• 융합정보논문지
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• 제10권8호
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• pp.137-143
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• 2020

SiO2 증착된 금속 호일 기판에 형성된 은 금속 박막의 급속 열처리에 대한 물리적 및 화학적 특성 영향을 조사하였다. 은 박막을 150도에서 550도까지 온도를 변화시키며, 각 온도에서 20분 동안 급속 열처리를 진행하였다. 550도에서 표면 거칠기와 저항이 급격하게 증가하는 현상을 발견하였다. 따라서 550도의 열처리 온도 샘플에 대해 조성 분석 기법을 사용하였고, 은 필름 표면에 산소 (O) 및 실리콘 (Si) 원자가 존재함을 확인하였다. 박막의 광학적 특성인, 전체 반사율은 온도가 증가함에 따라 감소하였으며, 특히 550도에서 공정을 진행한 박막은 박막 및 기판 표면으로부터의 다중 반사에 의한 광학적 간섭으로 인해 정현파 특성을 나타냄을 확인하였다. 이러한 현상은 급속 열처리 동안 SiO2 층으로부터 Si 원자의 외부 확산에 기인한 것이다. 본 연구 결과는 다양한 플렉서블 광전자소자의 기판으로 사용할 수 있는 가능성을 제공한다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제4권2호
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• pp.15-19
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• 2005

The organic light-emitting devices(OLEDs) based on fluorescence have low efficiency due to the requirement of spin-symmetry conservation. By using the phosphorescent material, the internal quantum efficiency can reach 100$\%$, compared to 25$\%$ in case of the fluorescent material [1]. Thus recently phosphorescent OLEDs have been extensively studied and showed higher internal quantum efficiency than conventional OLEDs. In this study, we have applied a new Ir complex as a red dopant and fabricated a red phosphorescent OLED on a flexible PC(Polycarbonate) substrate. Also, we have investigated the electrical and optical properties of the devices with a structure of A1/LiF/Alq3/(RD05 doped)BAlq/NPB/2-TNAIA/ITO/PC substrate. Our device showed the lightening efficiency of > 30 cd/A at an initial brightness of 1000 cd/$m^{2}$. The CIE(Commission Internationale de L'Eclairage) coordinates for the device were (0.62,0.37) at a current density of 1 mA/$cm^{2}$. In addition, although the sheet resistance of ITO films on PC substrate is higher than that on glass substrate, the flexible OLED showed much better lightening efficiency without much increase in operating voltage.

• 한국진공학회지
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• 제18권1호
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• pp.30-36
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• 2009

투명 전자소자의 고유전 $HfO_2$ 절연막을 개발하기 위하여, ITO/$HfO_2$/ITO 금속-절연체-금속 (Metal-Insulator-Metal, MIM) 커패시터 구조를 형성한후 $HfO_2$ 박막의 두께에 따른 전기적, 광학적, 구조적 특성의 변화를 연구하였다. $HfO_2$ 박막의 두께가 50 nm에서 300 nm로 증가함에 따라 유전상수는 20에서 10이하로 감소하였으나, $HfO_2$ 두께가 증가함에 따라 누설전류는 감소하여 200 nm 이상의 두께에서는 $2.7{\times}10^{-12}\;A/cm^2$ 이하의 낮은 누설전류 특성을 나타내었다. ITO/$HfO_2$/ITO MIM 커패시터의 $HfO_2$ 박막의 두께가 50 nm에서 300 nm로 증가함에 따라 투과율은 감소하였으나 300 nm 두께에서도 가시광선 영역에서 80% 이상의 투과율을 나타내어 우수한 투과도 특성을 나타내었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.72-74
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• 2004

In this study, we used a inductively coupled plasma (ICP) source for etching $Al_2O_3$ thin films because of its high plasma density, low process pressure and easy control bias power. $Al_2O_3$ thin films were etched using $Cl_2/BCl_3$, $N_2/Cl_2/BCl_3$, and Ar/$Cl_2/BCl_3$ plasma. The experiments were carried out measuring the etch rates and the selectivities of $Al_2O_3$ to $SiO_2$ as a function of gas mixing ratio, rf power, and chamber pressure. When $Cl_2$ 50% was added to $Cl_2/BCl_3$ plasma, the etch rate of the $Al_2O_3$ films was 118 nm/min. We also investigated the effect of gas addition. In case of $N_2$ addition, the etch rate of the $Al_2O_3$ films decreased while $N_2$ was added into $Cl_2/BCl_3$ plasma. However, the etch rate increased slightly as Ar added into $Cl_2/BCl_3$ plasma, and then further increase of Ar decreased the etch rate. The maximum etch rate was 130 nm/min at Ar 20% in $Cl_2/BCl_3$ plasma, and the highest etch selectivity was 0.81 in $N_2$ 20% in $Cl_2/BCl_3$ plasma. And, we obtained the results that the etch rate increases as rf power increases and chamber pressure decreases. The characteristics of the plasmas were estimated using optical emission spectroscopy (OES).

• 센서학회지
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• 제2권1호
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• pp.87-94
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• 1993

EBE법으로 슬라이드 유리기판 위에 CdS와 Se박막을 각각 증착하고 기판온도 및 열처리에 따른 표면상태, 결정구조, 전기적 및 광학적 특성을 분석하여 최적 제작조건을 찾았다. CdS는 기판온도 $150^{\circ}C$에서 입방정계로 가장 잘 성장되었으며 Se은 기판온도 $100^{\circ}C$까지 비정질을 나타내었으나 기판온도 $150^{\circ}C$일때는 단사정계로 결정성장되었다. 또한 비정질 Se을 온도 $150^{\circ}C$로 15분간 열처리하여 줌으로써 육방정계 결정 구조를 얻을 수 있었다. 최종적으로, 제작한 Se/CdS 이종접합에서 최대출력은 5000 lux일때 4 $mW/cm^{2}$이었으며 최대 분광감도는 585 nm에서 나타났다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제18권2호
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• pp.401-407
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• 2014

열에 관한 문제를 해결하기 위해 여러 개의 LED 칩을 1개의 보드에 밀집으로 배열한 COB(Chip On Board)에 관한 관심이 증가하고 있다. LED소자의 온도가 올라갈수록 수명이 감소하고 스펙트럼선의 파장이 본래의 파장보다 장파장 쪽으로 이동하는 적색 이동 현상 및 접합부 온도 상승에 따라 광 출력이 감소되는 큰 문제점이 대두되고 있다. 이러한 열 문제점을 해결하기위해 본 논문에서는 최적의 Fin 두께와 길이를 선정하여 15W급 COB LED 최적의 2차 방열판을 설계하고, 그 설계한 방열판과 15W COB를 패키지하여 Solid Works Flow Simulation을 통한 열적 특성을 분석하여 제작된 15W COB 다운라이트 방열판을 접촉식 온도계를 사용해 열적 특성, 키슬리 2430을 통한 전기적 특성을 분석하였다.

• 한국진공학회지
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• 제14권4호
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• pp.222-228
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• 2005

2단계 성장법으로 c-plane 사파이어 단결정 기판 위에 metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD)법으로 undoped GaN 에피층을 성장시켰다. 고온 성장시 성장 온도 변화가 undoped GaN 에피층의 표면형상과 거칠기, 구조적 결정성, 광학적 성질, 전기적 성질에 미치는 영향을 연구하였다. 수평형 MOCVD 장치를 이용해 압력 300 Torr 저압에서 성장시켰으며, 저온 핵생성층 성장조건은 $500^{\circ}C$로 고정시키고, 2단계 성장 온도를 $850\~1050^{\circ}C$범위로 변화시켰다. 형성된 undoped GaN 에피층을 원자력현미경, 고분해능 X-선회절장치, 광발광측정, 홀 효과 측정 장치 등을 이용하여 분석, 고찰하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.244.1-244.1
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• 2013

The p-type GaN which act as a hole injection layer in GaN-based LEDs has fundamental problems. The first one arises from the difficulty in growing a highly doped p-GaN (with a carrier concentration exceeding ~1018 $cm^{-3}$). And the second one is the absence of appropriate metals or conducting oxides having a work function that is larger than that of p-type GaN (7.5 eV). Moreover, the LED efficiency is decreases gradually as the injection current increases (the so-called 'efficiency droop' phenomenon). The efficiency droop phenomenon in InGaN quantum wells (QWs) has been a large obstacle that has hindered high-efficiency operation at high current density. In this study, we introduce the new approaches to improve the light-output power of LEDs by using graphene oxide sheets. Graphene oxide has many functional groups such as the oxygen epoxide, the hydroxyl, and the carboxyl groups. Due to nature of such functional groups, graphene oxide possess a lot of hole carriers. If graphene oxide combine with LED top surface, graphene oxide may supply hole carriers to p-type GaN layer which has relatively low free carrier concentration less than electron concentration in n-type GaN layer. To prove the enhancement factor of graphene oxide coated LEDs, we have investigated electrical and optical properties by using ultra-violet photo-excited spectroscopy, confocal scanning electroluminescence microscopy.

• 방사선산업학회지
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• 제5권2호
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• pp.119-124
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• 2011

Silver nano-particles (AgNPs) have attracted much attention for centuries due to their unique optical properties, electrical conductivities, oxidative catalysis, and antibacterial effect. In this study, AgNPs have been prepared by using aqueous $AgNO_3$ solution in the poly(vinyl alcohol) (PVA)/poly(ethylene glycol) (PEG) hydrogels. PVA and PEG powders were dissolved in deionized water, and then irradiated by a gamma-ray with a radiation dose of 50 kGy to make hydrogels. PVA/PEG hydrogels were dipped into $1.0{\times}10^{-2}M$ $AgNO_3$ solution for 1 hour. After that, the swollen hydrogels were irradiated by gamma-ray for the formation of AgNPs. FE-SEM is used to observe the formation of AgNPs as a function of the content of PEG and the irradiation dose. Also, AgNPs in the PVA/PEG hydrogels were monitored by UV-Vis. It is observed that the content of PEG and gamma-ray irradiation in the hydrogel is crucial to the formation of AgNPs. Finally, antibacterial tests indiacted that the hydrogel containing silver nanoparticle has antibacterial activity.

• 한국재료학회지
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• 제28권11호
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• pp.680-684
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• 2018

We investigate the effect of light intensity and wavelength of a solar cell device using photoconductive atomic force microscopy(PC-AFM). A $POCl_3$ diffusion doping process is used to produce a p-n junction solar cell device based on a polySi wafer, and the electrical properties of prepared solar cells are measured using a solar cell simulator system. The measured open circuit voltage($V_{oc}$) is 0.59 V and the short circuit current($I_{sc}$) is 48.5 mA. Moreover, the values of the fill factors and efficiencies of the devices are 0.7 and approximately 13.6 %, respectively. In addition, PC-AFM, a recent notable method for nano-scale characterization of photovoltaic elements, is used for direct measurements of photoelectric characteristics in limited areas instead of large areas. The effects of changes in the intensity and wavelength of light shining on the element on the photoelectric characteristics are observed. Results obtained through PC-AFM are compared with the electric/optical characteristics data obtained through a solar simulator. The voltage($V_{PC-AFM}$) at which the current is 0 A in the I-V characteristic curves increases sharply up to $18W/m^2$, peaking and slowly falling as light intensity increases. Here, $V_{PC-AFM}$ at $18W/m^2$ is 0.29 V, which corresponds to 59 % of the average $V_{oc}$ value, as measured with the solar simulator. Furthermore, while the light wavelength increases from 300 nm to 1,100 nm, the external quantum efficiency(EQE) and results from PC-AFM show similar trends at the macro scale but reveal different results in several sections, indicating the need for detailed analysis and improvement in the future.