GA parameters such as population size, crossover probability and mutation probability. In the self organizing genetic algorithm(SOGA), SOGA parameters change according to the adaptation rules. Thus, we do not have to set the parameters manually. We discuss about SOGA and those of other approaches for adapting operator probabilities in GAs. The validity of the proposed algorithm will be verified in a simulation example of system identification.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 2002년도 ICCAS
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• pp.110.6-110
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• 2002

$\textbullet$ In this paper, the method that the coefficients of wavelet transform and the parameters of wavelet function is simultaneously self-tuned using mGA is proposed. $\textbullet$ Figure shows actual output and model output.