Coating is a type of paint. It protects a product forming a film layer on the product and assigns various properties to the product. Coating is one of the fields which is being studied actively in the polymer industry. Importance of coating in various industries is more increased. However, mixing process has been performing in dependence on operator's experience. In this paper, we found the relationship between each data from coating formulation process. We propose a framework to analyze the coating formulation process as well. It can improve the coating formulation process. In particular, the suggested framework may reduce degradation and loss costs due to absence of standard data which is accurate formulation criteria. Also it suggests responses to errors which can be occurred in the future through the analysis of the error data generated in mixing step.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.10
no.5
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pp.177-181
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2009
Employing statistical design of experiments, we have performed studies on the characterization of electrodes using $TiO_2$ and process variables in the fabrication process of nanocrystalline dye sensitized solar cell. Systematic experiment to identify the effects of process variables on cell's efficiency has based on broad-band absorption of light by tailor made organometallic dye molecules dispersed on a high surface of $TiO_2$. Employing statistical design of experiment on $TiO_2$ photoelectrode forming process, structural characterization of electrodes and process variable have been investigated. Through the statistical analysis we have found that the particle size of $TiO_2$ and the amount of PEG/PEO are significantly affecting on the cell efficiency. In addition, a significant amount of interaction exists between the particle size and the amount of PEG/PEO.
We report the synthesis and characterization of new alkoxy substituted spirobifluorene derivatives. The spiro compounds having alkoxy hydrocarbon chains were readily soluble in common organic solvents, having improved film-forming properties and had a significantly reduced tendency to crystallize, resulting in increasing their service lifetime. The results of DSC showed that it was amorphous. The optical and electroluminescent spectra were characterized. Electroluminescence (EL) properties of three-layer light emitting diodes (LED) of $ITO/TPD/spirobifluorene/Alq_3/LiF/Al$ as the active layer were characterized. Blue emission peaking of the EL spectrum of the three-layer device at 402 nm and a luminance of 3,125 $cd/m^2$ were achieved at a drive voltage 12.8 V. The luminous efficiency was obtained to be 1.7 lm/W. The color coordinate in CIE chromaticity is (0.16, 0.09), which is in a pure blue region. The external quantum efficiency was obtained to be 2.0%. The results indicate that the spirobifluorene compounds having alkoxy hydrocarbon chains are strongly potential blue emitters for LED applications.
Kim, Sang-Yong;Lim, Jong-Heun;Yu, Chong-Hee;Kim, Nam-Hoon;Chang, Eui-Goo
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.4
no.2
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pp.1-4
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2003
The purpose of this study was to investigate the characteristics of slurry including phosphoric acid for chemical-mechanical planarization of copper and tantalum nitride. In general, the slurry for copper CMP consists of alumina or colloidal silica as an abrasive, organic acid as a complexing agent, an oxidizing agent, a film forming agent, a pH control agent and additives. Hydrogen peroxide (H$_2$O$_2$) is the material that is used as an oxidizing agent in copper CMP. But, the hydrogen peroxide needs some stabilizers to prevent decomposition. We evaluated phosphoric acid (H$_3$PO$_4$) as a stabilizer of the hydrogen peroxide as well as an accelerator of the tantalum nitride CMP process. We also estimated dispersion stability and zeta potential of the abrasive with the contents of phosphoric acid. An acceleration of the tantalum nitride CMP was verified through the electrochemical test. This approach may be useful for the development of the 2$\^$nd/ step copper CMP slurry and hydrogen peroxide stability.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.11a
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pp.191-194
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2004
Ferroelectric $Pb(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_3$ (PZT) 박막을 $Pt(111)/Ti/SiO_2/Si$ 기판위에 증착되었고, 수소 후열처리 후의 특성변화를 연구하였다. 동시에 10 nm의 $(Pb_{0.72}La_{0.28})Ti_{0.94}O_3$ (PLT) buffer를 사용한 PZT 박막의 수소 후열처리 효과를 관찰하였다. PZT 박막의 경우, 수소 후열처리 전과 후에 강유전 특성이 현저하게 감소한 반면, PLT buffer가 사용된 PZT 박막의 경우, 강유전 특성에 거의 변화가 없었다. 이는 PLT buffer를 사용함으로써 PZT 박막의 배향성이 향상되고, 이에 따라 forming gas에 의한 수소원자가 박막 내로의 침투가 어렵게 된다. 따라서 수소원자에 대한 PZT 박막의 열화되는 현상이 buffer를 사용하는 경우, 거의 나타나지 않게 된다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.07b
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pp.1033-1036
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2004
Si nanocrystallites thin films on p-type (100) Si substrate have been fabricated by pulsed laser deposition using a Nd:YAG laser. After deposition, samples were annealed at the temperatures of 400 to $800^{\circ}C$. Hydrogen passivation was then performed in the forming gas (95% $N_2$ + 5% $H_2$) for 1 hr. Strong violet-indigo photoluminescence has been observed at room temperature from nitrogen ambient-annealed Si nanocrystallites. The variation of photoluminescence (PL) Properties of Si nanocrystallites thin films has been investigated depending on annealing temperatures with hydrogen passivation. From the results of PL, Fourier transform infrared (FTIR), and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) measurements, it is observed that the origin of violet-indigo PL from the nanocrystalline silicon in the silicon oxide film is related to the quantum size effect of Si nanocrystallites and oxygen vacancies in the SiOx(x : 1.6-1.8) matrix affects the emission intensity.
A scab disease on eggplant (Solanum melongena L. cv. Chukyang) in plastic film houses around Kimhae area in Korea during the winter season of 0998-1999. The disease started on leaves with small dark brown spots which were gradually expanded to 1 to 3 mm diameter lesions. Later, the central parts of the lesions became collapsed and detached to make holes. Dark brown mold was grown out of the lesions on the lower side of leaf. Numerous conidia were produced on the lower side of leaf. Numerous conidia were produced on the diseased leaves and appeared to be readily dispersed in the air. A fungus was isolated from the diseased leaves, and tested for Koch's postulates to prove the causal agent of the desease. The isolated fungus grew on potato dextrose agar, forming greenish black to pale brown colonies. Conidia were ellipsoidal, fusiform or subspherical, mostly one-celled but occasionally septated, and formed in long branched chains on the erected conidiophores which were pale olevaceous brown and variable in length between 12.4 and $393.4\mu\textrm{g}$. The fungus was identified as Cladosporium cucumerinum Ellis Arthur based on the above morphological characteristics examined. The optimum temperature for mycelial growth and conidial formation was about 20 to $25^{\circ}$. In addition to cucumber, the fungus was also pathogenic to watermelon, pumpkin and oriental melon. This is the first report on the scab disease of eggplant in Korea.
Kim, Il-Hwan;Na, Kyoung-Hwan;Kim, Hyeon-Cheol;Chun, Kuk-Jin
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.45
no.2
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pp.13-20
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2008
This paper describes the methods of spacer-fabrication for wafer-level CIS(CMOS Image Sensor) assembly. We propose three methods using SU-8, PDMS and Si-interposer for the spacer-fabrication. For SU-8 spacer, novel wafer rotating system is developed and for PDMS(poly-dimethyl siloxane) spacer, new fabrication-method is used to bond with alignment of glass/PDMS/glass structure. And for Si-interposer, DFR(Dry Film Resist) is used as adhesive layer. The spacer using Si-interposer has the strongest bonding strength and the strength is 32.3MPa with shear.
Zinc oxysulfide nanocrystals (ZnOS NCs) were synthesized by forming ZnS phase on a ZnO matrix. ZnO nanocrystals (NCs) with a diameter of 10 nm were synthesized by forced hydrolysis in an organic solvent. As-synthesized ZnO NCs aggregated with each other due to the high surface energy. As acetic acid (AA) was added into the milky suspension of the aggregated ZnO NCs, transparent solution of well dispersed ZnO NCs formed. Finally ZnOS NCs were formed by adding thioacetic acid (TAA) to the transparent solution. The effect of recrystallization on the structural, optical and electrical properties of the ZnOS NCs were studied. The results of UV-vis absorption confirmed the band gap tunability caused by increasing the curing temperature of ZnOS thin films. This may have originated from the larger effective size due to the recrystallization of zinc sulfide (ZnS). From XRD result we identified that ZnOS thin films have a zinc blende crystal structure of ZnS without wurtzite ZnO structure. This is probably due to the small amount of ZnO phases. These assertions were verified through EDS of FE-SEM, XPS and EDS mapping of HR-TEM results; we clearly proved that ZnOS were comprised of ZnS and ZnO phases.
A lateral type GaN field emission diodes were fabricated by utilizing metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). In forming the pattern, two kinds of procedures were proposed: a selective etching method with electron cyclotron resonance-reactive ion etching (ECR-RIE) or a simple selective growth by utilizing $Si_3N_4$ film as masking layer. The fabricated device using the ECR-RIE exhibited electrical characteristics such as a turn-on voltage of 35 V for 7 ${\mu}m$ gap and an emission current of ${\sim}580$ nA/10tips at anode-to-cathode voltage of 100 V These new field emission characteristics of GaN tips are believed to be due to a low electron affinity as well as the shorter inter-electrode distance.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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