The potentials of NixZn1-xFe2O4 (x = 0.0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8 and 1.0) nanoadsorbents were investigated for removal of Cd and Cr from contaminated water from an electroplating industry in Himachal Pradesh, India. Optimal values were recorded under batch adsorption experiments performed to remove dissolved heavy metal ions from industrial wastewater. The specific surface area (SSA) of nanoadsorbents perceived to vary in a range 35.75-45.29 cm2/g and was calculated from the XRD data. The influence of two operating parameters, contact time and dopant (Ni) concentration was also investigated at pH ~7 with optimum dosage. Kinetic studies were conducted within a time range of 2-10 min with rapid adsorption of cadmium and chromium ions onto Ni0.2Zn0.8Fe2O4 nanoadsorbents. Pseudo-second-order kinetic model was observed to be well fitted with the adsorption data that confirmed the only existence of chemisorption throughout the adsorption process. The maximum adsorption efficiency values observed for Cd and Cr were 51.4 mg/g and 40.12 mg/g, respectively for different compositions of prepared series of nanoadsorbents. The removal percentage of Cd and Cr was found to vary in a range of 47.7%-95.25% and 21%-50% respectively. The prepared series of nanoferrite found to be suitable enough for adsorption of both heavy metal ions.
Sin, Seung-Hak;Kim, Jong-Gi;Lee, Jun-Hyeong;Heo, Yeong-U;Kim, Jeong-Ju
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.266.2-266.2
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2016
최근 디스플레이 산업의 확대에 따라 투명 전도 산화물(Transparent Conducting Oxides:TCOs)의 수요가 급증하고 있다. 이 중 ZnO는 wide bandgap (3.37eV)와 large exciton binding energy (60meV)의 값을 가져 차세대 투명 전도 산화물, LED와 LD 등의 소자 소재로 각광받고 있다. ZnO는 electron을 내어놓는 native defect 때문에 기본적으로 n-type 물성을 띈다. 그래서 dopant를 이용해 p-type ZnO를 제작할 때 native defect를 줄이는 것이 중요한 요점이 된다. 이 때 buffer layer를 사용하여 native defect를 줄이는 방법이 사용되고 있다. 본연구에서는 RF-magnetron sputtering법을 이용하여 c-plane sapphire 기판 위에 다양한 조건의 ZnO buffer layer를 증착하고, 그 위에 ZnO:(Al,P) co-doping한 APZO를 증착하였다. ZnO buffer layer 증착조건의 변수는 증착온도와 Ar:O2의 비율을 변수로 두었다. 이러한 박막을 FE-SEM, XRD, Hall effect measurement, AFM을 통하여 미세구조와 물성을 관찰하였다. 이 때 APZO보다 낮은 증착온도에서 ZnO buffer layer가 증착되면 APZO를 증착하는 동안 chamber 내부에서 열처리하는 효과를 얻게 되고, UHV(Ultra High Vaccum)에서 열처리 될 때 ZnO buffer layer의 mophology와 결정성이 변하게 되는 모습을 관찰아혔다. 또한 본 실험을 통해 ZnO buffer layer의 증착 온도가 APZO의 증착온도보다 높을 때 제어 가능한 실험이 됨을 확인 할 수 있었다.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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v.35D
no.6
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pp.37-45
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1998
In this paper, we report the first three-dimensional simulation result of the transient enhanced diffusion(TED) of dopants in the ion-implanted silicon by employing our 3D semiconductor process simulator, INPROS system. In order to simulate three-dimensional TED redistribution of dopants in silicon, the dopant distributions after the ion implantation was calculated by Monte Carlo(MC) method, followed by finite element(FE) numerical solver for thermal annealing. Excellent agreement between the simulated 3D profile and the SIMS data has been obtained for ion-implanted arsenic and phosphorus after annealing the boron marker layer at 75$0^{\circ}C$ for 2 hours. Our three-dimensional TED simulation could successfully explain the reverse short channel effect(RSCE) by taking the 3D point defect distribution into account. A coupled TED simulation and device simulation allows reverse short channel effect on threshold to be accurately predicted.
The conducting polymer composites were prepared by imbibing the porous particle wish the $FeCl_3$ oxidant solution, drying the imbibed porous particle, and imbibing again with pyrrole solution for polymerization to take place in the pore of porous particles. The effect of synthesis conditions on the conductivity of composite polymers were investigated. It was found that the conductivity of composite polymers was dependant on the concentration of pyrrole monomer, nature of the oxidants and solvents used for the oxidant and pyrrole, which influence the degree of penetration/distribution of polyprrole in the composite and reaction of dopant with pyrrole.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.32A
no.2
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pp.66-72
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1995
Using the Si/SiGe layer grown by solid source molecular beam epitaxy(SSMBE) on the LOCOS-patterned wafers, an emitter-base self-aligned hterojunction biplar transistor(HBT) with the polysilicon-emitter and the silicon germanium(SiGe) base has been fabricated. Trech isolation process, planarization process using a chemical-mechanical poliching, and the selectively implanted collector(SIC) process were performed. A titanium disilicide (TiSi$_{2}$), as a base electrode, was used to reduce an extrinsic base resistance. To prevent the strain relaxation of the SiGe epitaxial layer, low temperature (820${^\circ}C$) annealing process was applied for the emitter-base junction formation and the dopant activation in the arsenic-implanted polysilicon. For the self-aligned Si/SiGe HBT of 0.9${\times}3.8{\mu}m^{2}$ emitter size, a cut-off requency (f$_{T}$) of 17GHz, a maximum oscillation frequency (f$_{max}$) of 10GHz, a current gian (h$_{FE}$) of 140, and an emitter-collector breakdown voltage (BV$_{CEO}$) of 3.2V have been typically achieved.
Hong-Ku Shim;Sae-Kyung Kim;Jung-Il Jin;Kil-Ho Kim;Yung-Woo Park
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.11
no.1
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pp.11-15
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1990
The temperature dependence of electrical conductivities and thermoelectric power of $I_2$-doped poly(1,4-penylene vinylene-co-2,5-dimethoxy-1,4-phenylene vinylene)s [poly(PV-co-DMPV)] and poly(1,4-phenylene vinylene-co-2,5-thienylene vinylene)s [poly(PV-co-TV)] were studied. The former copolymers were also doped with $FeCl_3$. All the samples used were in thin film forms. The temperature dependence of electrical conductivity implies that the variable range hopping conduction mechanism applises to these systems. The activation energy for the electrical conduction in dimethoxy-phenylene vinylene (DMPV) copolymers ranged from about 7 to 30 meV depending on the polymer composition and the nature of the dopant. It was significantly higher for $I_2$-doped thienylene vinylene (TV) copolymers, namely 90-200 meV. The values of the room temperature thermoelectric power were $30-70{\mu}V/K$ for DMPV copolymer and $100-800{\mu}V/K$ for TV copolymers. Anisotropy in the electrical conductivities was also studied for oriented films obtained by uniaxial stretching of the precursor polymer films.
The sites for $Fe^{+3}$ are partly substituted by $Co^{+2}$ and $Ti^{+4}$ cations to control coercivity of Ba-ferrite particles for use in high density magnetic recording. The substituted $Co^{+2}$ cation has very much different effects on magnetic properties and particle characteristics from that $Ti^{+4}$ cation has. The decrease in the coercivity with the $Co^{+2}$ substitution is attributed to the formation of excessive spinel-block(S-block) in pure Ba-ferrite crystal, while saturation magnetization is increased and the distributions of coercivity and particle size become broad. The substitution with the $Ti^{+4}$ decreases the sauration magnetization, but has less effect on a change in coercivity than the $Co^{+2}$. The $Ti^{+4}$ acts as a nucleation agent in amorphous phase of formulated compound, and consequently particle size and aspect ratio are decreased. Furthermore, the enhancement of substitution of the $Co^{+2}$ for the $Fe^{+3}$ sites in rhombohedral-block(R-block) by the $Ti^{+4}$ retards the nucleation of spinel phase of Ba-ferrite, which results in uniform magnetic properties of Ba-ferrite particles. It is suggested that the contents of the cations to be substituted for the $Fe^{+3}$ sites are optimized on the bases of magnetic properties and particle characteristics rather than on the base of electrical charge balance.
Lee, Jun Kyu;Kim, Cho Gyun;Bae, Ki Kwang;Park, Chu Sik;Kang, Kyoung Soo;Jeong, Seong Uk;Kim, Young Ho;Joo, Jong Hoon;Cho, Won Chul
Korean Chemical Engineering Research
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v.54
no.3
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pp.394-403
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2016
$H_2$ production by chemical looping is an efficient method to convert hydrocarbon fuel into hydrogen with the simultaneous capture of concentrated $CO_2$. This process involves the use of an iron based oxygen carrier that transfers pure oxygen from oxidizing gases to fuels by alternating reduction and oxidation (redox) reactions. The enhanced reactivities of copper oxide doped iron-based oxygen carrier were reported, however, the fundamental understandings on the interaction between $Fe_2O_3$ and CuO are still lacking. In this study, we studied the effect of dopant of CuO to $Fe_2O_3/ZrO_2$ particle on the morphological changes and the associated reactivity using various methods such as SEM/EDX, XRD, BET, TPR, XPS, and TGA. It was found that copper oxide acted as a chemical promoter that change chemical environment in the iron based oxygen carrier as well as a structural promoter which inhibit the agglomeration. The enhanced reduction reactivity was mainly ascribed to the increase in concentration of $Fe^{2+}$ on the surface, resulting in formation of charge imbalance and oxygen vacancies. The CuO doped $Fe_2O_3/ZrO_2$ particle also showed the improved reactivity in the steam oxidation compared to $Fe_2O_3/ZrO_2$ particle probably due to acting as a structural promoter inhibiting the agglomeration of iron species.
Both manufacturing parameters and particles' chemical composition controll coercivity and its distribution of magnetic particles. The coercivity and its distribution are important properties for high density magnetic recording, so these are used as tool for evaluation of reproducibility of magnetic particles. We report in this paper the applications of dM/dH versus H curve, which is derived from magnetic hysteresis loop, to the evaluation of coercivity distribution of magnetic particles and oxidation studies of recording metal particles. The coercivity distri-bution can be estimated from the full width half rnaximun (FWHM) and the peak shape of the dM/dH versus H curve. The peak shape of the curve depends upon distribution of particles' coercivity. The peak of dM/dH versus H curve becomes broad and lor is splitted into two or rmre peaks. It depends on uniformity of particles' coercivity. When the coercivity difference between Ba-Ferrite and ${\gamma}-Fe_{2}O_{3}$ is larger than 600 Oe, the peak becomes broad and is consequently splitted into two peaks. Ununiformly substituted Ba-Ferrite particles show broad peak. It is apparent that the analysis of the curve is one of sensitive measuring techniques for determination of coercivity distri-bution and studies on magnetic properties of substituted Ba-Ferrite and oxidation of magnetic recording metal particles.
To chemically prepare polypyrrole(pPy) coated fabrics(silk, cotton and nylon fabrics), the fabrics were first soaked in 0.4M oxidant $FeCl_3$/0.06M dopant anthraquinone-2-sulfonic acid solution for 5min at room temperature, and subsequently soaked in a 0.4M monomer pyrrole aqueous solution for 5min at room temperature. The content(wt%) of coated pPy in the coated fabrics was controlled by the number of treatments(these two steps). This study examined the effect of the number of treatments/pPy content on the sheet resistance, mechanical/bending properties and color behaviors of pPy coated fabrics. The coated pPy content, sheet resistance(${\Omega}$/square) and color strength(K/S) of pPy coated fabrics increased sharply with increasing number of treatments up to 20 times, while the increase slowed down afterward. The tensile strength, elongation at break and lightness($L^*$) decreased with increasing number of treatments. The tensile modulus and bending rigidity of coated fabrics increased significantly with increasing number of treatments/coated pPy content. This indicated that the flexibility of coated fabrics decreased considerably.
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