본 연구는 영화창작자들을 대상으로 영화기획과정에서의 정보활동을 인간정보행위모형을 재구성하여 영화창작자의 정보활동모형을 해석해 보았다. 영화창작자의 정보활동은 영화의 작은 사회 정보환경 내의 채널을 통하여 정보를 교환하고 수집, 분석하며 이를 공통된 창조물로 내면화하여 전략적인 결과물로 표현한다. 영화창작정보추구 목적과 일상생활정보추구의 목적은 구분할 수 없을 정도로 밀접하게 연결되며, 공동 커뮤니케이션이 가장 중요한 정보채널이면서 동시에 중요한 정보원임이 밝혀졌다.
Journal of information and communication convergence engineering
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제4권3호
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pp.111-113
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2006
A new thin film deposition technique of piezoelectric ZnO film and its successful application for film bulk: acoustic resonator (FBAR) devices are presented. The two-step deposition used seems to be able to deposit ZnO film with a highly preferred orientation. The FBAR devices with the ZnO films show an excellent return loss of $35{\sim}50$ dB at $1.5{\sim}2$ GHz.
Journal of information and communication convergence engineering
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제1권1호
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pp.23-26
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2003
A photodiode capable of obtaining a sufficient photo/dark current ratio at both a forward bias state and a reverse bias state is proposed. The photodiode includes a glass substrate, an aluminum film formed as a lower electrode over the glass substrate, an alumina film formed as a schottky barrier over the aluminum film, a hydrogenated amorphous silicon film formed as a photo conduction layer over a portion of the alumina film, and a transparent conduction film formed as an upper electrode over the hydro-generated amorphous silicon film. Growth of high quality alumina($Al_{2}O_{3}$) film using anodizing technology is proposed and analyzed by experiment. We have obtained the film with a superior characteristics
MgO thick film for ac-PDPs was formed via electrophoresis deposition process and its effect on luminance and luminance efficiency were evaluated. The electrophoresis deposition process of MgO thick film was optimized through parametric study and defects levels in MgO powders was evaluated using cathodoluminescence spectra measurements. The results demonstrate a possibility of using MgO thick film as electron emission layer for ac-PDPs.
In this paper, the resonance characteristics of ZnO-based film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with high-quality multi-layer reflectors are proposed. The ultrathin Cr film $(300\;\AA-thick)$ between $SiO_2$ film and W film is formed by a sputtering-deposition in order to enhance the adherence at their interfaces. The resonance frequency was observed to vary with the number of the reflectors. This seems to be attributed to the change in the effective thickness of the ZnO film. Also, increasing the number of layers has led to a significant improvement of the series/parallel quality factor.
Journal of information and communication convergence engineering
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제9권4호
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pp.461-465
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2011
An aluminum doped zinc oxide (AZO) film for front contacts of thin film solar cells, in this work, were deposited by r.f. magnetron sputtering, and then etched in diluted hydrochloric acid solution for different times. Effects of surface texturing on the electro-optical properties of AZO films were investigated. Also, to clarify the light trapping of textured AZO film, amorphous silicon thin film solar cells were fabricated on the textured AZO/glass substrate and the performance of solar cells were studied. After texturing, the spectral haze at the visible range of 400 ~750 nm increased substantially with the etching time, without a change in the resistivity. The conversion efficiency of amorphous Si solar cells with textured AZO film as a front electrode was improved by the increase of short-circuit current density ($J_{sc}$), compared to cell with flat AZO films.
In this study, residual stress distribution in multi-stacked film by MEMS (Micro-Electro Mechanical System) process is predicted using Finite Element method (FEM). We evelop a finite element program for residual stress analysis (RESA) in multi-stacked film. The RESA predicts the distribution of residual stress field in multi-stacked film. Curvatures of multistacked film and single layers which consist of the multi-stacked film are used as the input to the RESA. To measure those curvatures is easier than to measure a distribution of residual stress. To verify the RESA, mean stresses and stress gradients of single and multi layers are measured. The mean stresses are calculated from curvatures of deposited wafer by using Stoney's equation. The stress gradients are calculated from the vertical deflection at the end of cantilever beam. To measure the mean stress of each layer in multi-stacked film, we measure the curvature of wafer with the left film after etching layer by layer in multi-stacked film.
본 연구는 영화 소비 과정을 탐색하기 위해 영화 취향 및 영화 정보 이용 요인들, 인구사회 요인들을 투입해 영화 소비에 미치는 영향을 살펴보았다. 본 연구의 주요 결과들은 다음과 같다. 첫째, 영화 소비에 가장 큰 영향을 미치는 요인은 영화 취향으로 나타났다. 응답자들은 영화 취향 정도가 증가할수록 영화소비가 늘어나는 것으로 나타났다. 둘째, 영화 취향은 영화 정보를 인터넷으로 검색하거나 영화 블로그를 이용하는 행위에 유의미한 영향을 미치는 것으로 나타났다. 영화 취향 정도가 높을수록 인터넷으로 영화정보를 검색하거나 영화 블로그를 이용하는 것으로 나타났다. 한편, 영화 블로그를 이용하는 응답자들은 영화 소비가 늘어났던 반면 영화 인터넷 검색 여부는 영화 소비에 영향을 미치지 않았다. 셋째, 성별이나 소득과 같은 인구사회 요인들 중에서 성별 요인만 영화 소비에 정적인 영향을 미치는 것으로 나타났다. 여성 응답자일수록 영화 소비 정도가 증가했다. 반면, 소득 요인은 영화 소비에 영향을 미치지 않았다.
Chalcopyrite based (CIGS) thin films have considered to be a promising candidates for industrial applications. The growth of quality CIGS thin films without secondary phases is very important for further efficiency improvements. But, the identification of complex secondary phases present in the entire film is crucial issue due to the lack of powerful characterization tools. Even though X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and normal Raman spectroscopy provide the information about the secondary phases, they provide insufficient information because of their resolution problem and complexity in analyzation. Among the above tools, a normal Raman spectroscopy is better for analysis of secondary phases. However, Raman signal provide the information in 300 nm depth of film even the thickness of film is > $1{\mu}m$. For this reason, the information from Raman spectroscopy can't represent the properties of whole film. In this regard, the authors introduce a new way for identification of secondary phases in CIGS film using depth Raman analysis. The CIGS thin films were prepared using DC-sputtering followed by selenization process in 10 min time under $1{\times}10^{-3}torr$ pressure. As-prepared films were polished using a dimple grinder which expanded the $2{\mu}m$ thick films into about 1mm that is more than enough to resolve the depth distribution. Raman analysis indicated that the CIGS film showed different secondary phases such as, $CuIn_3Se_5$, $CuInSe_2$, InSe and CuSe, presented in different depths of the film whereas XPS gave complex information about the phases. Therefore, the present work emphasized that the Raman depth profile tool is more efficient for identification of secondary phases in CIGS thin film.
Multijunction solar cells present a practical solution towards a better photovoltaic conversion for a wider spectral range. In this review, we compare different types of multi-ijunction solar cell. First, we introduce thin film multijunction solar cell include to the thin film silicon, III-V material and chalcopyrite material. Until now the maximum reported power conversion efficiencies (PCE) of solar cells having different component sub-cells are 14.0% (thin film silicon), 46% (III-V material), 4.4% (chalcopyrite material) respectively. We then discuss the development of multijunction solar cell in which c-Si is used as bottom sub-cell while III-V material, thin film silicon, chalcopyrite material or perovskite material is used as top sub-cells.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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