Bismuth thin films were prepared on glass substrate with RF magnetron sputtering and effects of substrate temperature on surface morphology and their electrical transport properties were investigated. Grain growth of bismuth after nucleation and the onset of coalescense of grains at 393 K were observed with field emission secondary electron microscopy. Continuous thin films could not be obtained above 473 K because of grain segregation and island formation. Hall effect measurements showed that substrate heating yields the decrease of carrier density and the increase of mobility. Resistivity of bismuth film has its minimum (about 0.7 x 10/sup -3/ Ωcm) in range of 403~433 K. Annealing of bismuth films deposited at room temperature was carried out in a radiation furnace with flowing hydrogen gas. The change of resistivity was not significant due to cancellation of the decrease of carrier density and the increase of mobility. The abrupt change of electrical properties of film annealed above 523 K was found to be caused by partial oxidation of bismuth layer in x-ray diffraction analysis.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.05a
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pp.20-22
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2006
Monolayers of lipids on a water surface have attracted much interest as models of biological membranes, but also as precursors of multilayer systems promising many technical applications. Until now, many methodologies have been developed in order to gain a better understanding of the relationship between the structure and function of the monolayers. Maxwell displacement current (MDC) measurement has been employed to study the dielectric property of Langmuir-films. MDC flowing across monolayers is analyzed using a rod-like molecular model. A linear relationship between the monolayer compression speed and the molecular area Am. Compression speed was about 30, 40, 50mm/min. Langmuir-Blodgett(LB)layers of Arachidic acid deposited by LB method were deposited onto slide glass as Y-type film. The structure of manufactured device is Au/Arachidic acid/Al, the number of accumulated layers are 9~21. Also, we then examined of the Metal-Insulator-Metal(MIM) device by means of I-V. The I-V characteristics of the device are measured from -3 to +3[V]. The insulation property of a thin film is better as the distance between electrodes is larger.
Korean Journal of Air-Conditioning and Refrigeration Engineering
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v.5
no.1
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pp.1-9
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1993
Mass transfer coefficients were measured for water vapor absorption into a LiBr-Water solution of 60wt% flowing down an absorber of vertical tube type. The absorber is copper tube of 25mm inner diameter and 1000mm length. The film Reynolds number were varied in the range of 35~130. The solution is fed from the top of the pipe, and the conditions of solution are supercooled liquid and superheated liquid. As results, the flowrates of LiBr solution which takes peak value of average absorption mass flux exist. Mass transfer coefficients decrease with increasing the flowrate of LiBr solution, and the decrease rate in the case of supercooled liquid is large as compared with that in the case of superheated liquid. But the absorption rate of supercooled liquid is decidedly superior to that of superheated liquid.
To develop wide-band noise absorbers with a special design for low-frequency performance, this study proposes a tin oxide (Sn-O) thin films as the noise absorbing materials in a microstrip line. Sn-O thin films were deposited on polyimide film substrates by reactive sputtering of the Sn target under flowing $O_{2}$ gas, exhibiting a wide variation of surface resistance (in the range of $10^{0}-10^{5}{\Omega}$) depending on the oxygen partial pressure during deposition. The microstrip line with characteristic impedance of $50\Omega$ was used for the measurement of noise absorption by the Sn-O films. The reflection parameter $(S_{11})$ increased with a decrease of surface resistance due to an impedance mismatch at the boundary between the film and the microstrip line. Meanwhile, the transmission parameter $(S_{21})$ diminished with a decrease of surface resistance resulting from an Ohmic loss of the Sn-O films. The maximum noise absorption predicted at an optimum surface resistance of the Sn-O films was about $150{\Omega}$. For this film, greater power absorption is predicted in the lower frequency region (about 70% at 1 GHz) than in conventional magnetic sheets of high magnetic loss, indicating that Ohmic loss is the predominant loss parameter for the conduction noise absorption in the low frequency band.
The Plasma film treated with a high electric voltage was developed to enhance flow down of condensation drops on inside plastic film. Arch type greenhouse framed with iron pipe of 25mm diameter defand 1.5mm thickness were covered with either the developed plasma film or surfactant film(control). Green pepper seedlings raised for 40 days in plug trays were transplanted at a density of 110cm by 30cm in each greenhouse. The mount of condensational water on film surface, generated by 7$0^{\circ}C$ water bath chimney systems and flew down, was collected and measured. The amount of collected water after 150 minutes was 2.56 mL.100c $m^{-2}$ and 0.94mL.100c $m^{-2}$ , respectively, in the plasma film and surfactant film-covered greenhouses. The amount of condensational water drops attached on the cover at 08:20 a.m. at 60 days filter covering was 0.34mL.100c $m^{02}$ and 0.32mL.100c $m^{-2}$ , respectively, in the plasma film- and surfactant film-covered greenhouses. Solar irradiance transmitted into greenhouse was 2.0% higher in the greenhouse covered with the plasma film tan that in the greenhouse covered with the surfactant film. Air temperature in the plasma film-covered greenhouse was higher than the surfactant film-covered greenhouse by 0.5$^{\circ}C$. However, there was no difference in relative humidity between the two greenhouse. Plant height, leaf area, dry weight and early yield showed no significant differences.s.
Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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v.40
no.11
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pp.1010-1015
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2012
In this study, a thin-film thermo-electrochemical cell that directly converts waste thermal energy into electrical energy was fabricated. Electrical conductivity of conducting carbon fiber, which was used as flexible electrode, was increased through coating of carbon nanotube, and resistance of the CNT-coated fiber electrode was not changed even after bending test with various curvatures. Maximum output power of the thermocell was increased quadratically with the temperature difference, and showed a value of about 2.5 mW/kg at temperature difference of $3.4^{\circ}C$. As a result of discharge test for 12 hours, it is confirmed that the cell can operates continuously. And thin-film thermocell wrapped around a pipe with hot liquid flowing within was demonstrated. Internal resistance of the cell was decreased with various curvature of heat pipe, and maximum output power was increased by 30 %. Therefore, the cell can be applied to various heat source.
Effects of PbO on the repassivation kinetics and characteristics of passive film of Alloy 690 were examined to elucidate the influences of PbO on the SCC resistance of that alloy. The repassivation kinetics of the alloy was analyzed in terms of the current density flowing from the scratch, i(t), as a function of the charge density that has flowed from the scratch, q(t). Repassivation on the scratched surface of the alloy occurred in two kinetically different processes; passive film initially nucleated and grew according to the place exchange model in which log i(t) is linearly proportional to q(t), and then grew according to the high field ion conduction model in which log i(t) is linearly proportional to 1/q(t) with a slope of cBV. The cBV is found to be a parameter representing repassivation rate and hence SCC susceptibility of the alloy. The lower the value of cBV, the faster the repassivation rate and the higher the SCC resistance of an alloy. Addition of PbO to pH 4 and 10 solutions increased the value of cBV of alloy 690, reflecting slower repassivation rate than without PbO. The change in the value of cBV was grater in pH 10 than in pH 4. The increase in SCC susceptibility of alloy 690 with the addition of PbO to solution was presumably due to the Cr-depletion in the outer parts of passive film of the alloy with an incorporation of Pb compounds in the film, which was revealed by Mott-Schottky, AES and XPS analyses.
Korean Journal of Air-Conditioning and Refrigeration Engineering
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v.17
no.11
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pp.1035-1042
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2005
In the present study, the principle of minimum energy is employed to configure the shape of rivulet flowing down an inclined surface. The profile of laminar rivulet is determined by numerical integration. The maximum center thickness, which corresponds to the minimum thickness of falling film, is found to exist regardless of liquid flow rate and is compared with the analytical and experimental data. At small liquid flow rate the center thickness of rivulet and its width increase almost linearly with flow rate. Once the center thickness of rivulet becomes very close to its maximum value, its growth rate retards abruptly. However the width of rivulet increases proportionally to the liquid flow rate and most part of its free surface is as flat as that of stable film. The growth rate of rivulet thickness with respect to liquid flow rate becomes larger at bigger contact angle. The width of rivulet increases rapidly with its flow rate especially at small contact angle, As the liquid-vapor interfacial shear stress increases, the center thickness of rivulet decreases with its flow rate, which is remarkable at small contact angle. However the effect of interfacial shear stress on the width of rivulet is almost negligible.
No, Ji-Hyeong;Song, Sang-U;Kim, Ji-Hong;Go, Jung-Hyeok;Mun, Byeong-Mu
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.179-179
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2009
This is for the electrical characterization by IDC pattern using BST$(Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3)$ thin film. BST materials had been chosen for high frequency applications due to it's high permitivity and tunability. The BST thin films have been deposited on $Al_2O_3$ Substrates by Nd-YAG pulsed laser deposition with a 355nm wavelength at $700\;^{\circ}C$. The post deposition annealing at $750^{\circ}C$ in flowing $O_2$ atmosphere for 1 hours. The capacitance of IDC patterns have been measured from 1 to 10 GHz as a function of electric field ($\pm40$ KV/cm) at room temperature using inter-digital Au electrodes deposited on top of BST. The IDC patterns have three type of fingers number. For the 10 pairs finger was the best capacitance onto $Al_2O_3$ substrate. The capacitance was 0.9pF. Also Dielectric constant was been 351 at 100 mTorr and annealing temperature $750^{\circ}C$ for 1 hour. The loss tangent was been 0.00531.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.465-466
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2009
Dye-sensitized Solar Cell (DSC) is a new type of solar cell by using photocatalytic properties of $TiO_2$. The electric potential distribution in DSCs has played a major role in the operation of such cells. $TiO_2$ thin films were deposited on the ITO substrate by Nd:YAG Pulsed Laser Deposition(PLD) at room temperature and post-deposition annealing at $500^{\circ}C$ in flowing $O_2$ atmosphere for 1hour. The structural properties of $TiO_2$ thin films have investigated by X-ray diffraction(XRD). We manufactured DSC unit cells then I-V and efficiency were tested by solar simulator.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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