어떤 R-C 분포회로의 징분방정식의 해가 기지일 때 이것을 이용하여 다수의 다른 분포회로의 징분방정식의 해를 구하는 방법이 얻어졌다. 임의의 R-C 분포회로를 제작의 편의상 R(x)C(x)=일정인 회로로 등가변환하는 도해적방법이 얻어졌으며 해석적증명도 가능하다. 또 이론적 취급의 통일과 간단을 위하여 임의의 R-C분포회로를 R(x), C(x) 어느 한쪽이 일정한 분포회로로 등가변환하는 방법이 얻어졌다. 이 후자의 회로와 근사적인 집중정수회로를 생각하므로서 분포회로의 근사적인 해석, 합성이 비교적 간단하게 이루어 질 수 있다. 6x A method by which solutions of the differential equations of any other distributed circuits can be obtained is described when the solution of the differential equation of an R-C distributed amplifier is known. A graphical method of transforming any R-C ditributed circuit into an equivalent circuit which has a constant R(x)-C(x) was also obtained. The theoretical verification of this method is possible. For simplicity, any R-C distributed circuit can be transformed into an equivalent circuit which is a distributed circuit of either constant R(x) or C(x). Using this equivalent circuit and considering a lumped circuit, an approximate analysis and synthesis can be made simply.
We have investigated equivalent-circuit analysis of organic light-emitting diodes in $ITO/TPD/Alq_3/Al$. Complex impedance Z of the device was measured in the frequency range of $40Hz{\sim}1MHz$. We are able to interpret the frequency-dependent response in terms of equivalent-circuit model of contact resistance $R_s$ in series with two parallel combination of $R_{TPD},\;C_{TPD}\;and\;R_{Alq3},\;C_{Alq3}$.
We present a new high-frequency equivalent circuit model for 52pin QFP used in typical IC's and extract R, L, and C values of this circuit model using a 3-D E & M field simulator. Futhermore, L and C value variations as a function of Pin number due to the shape differences of the leads have been fitted to 2nd order polynomials in order to extend the applicability of this model.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제8권3호
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pp.131-134
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2007
An $ITO/Alq_3/Al$ structure was used to study complex impedance of $Alq_3$ based organic light-emitting diodes. Equivalent circuit was analyzed in a device structure of $ITO/Alq_3/Al$ with a thickness layer of $Alq_3$ of 100 nm. The obtained impedance was able to be fitted using equivalent circuit model of parallel combination of resistance $R_p$ and capacitance $C_p$ with a small series resistance of $R_s$.
본 논문에서는 대략적인 PEEC 방법에 대해 논의 하고, 도선에 대하여 PEEC 등가회로를 구성하였으며, 주어진 등가회로로 부터 시스템의 행렬을 구하고, 이 행렬을 수치 해석적인 방법을 이용한 시뮬레이션을 수행하여 노드에서의 전압과 전류를 구하였다. PEEC 등가 회로를 구성하기 위해서, PEEC 등가 회로를 구성하는 성분(R, L, C)을 유한 요소법(finite element method)을 이용한 시뮬레이터를 이용하여 추출하였으며, 생성된 등가 회로에 대한 과도 해석을 수행하였다.
Some abnormal signals diagnostics and analysis through an important equivalent circuits modeling for passive elements under severe accident conditions have been performed. Unlike the design basis accidents, there are inherently some uncertainties in the instrumentation capabilities under the accident conditions. So, the circuit simulation analysis and diagnosis methods are used to assess instruments in detail when they give apparently abnormal readings as an accident alternative method. The simulations can be useful to investigate what the signal and circuit characteristics would be when similar to a variety of symptoms that can result from the environmental conditions such as high temperature, humidity, and pressure condition. In this paper, a new simulator through an analysis of the important equivalent circuits modeling under temperature accident conditions has been designed, the designed simulator is composed of the LabVIEW code as a main tool and the out-put file of the Multi-SIM code as an engine tool is exported to in-put file of the LabVIEW code. The procedure for the simulator design was divided into two design steps, of which the first step was the diagnosis method, the second step was the circuit simulator for the signal processing tool. It has three main functions which are a signal processing tool, an accident management tool, and an additional guide from the initial screen. This simulator should be possible that it could be applied a output signal analysis to some transient signal by variation of the resistance passive elements in the R-L-C equivalent circuit modeling under various degraded conditions in NPPs.
Che, Yanbo;Jia, Jingjing;Yang, Yuexin;Wang, Shaohui;He, Wei
Journal of Electrical Engineering and Technology
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제13권4호
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pp.1759-1768
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2018
The energy density, power density and ohm resistance of battery change significantly as results of battery aging, which lead to decrease in the accuracy of the equivalent model. A parameter identification method of the equivale6nt circuit model with 3 R-C branches based on the test database of battery life cycle is proposed in this paper. This database is built on the basis of experiments such as updating of available capacity, charging and discharging tests at different rates and relaxation characteristics tests. It can realize regular update and calibration of key parameters like SOH, so as to ensure the reliability of parameters identified. Taking SOH, SOC and T as independent variables, lookup table method is adopted to set initial value for the parameter matrix. Meanwhile, in order to ensure the validity of the model, the least square method based on variable forgetting factor is adopted for optimizing to complete the identification of equivalent model parameters. By comparing the simulation data with measured data for charging and discharging experiments of Li-ion battery, the effectiveness of the full life cycle database and the model are verified.
We have studied a conduction mechanism and equivalent circuit analysis in $Alq_3$ based Organic Light Emitting Diode. The conduction mechanism in organic light emitting diode can be classified into three regions; ohmic region, space-charge-limited current (SCLC) region and trap-charge-limited current (TCLC) region depending on the region of applied voltage. Equivalent circuit model of organic light emitting diode can be established using a parallel combination of resistance $R_p$ and capacitance $C_p$ with a small series resistance $R_s$.
We performed frequency response measurements of four tuning fork crystal oscillators with different sizes and analyzed their measured electrical equivalent circuit parameters of R, L, $C_S$, and $C_P$ as functions of the linear dimensions, length, width, and thickness. We observed that R and L showed an decreasing behavior with increasing length while $C_S$, and $C_P$ showed an increasing behavior. Similar dependences of the electrical parameters on thickness were also observed. On the contrary, any noticeable dependence of these parameters on width has not been found.
The impedance spectroscopy is one of the effective ways to understand the electrical properties of organic light emitting diodes. The frequency-dependant properties of small molecule based OLEDs have been studied. The equivalent circuit of single-layer device is composed of contact resistance ($R_c$), bulk resistance ($R_p$) and bulk capacitance ($C_p$). The equivalent circuit of double layer device is composed of two parallel circuits connected in series, each of which is a parallel resistor and a capacitor. We have fabricated a double layer device indium-rio-oxide (ITO, anode), N,NV -diphenyl- N,NV -bis(3-methylphenyI)-1,1V -diphenyl-4,4V-diamine (TPD, hole-transporting layer), tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3, emitting layer), and aluminum (AI, cathode) and two single layer devices ([TO/ Alq3/ AI, ITO/TPD/AI).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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