Park, Seung-Chan;Lim, Dong-Kyun;Lee, Sang-Min;Yoon, Kwang-Sub
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.34
no.7A
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pp.568-573
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2009
This paper presents a step-down DC-DC converter with On-chip Compensation for battery-operated portable electronic devices which are designed in O.13um CMOS standard process. In an effort to decrease system volume, this paper proposes the on chip compensation circuit using capacitor multiplier method. Capacitor multiplier method can minimize error amplifier's compensation capacitor size by 10%. It allows the compensation block of DC-DC converter be easily integrated on a chip and occupy less layout area. But capacitor multiplier operation reduces DC-DC converter efficiency. As a result, this converter shows maximum efficiency over 87.2% for the output voltage of 1.2V (input voltage : 3.3V), maximum load current 500mA, and 25mA output ripple current. This voltage mode controled buck converter has 1MHz switching frequency.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.34
no.9C
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pp.880-886
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2009
Recently, the memory is used in many electronic devices, thus, the many researchers make a study of the memory. To increase a storage capacity per memory block, the researchers study for reducing the fabrication process of memory and multi-level cell memory which is storing more than 2-bits in a cell. However, the multi-level cell memory has low bit-error rates by various noises. In this paper, we study the noise of multi-level cell memory, and we propose the channel model of multi-level cell memory.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers A
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v.52
no.2
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pp.90-98
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2003
Recently, the increasing application of electronic equipments and information devices has heightened the interest in power qualify. The term power quality is applied to a wide range of electromagnetic phenomena on the power system and is also concentrated by all areas such as utilities, their customers and suppliers of load equipments. In engineering terms, power Qualify is expressed by voltage qualify because the power supply system can only control the quality of the voltage. Therefore, the standards in power quality area are devoted to keep the supply voltage within allowable limits. This paper deals with single-phase unified power quality conditioner (UPQC), which ai s at the integration of series-active and shunt-active filter. The series filter il used to compensate for the voltage distortions and the shunt filter is used to provide reactive power and counteract the harmonic current injected by the load. Also, the voltage of the DC link capacitor is controlled to a desired value by the shunt active filter. The validity of the proposed UPQC is demonstrated using both the MATLAB/SIMULINK simulation and the experimental device with DSP (TMS320C32).
ZnO:Cu thin films are deposited by using an RF magnetron co-sputtering system with Cu chips attached on ZnO target. Structural and electrical properties are analyzed as a function of deposition conditions, such as Cu chip areas, $O_2/(Ar+O_2)$ ratios, and working pressures, The results show that a higher electrical resistivity above $10^{10}$${\Omega}cm$ along with an excellent c-axial growth can be easily achieved by Cu-doping. SAW filters based on the ZnO:Cu films are also fabricated to estimate the electric-mechanical coupling coefficient($K^{2}_{eff}$). Higher $K^{2}_{eff}$ and lower insertion losses are observed for ZnO:Cu films, compared with those for ZnO films.
Shin, Kyo Chul;Choi, Sang Gyu;Kim, Jung Kee;Jeong, Dong Hyeok
Progress in Medical Physics
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v.25
no.4
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pp.281-287
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2014
The Winston Lutz test, which checks the accuracy of the isocenter for stereotactic radiosurgery (SRS), was performed with the commercial electronic portal imaging device (EPID). The usual Winston Lutz test with film was also performed for comparison with the test with EPID. The maximum difference in isocenter between the two methods was 0.32 mm. The Winston Lutz test using EPID is practical as it can reduce time and avoid human errors compared to the test with film.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.31
no.12
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pp.986-993
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2007
The microchannel heat sink is promising heat dissipation method far high density electronic devices. The cross-sectional shape of MEMS based microchannel heat sink is limited to triangular, trapezoidal, and rectangular due to their fabrication method. And heat is added to one side surface of heat source. Therefore, those specific conditions make some complexity of heat transfer in microchannel heat sink. Though many previous research of conjugate heat transfer in microchannel was conducted, most of them did not consider heat loss. In this study, numerical investigation of conjugate heat transfer in rectangular microchannel was conducted. The method of heat loss evaluation was verified numerically. Heat distribution was different for each wall of rectangular microchannel due to thermal conductivity and distance from heat source. However, the ratio of heat from each channel wall was correlated. Therefore, the effective area correction factor could be proposed to evaluate accurate heat flux in one side heating condition.
The microchannel waterblock has a good capability in the cooling of electronic devices. The object of this paper is to study on thermal performance of microchannel water block for cooling of CPU in desktop. The effects of header shape, liquid flow rate, and inlet temperature on the thermal performances of microchannel waterblock are investigated experimentally. Three types of waterblock with different header shape are manufactured from the micro milling and brazing processing. The experiments are conducted using water, over a liquid flow rate ranging from 0.7 to 2.0 LPM and inlet temperature ranging from 20 to $35^{\circ}C$. Waterblocks are attached both horizontally and vertically on the test section to anticipate a performance of waterblock under the actual state in computer. The base temperature and thermal resistance decrease with increasing of liquid flow rate. It was found that the sample #1 was appropriate for the prototype of liquid cooling system.
Depending on the living styles, the types of energy consumed by households have changed, and the consumption has increased rapidly. Consequently, those have led to environmental issues, such as exhaustion of energy and the climate changes. As one of solutions to such issues, energy efficiency can be approached. Therefore, in this study, the gas water heater(115S type Rheem products) that made in Germany and obtain hot water using gas as a heat source is selected. a $1.0m^3$ water tank with a 6kW electronic heater is installed and a water temperature and pressure is maintain constantly also thermometer is injected. Two of gas meter, one of pressure regulator and three of time measurement devices are installed in a combustion facility and fuelling facility with a magnet valve so it can observe and record combustion reactions. Quantity of hot water that heated by boiler is recorded using a quantity measurement tank, and have been heated by the boiler have been to record and measure the amount and utilized the data acquired through measurement of all factors that are applied to acquire hot water in order to calculate the use rate of final energy. In conclusion, this researcher drew the economic strong points of the hot water generated by gas.
Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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2002.11a
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pp.85-90
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2002
$RuO_2$/GaN and related contacts were investigated for Schottky contacts in GaN-Based optical and electronic devices. We demonstrated that an $RuO_2$ film forms a stable Schottky contact on a GaN layer with a barrier height (${\Phi}_B$) of 1.46 eV and transmittance of 70% in the visible and near UV region. $RuO_2$/GaN Schottky diode showed a breakdown at over -50V and leakage current of only 0.3 nA at -5V. The $RuO_2$/GaN Schottky type photodetector had the UV/Visible rejection ratio of over $10^5$ and the responsivity of 0.23 A/W at 330 nm. The $RuO_2$ gate AlGaN/GaN EFET exhibited high drain current ($I_d$) of 689.3 mA/mm and high transconductance ($g_m$) of 197.4 mS/mm. Cut-Off frequency ($f_t$) and maximum operating frequency ($f_{max}$) were measured as 27.0 GHz and 45.5 GHz, respectively.
In this paper, the large data processing and suitable FAT32 file system for industrial system using a PLC and CF memory was implemented. Most of PLC can't save the large data in user data memory. So it's required to the external devices of CF memory or NAND flash memory. The CF memory is used in order to save the large data of PLC system. The file system using the CF memory is NTFS, FAT, and FAT32 system to configure in various ways. Typically, the file system which is widely used in industrial data storage has been implemented as modified FAT32. The conventional FAT 32 file system was not possible for multiple writing and high speed data accessing. The proposed file system was implemented by the large data processing module can be handled that the files are copied at the 40 bytes for 1msec speed logging and creating 8 files at the same time. In a sudden power failure, high reliability was obtained that the problem was solved using a power fail monitor and the non-volatile random-access memory (NVSRAM). The implemented large data processing system was applied the modified file system as FAT32 and the good performance and high reliability was showed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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