Kim, Ke-Tack;Kam, Dae-woong;Nguyen, Cao Cuong;Song, Seung-Wan;Kostecki, Robert
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제32권8호
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pp.2571-2576
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2011
Surface film formation on $Li(Ni_{1/3}Co_{1/3}Mn_{1/3})O_2$ cathodes upon oxidation of electrolyte during electrochemical cycling was investigated. Information on the important factors for film formation on the cathode can facilitate the design of additives that improve the properties of the cathode. Pyrazole is added to the electrolyte because it is readily oxidized to form a surface film on the cathode. The results of differential scanning calorimetry and Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) showed that the active material played a dominant role in the interfacial film formation with the electrolyte. Carbon black played a negligible role in the surface film formation.
반도체 메모리 소자의 커패시터에서 셀 커패시턴스의 향상과 scale down을 위해 유전막으로써 적층형 ONO 구조가 도입되었고 이들의 박막화가 지속적으로 시도되고 있으나 공정 처리 과정에서 많은 문제들이 대두되고 있다. 본 연구에서는 L/L LPCVD를 사용하여 약 10Å의 자연산화막 성장을 억제함으로써 3fF/cell의 정전 용량을 확보할 수 있었다. 또한 유전막의 박막화에 따른 질화막의 이상산화에 미치는 영향을 고찰함으로써 내산화성을 확보할 수 있는 유전막 형성의 안정적인 공정 관리 방법을 제안하였다.
Anodizing is an electrochemical surface treatment method conferring corrosion resistance and durability by forming a thick anodization film on the metal surface. Aluminum has a long service life and high thermal conductivity and formability, as well as excellent corrosion resistance. Aluminum 3003 alloy has improved formability, strength, and corrosion resistance due to the addition of a small amount of manganese. However, corrosion occurs in seawater and environments polluted with corrosion-inducing substances, which reduce corrosion resistance. Therefore, it is necessary to artificially form a thick anodized film to improve corrosion resistance. In this study, the anodization treatment time was 4 minutes, and voltages of 10 V, 20 V, 30 V, 40 V, 50 V, 60 V, 70 V, 80 V, 90 V, and 100 V were applied. The thickness and pore size of the oxide film increased according to the applied voltage. A barrier film was formed under voltage conditions from 10 V to 50 V, and a porous film was formed under voltage conditions from 60 V to 100 V. After anodizing, coating was applied. Wettability and corrosion resistance were observed before and after coating according to the surface shape and thickness of the oxide film.
나노 결정질 $ZrO_2$ 박막을 제조하여 박막의 표면에서 인산칼슘을 유도하는 능력을 편가하기 위하여, 지르코늄 나프테네이트를 출발물질로 사용하고 화학적 용액법을 이용하여, $ZrO_2/Si$ 구조를 제작하였다. 코팅용액을 (100)Si 기판 위에 스핀코팅한 후, 500$^{\circ}C$에서 10분간 전열처리와 800$^{\circ}C$에서 30분간 최종열처리를 행하였고, 모든 열처리는 공기분위기에서 실시하였다. X-ray diffraction analysis를 이용하여 열처리된 박막의 결정화도를 조사하였고, 표면의 미세구조와 표면 거칠기를 field emission-scanning electron microscope와 atomic force microscope를 이용하여 관찰하였다. 열처리 후의 박막은 표면에 미세한 $ZrO_2$ 나노 결정이 생성되어 있었으며, 박막의 계면은 매우 균질 하였다. 유사생채용액에 1일 및 5일간 침적된 샘플의 표면위에 형성된 인산칼슘을 energy dispersive X-ray spectrometer를 이용하여 관찰하였고, fourier transform infrared spectroscopy를 이용하여 인산칼슘에 카본이 치환되어 있음을 확인하였다.
100 nm thick Sn doped ZnO (ZTO) single layer, 15 nm thick Ag buffered ZTO (ZTO/Ag), Ag intermediated ZTO (ZTO/Ag/ZTO) and Ag capped ZTO (Ag/ZTO) films were prepared on poly-carbonate (PC) substrates by RF and DC magnetron sputtering and then the influence of the Ag thin film on the optical and electrical properties of ZTO films were investigated. As deposited ZTO thin films show the visible transmittance of 81.8%, while ZTO/Ag/ZTO trilayer films show a higher visible transmittance of 82.5% in this study. From the observed results, it can be concluded that the 15 nm thick Ag interlayer enhances the opto-electrical performance of ZTO thin films effectively for use as flexible transparent conducting oxides films in various opto-electrical applications.
본 연구에서는 형식이 각기 다른 3종류의 미분무수 노즐을 사용하여 방사높이와 화염의 위치 변화에 따른 소화성능 실험과 포 소화약제를 혼합한 소화성능 실험을 수행했다. 소화성능 실험에서는 미분무수 노즐의 높이를 4m, 3.5m, 3m로 변화를 주었으며 연료 팬을 노즐 중심으로부터 0m, 0.5m, 1m의 변화를 주었다. 포 소화약제는 3%형 AFFF(Aqueous Film Forming Foam)를 사용하였다. 실험결과 개구부의 유무는 소화에 미치는 영향이 적었으며, 포 소화약제를 혼합한 미분무수의 소화성능은 약제를 혼합하지 않은 경우에 비하여 우수하였다.
In this study, the Al-rich AlTiSiN thin films that consisted of TiN/AlSiN nano-multilayers were deposited on the steel substrate by magnetron sputtering, and their high-temperature oxidation behavior was investigated, which has not yet been adequately studied to date. Since the oxidation behavior of the films depends sensitively on the deposition method and deposition parameters which affect their crystallinity, composition, stoichiometry, thickness, surface roughness, grain size and orientation, the oxidation studies under various conditions are imperative. AlTiSiN nano-multilayer thin films were deposited on a tool steel substrate, and their oxidation behavior of was investigated between 600 and $1000^{\circ}C$ in air. Since the amount of Al which had a high affinity for oxygen was the largest in the film, an ${\alpha}-Al_2O_3-rich$ scale formed, which provided good oxidation resistance. The outer surface scale consisted of ${\alpha}-Al_2O_3$ incoporated with a small amount of Ti, Si, and Fe. Below this outer surface scale, a thin ($Al_2O_3$, $TiO_2$, $SiO_2$)-intermixed scale formed by the inwardly diffusing oxygen. The film oxidized slower than the $TiO_2-forming$ kinetics and TiN films, but faster than ${\alpha}-Al_2O_3-forming$ kinetics. During oxidation, oxygen from the atmosphere diffused inwardly toward the reaction front, whereas nitrogen and the substrate element of iron diffused outwardly to a certain extent.
된장 저장 중의 변질을 방지하기 위하여 된장을 변질시키는 산막효모 한 균주를 분리동정하고, 이 미생물에 식염, pH온도 처리에 대해 생육조건을 조사한 결과는 다음과 같다. (1) 된장 표면에 가장 많이 번식하여 된장을 변질시키는 산막효모가 Lodder의 분류법에 준하여 Pichia membranaefaciens로 추정되었다. (2) 이 균주는 Hayduck 배양액에서 식염농도가 증가됨에 따라 발육이 현저하게 억제되었으며 15% 이상의 농도에서는 생육하지 못하였다. (3) pH를 달리한 배지에서 배양할 때 PH 6.0에서 가장 잘 생육하였고 다음 pH 7.0, 5.0, 8.0, 9.0, 4.0의 순이었다. (4) 배양온도는 $25^{\circ}C$에서 가장 잘 생육하였고 1$0^{\circ}C$ 이하에서는 거의 생육하지 못하였으며 사멸온도는 10분간 처리에서 68$^{\circ}C$였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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