We have employed electron paramagnetic resonance spectroscopy and magnetization measurements in order to study the effect of Al-incorporation on the magnetic interactions in ZnO:Mn diluted magnetic semiconductors. Al-doping is shown to decrease the antiferromagnetic correlation and to increase the ferromagnetic interaction, which is attributed to the hydrogen-mediated ferromagnetic Mn complexes in our Mn-doped ZnO samples.
The Kubo formalism and utilizing the projection operator technique (POT) introduced by Kawabata, the electron spin resonance (ESR) line-shape formula for carbon nanotubes through the hyperfine interaction introduced earlier in terms of POT. We can see that the line-width decreases exponentially as the temperature increases. The spin relaxation time show gradual decrease as magnetic field becomes larger. The analysis reveals the peculiarities in spin relaxation inherent to one dimensional system at low temperature and weak magnetic fields. Thus, the present technique is considered to be more convenient to explain the carbon nanotubes as in the case of other optical transitions.
The photoproduced cation radical of N-methylphenothiazine doped in the different kind of matrices of phenyltriethoxysilane (PhiTEOS), vinyltriethoxysilane (VTEOS), and methyloiethoxysilane (METOS) was comparatively studied with electron spin resonance (ESR) and electron nuclear double resonance (ENDOR). The photoinduced charge separation efficiency was determined by integration of ESR spectra which correspond to the amount of photoproduced cation radical in the matrices. This was correlatively studied with the polarity and pore size of the gel matrices. The polarity of the matrices was comparatively determined by measuring λ$\sub$max/ values of PC$_1$ in the different matrices. The relative pore size among the matrices was determined by measuring relative proton matrix ENDOR line widths of the photoproduced cation radical of PCI. The decay kinetic constants of the cation radical of PCI in the different matrices was relatively studied with fitting the biexponential decay curves after exposure into the ambient condition. This is correlatively interpreted with the polarity and pore size of the matrices.
The magnetic and other physical characteristics of $Mn_xSi_{1-x}Te$ have been investigated by electron magnetic resonance (EMR), X-ray diffraction (XRD) and other experiments. $Mn_xSi_{1-x}Te$ is found to have corundum structure for manganese contents up to 10% and also to be ferromagnetic for temperatures below 80 K. While ferromagnetic resonance signal coexists with the usual paramagnetic resonance signal, invariance of the g-factor inferred from the electron paramagnetic resonance signals throughout all temperature ranges clearly confirms that the manganese ions are in the electronic 3d5 state. The temperature dependence of EMR line-width is the same as other diluted magnetic semiconductors. From the EMR signals relaxation times $T_2$ and $T_1$ of $Mn_xSi_{1-x}Te$ compounds are estimated to be about $4.4{\times}10^{-10}s$ and $9.3{\times}10^{-8}s$ respectively and are found to vary slightly with temperature or composition change. Exchange narrowing of the EMR line-width becomes dominant for the sample in which the substitution ratio, x = 30%. For one sample, in which x = 0.5%, spin glass-like behavior is indicated by EMR signals for temperatures lower than 60 K. This behavior may authentic for samples within a certain range of x.
The local structure of defects in undoped, Si-doped, and neutron irradiated free standing GaN bulk crystals, grown by hydride vapor phase epitaxy, has been investigated by employing electron magnetic resonance(EMR), Raman scattering and cathodoluminescence. The GaN samples were irradiated to a dose of $2{\times}10^{17}$ neutrons in an atomic reactor at Korea Atomic Energy Research Institute. There was no appreciable change in the Raman spectra for undoped GaN samples before and after neutron irradiation. However, a forbidden transition, $A_1$(TO) mode, appeared for a neutron irradiated Si-doped GaN crystal. Cathodoluminescence spectrum for the neutron irradiated Si-doped GaN crystal became much broader or was much more broadened than that for the unirradiated one. The observed EMR center with the g value of 1.952 in a neutron irradiated Si-doped GaN may be assigned to a Si-related complex donor.
The photoproduced cation radical of N-methylphenothiazine $(PC_1)$ doped into phenyltriehtoxysilane (PhiTEOS), vinyltriethoxysilane (VTEOS) and methyltriethoxysilane (METOS) was studied with electron spin resonance (ESR) and electron nuclear double resonance (ENDOR). The photoinduced charge separation efficiency was determined by integration of ESR spectra which correspond to the amount of photoproduced cation radical in the matrices. This was correlatively studied with the polarity and pore size of the gel matrices. The relative polarity of the matrices was determined by measuring ${\lambda}_{max}$ values of $PC_1$ in the different matrices. The relative pore size among the matrices was determined by measuring relative proton matrix ENDOR line widths of the photoproduced cation of $PC_1$. The decay kinetic constants of the cation radical of $PC_1$ in the different matrices with relatively studied with fitting the biexponential decay curves after exposure at the ambient condition. This is correlatively interpreted with the polarity and pore size of the matrices.
We study the electron spin resonance line-width (ESRLW) of $Fe^{3+}$ in crystalline $LiNbO_3$ ; the ESRLW is obtained using the projection operator method (POM) developed by Argyres and Sigel. The ESRLW is calculated to be axially symmetric about the c-axis and is analyzed by the spin Hamiltonian with an isotopic g factor at a frequency of 9.5 GHz. The ESRLW increases exponentially as the temperature increases, and the ESRLW is almost constant in the high-temperature region (T>8000 K). This kind of temperature dependence of the ESRLW indicates a motional narrowing of the spectrum when $Fe^{3+}$ ions substitute the $Nb^{5+}$ ions in an off-center position. It is clear from this feature that there are two different regions in the graph of the temperature dependence of the ESRLW.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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