Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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1997.10a
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pp.833-836
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1997
Magnesium alloys are one of light weight material. Strength and stiffness of Magnesium alloys are enough to use for commercial product. Demand for strong, lightweight parts several computer and electronics have driven much of Magnesium injection molding's growth so far. And it is eighth most abundant resource on earth. In electronic device, electromagnetic interface and electrostatic discharge can affect performance. Magnesium injection molding is similar to normal plastic injection molding process. But some process condition is different. Especially injection speed and process temperature are so differs from other injection molding system. It just start for make something. But Magnesium injection molding is one of best alternate process for producing metal alloy part.
In this paper, a tunable image rejection filter using two varactors is developed for mobile convergence. The filter is fabricated on a 0.25um substrate. ESD Pad is embedded to prevent damage caused by electrostatic discharge(ESD). Bias voltages are at WCDMA(2.1GHz). WiBro(2.3GHz), and WLAN(2.45) are 0.5V, 0.95V and 1.8V respectively. And the image rejection rations are more than 28dB at each band and insertion losses are less than 2dB at each band.
When flammable gases are mixed with air or oxygen in the explosion concentration range and are ignited by sufficiently large electrostatic discharge energy, they may explode causing severe disaster in workplaces. The minimum ignition energy (MIE) of single gas-air mixtures has been already investigated by many researchers, but the MIE of mixtures of more than three substances is not examined yet. The purpose of this study is to investigate the MIE of several three-component gas mixtures experimentally. The result of our experiment shows that the MIE of some gas mixtures is quite different from that we expected based on the characteristics of individual gas-air mixture.
Seo, Yong-Jin;Kim, Kil-Ho;Park, Sung-Woo;Lee, Sung-Il;Han, Sang-Jun;Han, Sung-Min;Lee, Young-Keun;Lee, Woo-Sun
Proceedings of the KIEE Conference
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2006.10a
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pp.97-98
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2006
High current behaviors of extended drain n-type metal-oxide-semiconductor field effects transistor (EDNMOS) with double polarity source (DPS) for electrostatic discharge (ESD) protection are analyzed. Simulation based contour analyses reveal that combination of bipolar junction transistor operation and deep electron channeling induced by high electron injection gives rise to the second on-state. Therefore, the deep electron channel formation needs to be prevented in order to realize stable and robust ESD protection performance. Based on our analyses, general methodology to avoid the double snapback and to realize stable ESD protection is to be discussed.
This study presents states-of-the art overview of the system level electrostatic discharge (ESD) analysis and testing. After brief description of ESD compliance standards and ESD coupling mechanisms, the study provides an in-depth review and comparison of the various techniques for the system level ESD coupling analysis using time and frequency domain techniques, full wave electromagnetic modeling and hybrid modeling. The methods used for improving system level ESD testing using troubleshooting and determining the root causes of soft failures, the optimization of ESD testing and the countermeasures to mitigate ESD problems are also discussed.
The technology for neutralizing static electricity by soft X-ray radiation has been newly developed. This technology involves ionization of gas molecules in the vicinity of a charged substrate to generate ions and electrons to reduce electrostatic potential. The ULSI device substrate and liquid crystal display substrate tend to get charged instantly to a high potential level when they are handled in the manufacturing process. Soft X-ray radiation is adequate in air or $O_2$ gas at atmospheric pressure. This newly developed neutralization method is effective to be superior to the conventional technique, i.e., an ionizer by using corona discharge ,in every aspect. The new method features excellent neutralization capability and is able to completely reduce electrostatic potential to 0 V within a short time. Moreover, this is a very clean antistatic technology free from particle generation ,ozone generation, and electromagnetic noise, which are problems in using the corona discharge ionizer.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.49
no.10
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pp.570-576
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2000
The discharge and the collection efficiency characteristics of an electrostatic precipitator have been studied under various operating conditions. The specific resistivity of pulverized coal dust was about 1013∼1014[${\Omega}{\cdot}cm$] and reached the maximum value of 6${\times}$1013[${\Omega}{\cdot}cm$] at 150[$^{\circ}C$]. Back corona has been occurred as dust contents and gas temperature increase. In the case of back corona occurrence, collection effciency decreased rapidly. This problem has been solved by increasing moisture contents. Experimental results showed that collection efficiency of the full wave voltage was higher than that of the pulse wave voltage. The modification parameter k of the collection efficiency equation was about 0.42.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.08a
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pp.19-24
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2002
Static electricity is an everyday phenomenon. There can be few of us who have not experienced a static shock after sliding across a car seat. Other static nuisance effects include the cling of some fabrics to the body, the sticking of a plastic document cover, or the attraction of dust to a TV or computer screen. However, static electricity has been a serious industrial problem. The age of electronics brought with it new problems associated with static electricity and electrostatic discharge. And, as electronic devices became faster and smaller, their sensitivity to ESD increased. In this work, We are study on the control technique of electo-static discharges using semiconductor circuits. Our circuits are prevented well to electrostatic shock or damages from triboelectric charging in cars everyday life.
Electrostatic discharge (ESD) protection devices of P-type embedded silicon-controlled rectifier (PESCR) structure were analyzed for high-voltage operating input/output (I/O) applications. Conventional PESCR standard device exhibits typical SCR characteristics with very low-snapback holding voltages, resulting in latch-up problems during normal operation. However, the modified device with the counter pocket source (CPS) surrounding N+ source region and partially formed P-well (PPW) structures proposed in this study could improve latch-up immunity by indicating high on-resistance and snapback holding voltage.
It is a well known fact that the LCD and Semiconductor Devices are a central part of IT industry which is important in the present and the future. But the biggest problem of Semiconductor and LCD manufacturing is maintaining a cleaning room environment. For this reason, the soft X-ray type Ionizer was used as the electrostatic reducer device, which protects damage of the product against electrostatic discharge in the manufacturing process. Therefore it is a essential important factor during Semiconductor and LCD production process. But the soft X-ray has a intrinsic problem with harmful to human being in case of soft X-ray exposure. That's reason we have the research to solve above problem and made an apparatus that it was covered with shielding structure to protect X-ray radiation to outside. And besides, it has a possibility to eliminate the charged electrostatic in the narrow space through the slot for Ion emissions with dual soft X-ray sources on the both side. It is also not make the particles from itself when it has been operated.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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