• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권10호
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• pp.778-783
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• 1998

Film characteristics of thin ONO dielectric layers for MONOS(metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor) EEPROM was investigated by TEM, AES and AFM. Seocnd derivative spectra of Auger Si LVV overlapping peak provide useful information fot chemical state analysis of superthin film. The ONO film with dimension of tunnel oxide 23$\AA$, nitride 33$\AA$, and blocking oxide 40$\AA$ was fabricated. During deposition of the LPCVD nitride film on tunnel oxide, this thin oxide was nitrized. When the blocking oxide was deposited on the nitride film, the oxygen not only oxidized the nitride surface, but diffused through the nitride. The results of ONO film analysis exhibits that it is made up of $SiO_2$ (blocking oxide)/O-rich SiON(interface)/N-rich SiON(nitride)/ O-rich SiON(tunnel oxide)

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2000년도 제13회 춘계학술대회 및 임시총회 학술발표 논문집
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• pp.414-418
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• 2000

CDMA 단말기의 DBMS는 단말기를 운영하는데 필요한 시스템 및 가입자의 정보를 관리하기 위한 소프트웨어로서 서비스 제공에 있어서의 실시간성과 높은 신뢰성, 그리고 효과적인 Fault Tolerance 및 고장으로부터의 신속한 회복 기능을 제공하여야 한다. 이를 위해 이동통신용 단말기에서는 실시간 운영체제를 기반으로 하는 Non-Volatile 메모리인 EEPROM에 저장하여 관리하는 방법을 채택하고 있다. CDMA 단말기에서 사용하는 MSM(Mobile Station Modem)과 단말기 소프트웨어는 운영체제 환경하에서 동작하는데 기능 중심으로 여러 개의 Task들을 설계하고 이들이 필요한 기능들을 수행하도록 하고 있다. 본 논문에서는 CDMA 단말기 소프트웨어의 여러 Task 중에서 EEPROM과 관련하여 데이터베이스 시스템 역할을 수행하는 NVDB Task(Non-Volatile Database Task)의 기능과 구조를 다룬다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2000년도 제13회 춘계학술대회 및 임시총회 학술발표 논문집
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• pp.465-469
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• 2000

CDMA 단말기의 DBMS는 단말기를 운영하는데 필요한 시스템 및 가입자의 정보를 관리하기 위한 소프트웨어로서 서비스 제공에 있어서의 실시간성과 높은 신뢰성, 그리고 효과적인 Fault Tolerance 및 고장으로부터의 신속한 회복 기능을 제공하여야 한다. 이를 위해 이동통신용 단말기에서는 실시간 운영체제를 기반으로 하는 Non-Volatile 메모리인 EEPROM에 저장하여 관리하는 방법을 채택하고 있다. CDMA 단말기에서 사용하는 MSM(Mobile Station Modem)과 단말기 소프트웨어는 운영체제 환경하에서 동작하는데 기능 중심으로 여러 개의 Task들을 설계하고 이들이 필요한 기능들을 수행하도록 하고 있다. 본 논문에서는 CDMA 단말기 소프트웨어의 여러 Task 중에서 EEPROM과 관련하여 데이터베이스 시스템 역할을 수행하는 NVDB Task(Non-Volatile Database Task)의 기능과 구조를 다룬다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2012년도 추계학술발표대회
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• pp.438-440
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• 2012

본 논문은 EPS ECU 에 사용되고 있는 전류센서의 offset 결정에 대해 효율적인 방법을 제시한다. 센서의 offset 은 EPS 시스템에서 모터의 토크리플을 야기하기 하므로, 토크리플을 줄이기 위해 offset 을 보정하여 모터를 제어하게 된다. 일반적으로 EPS ECU 에 대해 offset 보정 방법은 ECU 생산시 센서의 offset 값을 측정하여 EEPROM 에 기록하고, 모터 제어시 활용한다. 이러한 방식은 ECU 생산의 cycle time 을 늘릴 뿐만 아니라, 센서 및 주변 회로의 노후로 인해 MCU 의 입력으로 들어오는 offset 값의 변화에 대해 대응할 수 없는 한계를 가진다. 언급된 문제를 보완하기 위해 본 논문은 ECU 생산시 offset 을 EEPROM 에 기록하는 것이 아니라 ECU 가 ON 때마다 센싱값을 정확하게 취득하여 offset 값을 선정하고 '강인한 오차 기준' 함수를 사용하여 노이즈의 영향을 줄이는 방법을 제시한다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제4권4호
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• pp.251-257
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• 2004

Nonvolatile FRAMs with a design rule of 0.18 ${\mu}m$ were developed for the high performance smart card. A 1Mb FRAM was embedded in place of an EEPROM and a 64Kb FRAM was embedded in place of a. SRAM. It was confirmed that the FRAMs performed the roles of the EEPROM and SRAM successfully using the asynchronous write/read operation method and the one time programming (OTP) scheme. The cycle time of the FRAM was 10 MHz, which remarkably improved the write performance of the smart card in comparison with that of the conventional smart card with an EEPROM. Additionally, a simple and smart bit-line reference scheme for the future FRAM device having a 1T1C cell type was proposed.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제33권8호
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• pp.1254-1260
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• 2009

DMA 무선원격 제어시스템은 저전력의 8 bit 마이크로콘트롤러인 ATmega 2560으로 설계하였으며, 마이크로콘트롤러는 CDMA 모뎀과 GPS 모듈 등을 시리얼 인터페이스를 하기 위한 4개의 UART 포트가 갖추어져 있으며, 내부에 4K 바이트의 프로그램 매개변수나 프로그램이 동작하는데 필요한 데이터를 저장할 수 있는 메모리(EEPROM)와 256K 바이트의 플래시 메모리 및 프로그램이 실행되는 내부 메모리(SRAM)로 구성되어 있다. 제작되어진 800 MHz CDMA 모뎀과 GPS를 사용한 항로표지 원격관리 시스템의 해상통신 거리를 측정한 결과 10 km 정도의 통신 거리를 확인할 수 있어서며, -80 dBm의 수신신호감도를 나타내었다.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제35권6호
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• pp.842-848
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• 2011

다중통신을 지원하는 하이브리드 통신 제어보드는 저전력의 8-bit 마이크로콘트롤러인 ATxmega128A1으로 설계하였으며, 마이크로콘트롤러는 다중통신을 위한 모뎀과 GPS 모듈 등을 시리얼 인터페이스 하기 위한 8개의 UART 포트가 갖추어져 있으며, 내부에 2K 바이트의 프로그램 매개변수와 프로그램이 동작하는데 필요한 데이터를 저장할 수 있는 EEPROM과 128K 바이트의 플래시 메모리 및 프로그램이 실행되는 8K 바이트의 SRAM으로 구성되어 있다. 항로표지의 원격 관리를 CDMA, TRS, RF 등 하이브리드 통신을 이용하면 개별 통신 방식별로 음영지역이 존재하는 경우에도, 최적의 통신방식을 선택하여 통신을 수행하게 됨으로써, 통신 음영지역의 해소가 가능하다. 또한 통신장치마다 동일한 데이터 프레임을 사용함으로써 데이터의 호환성을 높였다. 실험은 30일 동안 각 부표에서 매 5분마다 데이터를 취득하였으며, 데이터 수신율은 85 % 이상을 보였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1992년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.91-96
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• 1992

The nonvolatile SNOSFET EEPROM memory devices with the channel width and iength of 15[$\mu\textrm{m}$]${\times}$15[$\mu\textrm{m}$], 15[$\mu\textrm{m}$]${\times}$1.5[$\mu\textrm{m}$] and 1.9[$\mu\textrm{m}$]${\times}$1.7[$\mu\textrm{m}$] were fabricated by using the actual CMOS 1 [Mbit] process technology. The charateristics of I$\_$D/-V$\_$D/, I$\_$D/-V$\_$G/ were investigated and compared with the channel width and length. From the result of measuring the I$\_$D/-V$\_$D/ charges into the nitride layer by applying the gate voltage, these devices ere found to have a low conductance state with little drain current and a high conductance state with much drain current. It was shown that the devices of 15[$\mu\textrm{m}$]${\times}$15[$\mu\textrm{m}$] represented the long channel characteristics and the devices of 15[$\mu\textrm{m}$]${\times}$1.5[$\mu\textrm{m}$] and 1.9[$\mu\textrm{m}$]${\times}$1.7[$\mu\textrm{m}$] represented the short channel characteristics. In the characteristics of I$\_$D/-V$\_$D/, the critical threshold voltages of the devices were V$\_$w/ = +34[V] at t$\_$w/ = 50[sec] in the low conductance state, and the memory window sizes wee 6.3[V], 7.4[V] and 3.4[V] at the channel width and length of 15[$\mu\textrm{m}$]${\times}$15[$\mu\textrm{m}$], 15[$\mu\textrm{m}$]${\times}$1.5[$\mu\textrm{m}$], 1.9[$\mu\textrm{m}$]${\times}$1.7[$\mu\textrm{m}$], respectively. The positive logic conductive characteristics are suitable to the logic circuit designing.

• 전기전자학회논문지
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• 제24권1호
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• pp.161-169
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• 2020

무선충전기, USB 타입-C 등의 응용에 사용되는 MCU 칩은 제조 원가를 줄이기 위해 3~5개의 추가 공정 마스크가 필요한 DP-EEPROM(Double Poly EEPROM)보다는 추가 마스크가 한 장 이내이면서 메모리 셀 사이즈가 작은 MTP(Multi-Time Programmable) 메모리가 요구된다. 그리고 E/P(Erase/Program) cycling에 따른 MTP 메모리 셀의 endurance 특성과 데이터 retention 특성을 좋게 하기 위해서 V_TP(Program Threshold Voltage)와 V_TE(Erase Threshold Voltage)의 산포는 좁은 것이 필요하다. 그래서 본 논문에서는 short pulse의 erase와 program pulse를 여러 번 수행하면서 목표 전류와 비교한 뒤 전류스펙을 만족하면 더 이상 program이나 erase 동작을 수행하지 않게 하므로 program V_T 산포나 erase V_T 산포를 줄이는 알고리즘과 current-type BL S/A(Bit-Line Sense Amplifier) 회로, WM(Write Mask) 회로, BLD(BL Driver) 회로를 제안하였다. 매그나칩반도체 0.13㎛ 공정으로 제작된 256Kb MTP 메모리 웨이퍼에서 동작 모드에 맞게 정상적으로 동작하는 것을 확인할 수 있다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제13권1호
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• pp.48-57
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• 2020

Wireless charger, USB type-C 등의 응용에서 사용되는 MCU는 추가 공정 마스크가 작으면서 셀 사이즈가 작은 MTP 메모리가 요구된다. 기존의 double poly EEPROM 셀은 사이즈가 작지만 3~5 장 정도의 추가 공정 마스크가 요구되고, FN 터널링 방식의 single poly EEPROM 셀은 셀 사이즈가 큰 단점이 있다. 본 논문에서는 vertical PIP 커패시터를 사용한 110nm MTP 셀을 제안하였다. 제안된 MTP 셀의 erase 동작은 FG와 EG 사이의 FN 터널링을 이용하였고 프로그램 동작은 CHEI 주입 방식을 사용하므로 MTP 셀 어레이의 PW을 공유하여 MTP 셀 사이즈를 1.09㎛2으로 줄였다. 한편 USB type-C 등의 응용에서 요구되는 MTP 메모리 IP는 2.5V ~ 5.5V의 넓은 전압 범위에서 동작하는 것이 필요하다. 그런데 VPP 전하펌프의 펌핑 전류는 VCC 전압이 최소인 2.5V일 때 가장 낮은 반면, 리플전압은 VCC 전압이 5.5V일 때 크게 나타난다. 그래서 본 논문에서는 VCC detector 회로를 사용하여 ON되는 전하펌프의 개수를 제어하여 VCC가 높아지더라도 펌핑 전류를 최대 474.6㎂로 억제하므로 SPICE 모의실험을 통해 VPP 리플 전압을 0.19V 이내로 줄였다.