초 박형 실리콘 칩을 이용하여 실리콘 칩들을 포함한 모듈 전체가 굽힘이 자유로운 유연 패키징 기술을 구현하였으며 bending test와 FEA를 통해 초 박형 실리콘 칩의 기계적 거동을 살펴보았다. 초박형 실리콘 칩(t<30$\mu\textrm{m}$)은 표면손상의 가능성을 배제하기 위해 KOH및 TMAH둥을 이용한 화학적 thinning 방법을 이용하여 제작되었으며 열압착 방식에 의해 $Kapton^{Kapton}$에 바로 실장 되었다. 실리콘칩과 $Kapton^\circledR$ 기판간의 단차가 적기 때문에 전기도금 방식으로 전기적 결선을 이를 수 있었다. 이러한 방식의 패키징은 이러한 공정은 flip chip 공정에 비해 공정 간단하고 wire 본딩과 달리 표면 단차 적어서 연성회로 기판을 비롯한 인쇄회로기판의 표면뿐만 아니라 기판 자체에 삽입이 가능하여 패키징 밀도 증가를 기대할 수 있으며 실질적인 실장 가능면적을 극대화 할 수 있다.
본 연구에서는 펨토초의 펄스폭을 갖는 극초단 레이저를 이용하여 나노 스케일 초전도 재료의 열전도율을 측정하였다. 95 nm 두께의 이트륨바륨구리산화물($YBa_2Cu_3O_7-x$)을 티탄산스트론튬($SrTiO_3$) 기판 위에 펄스레이저 증착법으로 적층하여 시편을 제작하였으며, 유한차분법으로 1차원 과도 열전도 방정식의 해를 구하여 측정결과와 비교하였다. 곡선맞춤을 통하여 1.2 W/mK의 열전도율을 얻었으며, 이는 동일 재료의 벌크(bulk) 물성치에 비하여 낮은 값으로 확인된다. 본 연구는 마이크로/나노소자의 열설계를 위한 초전도 나노재료의 특성을 규명한다.
Based on the typical pixel structure and parameters of a polysilicon uncooled bolometer, the absorption rate of a polysilicon microbridge infrared detector for 10.6 ㎛ laser energy was calculated through the optical admittance method, and the thermal coupling model of a polysilicon microbridge component irradiated by far infrared laser was established based on theoretical formulas. Then a numerical simulation study was carried out by means of finite element analysis for the actual working environment. It was found that the maximum temperature and maximum stress of the microbridge component are approximately exponentially changing with the laser power of the irradiation respectively and that they increase monotonically. The highest temperature zone of the model is gradually spread by the two corners of the bridge surface that are not connected to the bridge legs, and the maximum stress acts on both sides of the junction of the microbridge legs and the substrate. The mechanism of laser-induced hard damage to polysilicon detectors is the melting damage caused by high temperature. This paper lays the foundation for the subsequent study of the interference mechanism of the laser on working state polysilicon detectors.
박막형 태양전지 및 플렉서블 태양전지 기판으로 사용되는 금속기판의 우수성은 잘 알려져 있다. 그러나 상용 금속기판이 직면하고 있는 문제점을 보완하기 위해서 전주법으로 제조된 2원합금 금속포일을 개발하였으며, 박막형 및 플렉서블 태양전지의 기판재로 적용가능성을 확인하였다. 일반적으로 태양전지를 제조할 때 열 공정이 수행되며, 이때 기판재와 cell을 구성하는 반도체의 열팽창 계수 차이에 의한 열변형으로 결함이 발생될 수 있고, 태양전지 효율 및 수명을 저하시키는 원인이 될 수 있다. 이러한 원인이 될 수 있는 구성 재료간의 열팽창계수 차이에 의한 cell 의 변형량을 추정하기 위해 유한요소해석 방법을 사용하였다. 유한요소해석을 수행하기 위해 ALGOR 라는 해석 tool 을 사용하였다. 유한요소해석 수행에 사용된 상용 금속인 Mo, Ti, Al, SUS 포일과 전주법으로 제조된 2원합금 금속포일의 열팽창 계수는 실험을 통한 측정치이며, cell을 구성하는 반도체의 열팽창 계수와 열특성은 참고 문헌에 있는 자료들이다. 이 값들을 기반으로 cell 의 구성을 단순화시킨 가상의 태양전지가 제조 공정 온도에서 상온으로 냉각될 때의 열변형량을 계산하였다.
This paper presents compact dual-band WLAN filter and filter module. They were developed by embedding all of the passive lumped elements into a LTCC substrate. In order to reduce the size/volume of the filter and avoid EM parasitic couplings between the passive elements, the proposed filter was designed using a 3rd order Chebyshev circuit topology and J-inverter transformation technology. The 3rd order Chebyshev bandpass filter was firstly designed for the band-selection of the 802.11b and was then transformed using finite transmission zeros technologies. Finally, the dual-band filter was realized by adding two notch resonators to the 802.11b filter circuit for the band-selection of the 802.11a/g. The maximum insertion losses in the lower and higher passbands were better than 2.0 and 1.3 dB with minimum return losses of 15 and 14 dB, respectively. Furthermore, the filter was integrated with a diplexer to clearly split the signals between 2 and 5 GHz. The maximum insertion and minimum return losses of the fabricated module were 2.2 and 14 dB at 2.4 - 2.5 GHz, and 1.6 and 19 dB at 5.15 - 5.85 GHz, respectively. The overall volume of the fabricated filter was $2.7{\times}2.3{\times}0.59mm^3$.
마이크로 흐름센서는 반도체 집적기술을 이용할 수 있어, 소형으로 제작이 가능하며 빠른 응답특성을 가져 다양한 분야에 응용되고 있다. 본 연구에서는 넓은 흐름의 세기 영역에서 정밀한 감도를 가지는 2차원의 마이크로 흐름센서를 실리콘 기판위에 적충시켜 제작하였다. 흐름센서의 중앙에 하나의 히터와 양측에 온도를 검출할 수 있는 3쌍의 감지막을 가진 새로운 센서 구조를 제안하고, 온도 검출에 대한 성능평가를 위하여 시간영역에서의 유한차분법을 이용하여 공기흐름의 세기 변화에 따른 온도분포를 계산하였다. 계산결과를 통하여 실제 흐름센서의 동작을 정량적으로 분석하였다.
To improve the optical and electrical properties of commercialized GaN-based light-emitting diodes (LEDs), many methods are suggested. In recent years, great efforts have been made to improve the internal quantum efficiency and light extraction efficiency (LEE) and promising approaches are suggested using a patterned sapphire substrate (PSS), V-pit embedded LED structures, and silica nanostructures. In this study, we report on the enhancement of photoluminescence (PL) intensity in GaN-based LED structures by using the combination of SiO2 (silica) nanospheres and polystyrene/SiO2 core-shell nanospheres. The SiO2 nanospheres-coated LED structure shows the slightly increased PL intensity. Moreover the polystyrene/SiO2 core-shell nanospheres-coated structure shows the more increase of PL intensity comparing to that of only SiO2 spheres-coated structure and the conventional structure without coating of nanospheres. The Finite-difference time-domain (FDTD) simulation results show corresponding result with experimentally observed results. The mechanism of enhancement of PL intensity using the coating of polystyrene/SiO2 core-shell nanospheres on LED surface can be explained by the improvement in extraction efficiency by both increasing the probability of light escape by reducing Fresnel reflection and by multiple scattering within the core-shell nanospheres.
Due to the considerable development of the technology of second generation high-temperature superconductors and a significant improvement in their mechanical and transport properties in the last few years it is possible to use HTS tapes in the magnetic levitation systems. The advantages of tapes on a metal substrate as compared with bulk YBCO material primarily in the strength, and the possibility of optimizing the convenience of manufacturing elements of levitation systems. In the present report presents the results of the magnetic levitation force measurements between the stack of HTS tapes containing $n=2{\div}200$ of tapes $12mm{\times}12mm$ and NdFeB permanent magnet in the FC and ZFC regimes. It was found a non- linear dependence of the levitation force from the height of the array of stack in both modes: linear growth at small thickness gives way to flattening and constant at large number of tapes in the stack. Established that the levitation force of stacks comparable to that of bulk samples. The numerical calculations using finite element method showed that without the screening of the applied field the levitation force of the bulk superconductor and the layered superconductor stack with a critical current of tapes increased by the filling factor is exactly the same, and taking into account the screening force slightly different.
The low energy excitations of spin waves (SWR) in thin films can be used for determination of the surface anisotropy constant and the nonhomogeneities of magnetization in the close-to-surface layer. The dispersion relation in SWR is sensitive on the geometry of experiment. We report on temperature dependence of surface magnetic anisotropy energy constant in magnetic semiconductor thin films of$ CdCr_{2-2x}In_{2x}Se_4$ at spin glass state. Samples were deposited by rf sputtering technique on Corning glass substrate in controlled temperature conditions. Coexistence of the infinite ferromagnetic network (IFN) and finite spin slusters (FSC) in spin glass state (SG) is know phenomena. Some behavior typical for long range magnetic ordering is expected in samples at SG state. The spin wave resonance experiment (microwave spectrometer at X-band) with excited surface modes was applied to describe the energy state of surface spins. We determined the surface magnetic anisotropy energy constant versus temperature using the surface inhomogeneities model of magnetic thin films. It was found that two components contribute to the surface magnetic anisotropy energy. One originates from the exchange interaction term due to the lack of translation symmetry for surface spin as well as from the originates from the exchange interaction term due to the lack of translation symmetry for surface spin as well as from the stray field of the surface roughness. The second one comes from the demagnetizing field of close-to surface layer with grad M. Both term linearly decrease when temperature is increased from 5 to 123 K, but dominant contribution is from the first component.
Damage detection has been proven to be a challenging task in structural health monitoring (SHM) due to the fact that damage cannot be measured. The difficulty associated with damage detection is related to electing a feature that is sensitive to damage occurrence and evolution. This difficulty increases as the damage size decreases limiting the ability to detect damage occurrence at the micron and submicron length scale. Damage detection at this length scale is of interest for sensitive structures such as aircrafts and nuclear facilities. In this paper a new photonic sensor based on photonic crystal (PhC) technology that can be synthesized at the nanoscale is introduced. PhCs are synthetic materials that are capable of controlling light propagation by creating a photonic bandgap where light is forbidden to propagate. The interesting feature of PhC is that its photonic signature is strongly tied to its microstructure periodicity. This study demonstrates that when a PhC sensor adhered to polymer substrate experiences micron or submicron damage, it will experience changes in its microstructural periodicity thereby creating a photonic signature that can be related to damage severity. This concept is validated here using a three-dimensional integrated numerical simulation.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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