• 대한기계학회논문집A
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• 제38권9호
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• pp.973-978
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• 2014

본 연구는 페이즈 필드법 기반으로 하는 위상최적화를 이용하여 박막형 태양 전지의 광포획 구조의 반사층 설계를 목표를 하였다. 이를 위하여 입사된 빛이 설계영역인 반사층에서 반사되어 원하는 방향으로 진행하도록 하고자 하였다. 또한 같은 방법을 근적외선 영역의 반사판의 설계에 적용한 적외선 피탐지 구조의 개념 설계를 수행하였으며, 페이즈 필드법 기반의 결과와 밀도법 기반의 결과를 비교하였다. 목적함수는 에너지의 흐름을 나타내는 포인팅 벡터값의 최대화로 설정하였고, 반사된 빛의 방향을 조절하기 위하여 지정된 측정영역에서 값을 측정하였다. 본 연구의 유한요소해석 및 최적화 과정은 상용 프로그램인 COMSOL과 Matlab 프로그램을 이용하여 수행되었다.

• 대한전기학회논문지
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• 제35권10호
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• pp.465-472
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• 1986

The present study was carried out to investigate the mechanism which control the voltage instability and the breakdown of CVD Al2O3 on Si substrates. Our sample were metal-Al2O3-Oi Capacitors with both Al and Au field plates. Electron injection and trapping, with resultant positive flatband voltage shift, occur at fields as low as 1-2[MV/cm.] We developed an approximate method for computing the location of the centroid of the trapped electrons. Our results indicate that the electrons are trapped near the injecting interface, at least for fields less than about 5[MV/cm ] Because of continued charging, a true steady state is probably never reached, and the only unique I-V curve is the one obtained initially, when the traps are empty. We measured this I-V curve for both polarities of applied voltage, using a fresh sample for each point. The observed current densities are much larger than those obtained in thermally grawn SiO2.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제2권3호
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• pp.170-172
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• 2002

The epilayer of vertically stacked, self-assembled InAs Quantum Dots (QDs)was grown by MBE with solid sources in non-cracking K-cells, and the sample was fabricated to a FET structure using a conventional technology. The device characteristic and performance were studied. At 77K and room temperature, the threshold voltage shift values are 0.75V and 0.35 V, which are caused by the trapping and detrapping of electrons in the quantum dots. Discharging and charging curves form the part of a hysteresis loop to exhibit memory function. The electrical injection of confined electrons in QDs products the threshold voltage shift and memory function with the persistent electron trapping, which shows the potential use for a room temperature application.

• 대한기계학회논문집B
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• 제38권10호
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• pp.845-851
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• 2014

유전영동(DEP)이란 비균질의 전기장과 그에 따라 입자 내부에 형성되는 극성힘에 의해 용매에 분산되어 있는 입자에 야기되는 운동을 의미하며, 세포, 바이러스, 나노입자 등의 트래핑, 입자분류, 셀분리 등과 같은 다양한 생물학적 응용에 이용되어 왔다. 지금까지 유전영동트랩에 대한 해석은 주기평균 ponderomotive force 에 기반한 정특성 해석이 주를 이루고 있으며, 동특성에 대해서는 많은 연구가 이루어져 있지 않다. 이는 지금까지 유전영동트랩이 적용된 입자들의 크기가 상대적으로 매우 크기 때문으로, 분석입자의 크기가 매우 작은 나노단위 분석에서는 적절하지 않다. 본 연구에서는, 다양한 시스템 파라미터들에 대한 트래핑의 동역학적 반응 및 그들의 트래핑 안정성에 대한 영향을 심도깊게 관찰하고자 한다. 특히, 입자의 전도율에 따른 입자의 동특성의 변화 또한 관찰하고자 한다.

• 전기의세계
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• 제27권3호
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• pp.31-35
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• 1978

In this paper, in order to clarify the mature of traps in polymer, the thermally stimulated current (TSC) measurements were mad on high density polyethylene by changing the condition of the high-field treatment such as the strength of the field (Fe), the treatment time (te) and the heating rate (.betha.). In addition, the TSC measured from the HDPE was compared with that from LDPE having different crystallinity. The obtained results can suggest that the trapping proceeds during the high-field treatment and the trap associated with the peak P$_{2}$ may have the closed relation to drystallinity and the release of trapped charge is enhanced by the molecular motion.

• 펄프종이기술
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• 제44권3호
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• pp.41-48
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• 2012

Materials used for the inks in the printing industry is an important material following the paper. The composition of the ink is pigment and organic solvents. However, Ink is used in a variety of chemicals, they are classified as non-green. Therefore, rosin-modified phenolics manufactured by the reaction of phenol and formaldehyde can take the place of eco-phenol free resin and by experiment density, gloss, trapping, contrast and dot gain of printing has been studied as printability. The result of study can support that the properties of printing using eco-phenol free resin such as density, gloss, contrast and trapping is similar to existing ink. In the part of dot gain, the result is excellent. So we were thought to be able to improve some characteristics such as dispersion of black ink, that will be possible for the field applicability.

• 한국음향학회지
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• 제39권5호
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• pp.435-440
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• 2020

음향집게는 마이크론 단위의 미세입자를 비접촉 방식으로 조작할 수 있어 다양한 생체공학 응용에 사용되고 있다. 현재까지 음향집게는 in vitro 실험을 목적으로 개발되어 임의파형 발생기와 전력 증폭기와 같은 부피가 큰 고가의 장비를 사용하여 구현하였다. 따라서 이러한 시스템은 이동이 불편하여 한정된 공간에서만 사용이 가능하기 때문에 향후 in vivo 및 임상 실험에 적합하지 않은 구조를 가진다. 따라서 본 논문에서는 이동이 가능한 휴대용 음향집게를 개발하고 그 성능을 평가하였다. 개발한 휴대용 음향집게 시스템은 하나의 Field Programmable Gate Array(FPGA)와 2 개의 펄서로 구현되었으며, Universal Serial Bus(USB) 통신을 이용하여 Personal Computer(PC)에서 송신 주파수 및 펄스 길이 등을 실시간으로 조절이 가능하도록 설계하였다. 개발한 시스템은 최대 20 MHz의 중심 주파수 까지 송신이 가능하며, 미세입자 및 세포를 포획할 수 있는 충분한 힘을 생성할 수 있었다. 개발한 시스템의 성능을 평가하기 위하여 40 ㎛와 90 ㎛ 크기의 폴리스티렌 입자를 포획 및 조정하였다.

• 한국응용곤충학회:학술대회논문집
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• 한국응용곤충학회 2001년도 합동 춘계 학술발표회
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• pp.50-50
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• 2001

• 한국물환경학회지
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• 제31권5호
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• pp.482-490
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• 2015

In this study, considering the factors that affects sediment trapping efficiency of Vegetative Filter Strips (VFS), the scenarios were designed to develop a regression equation to estimate sediment trapping efficiency of VFS for agricultural fields in South-Korea. For this, general conditions of agricultural fields in South-Korea were investigated. Then, based on these results, total 53,460 scenarios were set and simulated by Vegetative Filter Strip MODel (VFSMOD-w). Two variables were determined from the results of 53,460 scenarios. These two variables were applied to CurveExpert for development of a equation, which can estimate sediment trapping efficiency of VFS. The equation developed in this study can be used in SWAT model for estimation of sediment reduction efficiency of VFS to upland field in Korea. Moreover, it is expected that VFS will be effectively applied to agricultural fields in South-Korea.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제9권3호
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• pp.166-173
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• 2009

The reliability of hafnium oxide gate dielectrics incorporating lanthanum (La) is investigated. nMOSFETs with metal/La-doped high-k dielectric stack show lower $V_{th}$ and $I_{gate}$, which is attributed to the dipole formation at the high-k/$SiO_2$ interface. The reliability results well correlate with the dipole model. Due to lower trapping efficiency, the La-doping of the high-k gate stacks can provide better PBTI immunity, as well as lower charge trapping compared to the control HfSiO stacks. While the devices with La show better immunity to positive bias temperature instability (PBTI) under normal operating conditions, the threshold voltage shift (${\Delta}V_{th}$) at high field PBTI is significant. The results of a transconductance shift (${\Delta}G_m$) that traps are easily generated during high field stress because the La weakens atomic bonding in the interface layer.