• 전기전자학회논문지
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• 제25권1호
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• pp.133-138
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• 2021

본 논문에서는 높은 출력 전력을 확보함과 동시에 효율을 개선시킬 수 있는 전력 증폭기 구조를 제안하였다. 전력 소모를 최소화하기 위하여 구동 증폭단은 공통-소스 구조를 적용하였으며, 높은 출력 전력 확보를 위하여 전력 증폭단은 스택 구조를 적용하였다. 제안하는 구조의 검증을 위하여 아홉 개의 금속층을 제공하는 65-nm RFCMOS 공정을 이용하여 Ku 대역 전력 증폭기를 설계하였다. 동작 주파수 14 GHz에서 16 GHz 일 때, P1dB, power-added efficiency 및 전력 이득은 각각 20 dBm 이상, 23 dB 이상 및 25% 이상으로 확인 되었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제33권1호
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• pp.153-158
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• 2012

The hydrogenation of $AlB_2$-type BaGaGe exhibits a metal to insulator (MI) transition, inducing a puckering distortion of the original hexagonal [GaGe] layers. We investigate the electronic structure changes associated with the hydrogen-induced MI transition, using extended H$\ddot{u}$ckel tight-binding band calculations. The results indicate that hydrogen incorporation in the precursor BaGaGe is characterized by an antibonding interaction of $\pi$ on GaGe with hydrogen 1s and the second-order mixing of the singly occupied antibonding $\pi^*$ orbital into it, through Ga-H bond formation. As a result, the fully occupied bonding $\pi$ band in BaGaGe changes to a weakly dispersive band with Ge pz (lone pair) character in the hydride, which becomes located just below the Fermi level. The Ga-Ge bonds within a layered polyanion are slightly weakened by hydrogen incorporation. A rationale for this is given.

• 세라미스트
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• 제22권4호
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• pp.350-356
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• 2019

Recently, transition metal dichalcogenide (TMDC) monolayers have been the subject of research exploring the physical phenomenon generated by low dimensionality and high symmetry. One of the keys to understanding new physical observations is the electronic band structure of 2D TMDCs. Angle-resolved photoelectron spectroscopy (ARPES) is, to this point, the best technique for obtaining information on the electronic structure of 2D TMDCs. However, through ARPES research, obtaining the long-range well-ordered single crystal samples always proves a challenging and obstacle presenting issue, which has been limiting towards measuring the electronic band structures of samples. This is particularly true in general 2D TMDCs cases. Here, we introduce the approach, with a mathematical framework, to overcome such ARPES limitations by employing the high level of symmetry of 2D TMDCs. Their high symmetry enables measurement of the clear and sharp electronic band dispersion, which is dominated by the band dispersion of single-crystal TMDCs along the two high symmetry directions Γ-K and Γ-M. In addition, we present two important studies and observations for the direct measuring of the exciton binding energy and charge transfer of 2D TMDCs, both being established by the above novel approach.

• 한국전자파학회논문지
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• 제21권12호
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• pp.1467-1474
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• 2010

X 대역에서 능동 위상 배열 레이더에 적용할 수 있는 타일형 능동 송수신 모듈을 구현하였다. 제안한 타일형 구조의 구현을 위한 수직 연결은 fuzz button을 이용한 solderless 방식으로 삽입 손실은 0.6 dB, 반사 손실의 VSWR은 1.7 이하를 만족하며 X 대역에서 약 30 %의 대역폭을 가지는 광대역 특성을 가진다. 광대역 특성을 가지는 수직 연결 구조를 이용하면 수직 연결 시에 발생할 수 있는 부정합을 최소한으로 하여 우수한 이득 평탄도를 가지는 타일형 구조의 송수신 모듈을 구현할 수 있다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제13권4호
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• pp.685-694
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• 2018

본 논문에서는 Ku대역 추적레이더의 핵심부품인 고주파 헤드 내 주파수 믹서(혼합기)의 설계 및 제작 결과에 대해서 다룬다. 단일종단(Single-Ended) 및 단일평형(Single-Balanced) 믹서의 단점을 보완하기 위해서, Fine-Line 구조의 평형(Balanced) 믹서를 설계하여 낮은 변환손실 특성을 가지도록 하였으며, Ku대역 RF신호를 입력받아 L밴드 IF신호를 생성하도록 하였다. 제작된 믹서에 대해서 Ku밴드 5개 샘플주파수를 대상으로 실험한 결과, 최대 잡음지수(Noise Figure Max) 6.823dB, 이득(Gain) 4.159dB ~ 4.676dB, 통과대역(Band Pass) 61MHz의 값을 확인하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제7권6호
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• pp.504-510
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• 1994

In this work the crystal structure, optical absorption and photoluminescence of Cd$_{4}$GeSe$_{6}$ single srystals grown by the vertical bridgman method are investigated. From the observed results of the PICTS, we proposed on energy band model which contains deep levels between the conduction band and the valence band. The energy band model permit us to explain the mechanism of the radiative recombination for the Cd$_{4}$GeSe$_{6}$ single crystals.als.

• 한국자기학회지
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• 제18권6호
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• pp.201-205
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• 2008

호이슬러 구조의 대표적 반쪽금속인, $Co_2MnSi$에서 에너지 간격이 생기는 원인을 실제적인 전자구조 계산을 통해 검토하기 위해 호이슬러 구조에서 부분을 이루는 zinc-blende 구조의 CoMn과 하프 호이슬러 구조를 가진 CoMnSi, 그리고 가상적인 화합물인 $Co_2Mn$의 전자구조를 제일원리 방법을 통해 계산하였다. 각 화합물에서 계산된 상태밀도를 이용하여 띠 혼성이나 에너지 간격 등을 고찰한 결과 $Co_2MnSi$에서 에너지 간격이 생기는 원인이 Galanakis 등이 설명한 방식이 그대로 적용되지 않았으며, Si 원자의 역할 또한 중요함을 알게 되었다. 각 화합물에서 얻은 다수스핀과 소수스핀 전자수를 통해 이들 화합물의 자성도 고찰하였다.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제23권5호
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• pp.201-210
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• 2014

The influence of electron irradiation and hydrogen adsorption on the electronic structure of the $SrTiO_3$ (001) surface was investigated by ultraviolet photoemission spectroscopy (UPS). Upon electron irradiation of the surface, UPS revealed an electronic state within the band gap (in-gap state: IGS) with the surface kept at $1{\times}1$. This is considered to originate from oxygen vacancies at the topmost surface formed by electron-stimulated desorption of oxygen. Electron irradiation also caused a downward shift of the valence band maximum indicating downward band-bending and formation of a conductive layer on the surface. With oxygen dosage on the electron-irradiated surface, on the other hand, the IGS intensity was decreased along with upward band-bending, which points to disappearance of the conductive layer. The results indicate that electron irradiation and oxygen dosage allow us to control the surface electronic structure between semiconducting (nearly-vacancy free: NVF) and metallic (oxygen de cient: OD) regimes by changing the density of the oxygen vacancy. When the NVF surface was exposed to atomic hydrogen, in-gap states were induced along with downward band bending. The hydrogen saturation coverage was evaluated to be $3.1{\pm}0.8{\times}10^{14}cm^{-2}$ with nuclear reaction analysis. From the IGS intensity and H coverage, we argue that H is positively charged as $H^{{\sim}0:3+}$ on the NVF surface. On the OD surface, on the other hand, the IGS intensity due to oxygen vacancies was found to decrease to half the initial value with molecular hydrogen dosage. H is expected to be negatively charged as $H^-$ on the OD surface by occupying the oxygen vacancy site.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제7권1호
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• pp.7-12
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• 2003

A numerical approach for the analysis of quantum wire structures has been presented using a finite-element method which includes the strain analysis and the band analysis of the Luttinger-Kohn Hamiltonian with the deformation potential. A systematic implementation of the multiband Hamiltonian in the finite-element scheme is outlined and the corresponding variational functional is derived for arbitrarily shaped strained quantum wire arrays. This method is then applied to calculate the band structures of strained quantum wire arrays.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제13권1호
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• pp.245-252
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• 2018

본 논문에서는 CSRR구조의 대역제거특성을 이용하여 정지위성용 이중대역 원편파안테나를 설계하였다. 정지위성의 송신(1525~1559MHz)과 수신주파수(1626.5~1660.5MHz)사이에 대역저지 특성을 갖기위하여 사각 CSRR (Complementary split ring resonator)을 안테나의 그라운드면에 식각하였으며 패치안테나의 모서리 부분을 절삭하여 원편파 특성을 얻었다. 패치안테나의 공진주파수는 CSRR의 크기와 위치에 의해 달라지며 시뮬레이션과 측정을 통하여 원편파 특성을 확인하였다. 측정결과 송신과 수신 주파수대역에서 약 0.2dB와 1.5dB의 이득을 얻었다.