It has become topic continuously at MEMS or semiconductor process to form three-dimensional multilayer structure. In this paper, we devised the new polymer pattern method that has multilayer structure. This is method that uses different kind of polymeric material. Specially, polymers used in this study that we propose became all pattern by photolithography, prevented that process increases. Here, polymer that we use used polymer of epoxy order called "SU-8" and polymer of novolak resin called "AZ-1518". The result, "SU-8" was formed pattern to 3.5um thickness, and "AZ-1518" about pattern 3um thickness. Also, It was been 6um thickness at same pattern area.
Recently, the demand for high density MOSFET arrays are increasing. In implementing 3-D devices to this end, it is inevitable to ion-implant vertically in order to avoid screening effects caused by high silicon fins. In this study, the dependency of drain current characteristics on doping profiles is investigated by 3-D numerical analysis. The position of concentration peak (PCP) and the doping gradient are varied to look into the effects on primary current characteristics. Through these analyses, criteria of ion-implantation for 3-D devices are established.
International Journal of Precision Engineering and Manufacturing
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제9권2호
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pp.11-17
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2008
Critical erosion kinetic energy models for radial/median cracks and lateral cracks in a workpiece are established in this study. We used experimental results to demonstrate that the fracture erosion resistance and erosion machining number could be used to evaluate the brittle fracture resistance and machinability of a workpiece. Erosion kinetic energy models were developed to predict brittle fracture and ductile shear, and a critical erosion kinetic energy model was developed to predict the transition from brittle fracture to ductile shear. These models were verified experimentally.
During operations, neurosurgeons usually perform multiple temporary occlusions of parental artery, possibly resulting in the neuronal damage. It is generally thought that neuronal damage by cerebral ischemia is associated with extracellular concentrations of the excitatory amino acids. In this study, we measured the dynamics of extracellular glutamate release in 11 vessel occlusion(VO) model to compare between single occlusion and repeated transient occlusions within short interval. Changes in cerebral blood flow were monitored by laser-Doppler flowmetry simultaneously with cortical glutamate level measured by amperometric biosensor. From real time monitoring of glutamate release in 11 VO model, the change of extracellular glutamate level in repeated transient occlusion group was smaller than that of single occlusion group, and the onset time of glutamate release in the second ischemic episode of repeated occlusion group was delayed compared to the first ischemic episode which was similar to that of single 10 min ischemic episode. These results suggested that repeated transient occlusion induces less glutamate release from neuronal cell than single occlusion, and the delayed onset time of glutamate release is attributed to endogeneous protective mechanism of ischemic tolerance.
In this study, we have successfully fabricated a highly conductive transparent electrode using Ag nanowires, based on piezoelectric polyvinylidene difluoride (PVDF) film, that can be applied as transparent and flexible speakers. The structural morphology of the Ag nanowires was confirmed by a detailed scanning electron microscopy. Ultraviolet-visible spectroscopy demonstrated that the transparent electrode fabricated by the Ag nanowires exhibited a transmittance of above 70%. The transparent electrode also showed very low sheet resistance with high flexibility. We have further developed an anti-oxidation coating layer by using a tetraethyl orthosilicate-poly trimethyloxyphenylsilane (TEOS-PTMS) slurry technique. It was confirmed that the transmittance and sheet resistance of the antioxidant film depends critically on the humidity of the film surface. We believe such Ag nanowire electrodes are a very promising next-generation transparent electrode technology that can be used in future flexible and transparent devices.
A high voltage NMOSFET is proposed to drive top emission organic light emitting device (OLED) used in the organic electroluminescent (EL) display on the single crystal silicon substrate. The high voltage NMOSFET can be fabricated by utilizing a simple layout technique with a standard CMOS logic process. It is clearly shown that the maximum supply voltage ($V_{DD}$) required for the pixel-driving transistor could reach 45 V through analytic and experimental methods. The high voltage NMOSFET was fabricated by using a standard 1.5 ${\mu}m$, 5 V CMOS logic process. From the measurements, we confirmed that the high voltage NMOSFET could sustain the excellent saturation characteristic up to 50 V without breakdown phenomena.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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