• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제12권3호
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• pp.312-320
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• 2019

본 논문에서는 110nm eFlash 셀을 사용한 512Kb eFlash IP를 설계하였다. eFlash 셀의 프로그램, 지우기와 읽기 동작을 만족시키는 row 구동회로(CG/SL 구동회로), write BL 구동회로( write BL 스위치 회로와 PBL 스위치 선택 회로), read BL 스위치 회로와 read BL S/A 회로와 같은 eFlash 코어회로(Core circuit)를 제안하였다. 그리고 프로그램 모드에서 9.5V와 erase 모드에서 11.5V의 VPP(Boosted Voltage) 전압을 공급하는 VPP 전압 발생기회로는 기존의 단위 전하펌프 회로로 cross-coupled NMOS 트랜지스터를 사용하는 대신 body 전압을 ground에 연결된 12V NMOS 소자인 NMOS 프리차징 트랜지스터의 게이트 노드 전압을 부스팅하는 회로를 새롭게 제안하여 VPP 단위 전하펌프의 프리차징 노드를 정상적으로 VIN(Input Voltage) 전압으로 프리차징 시켜서 VPP 전하펌프 회로의 펌핑 전류를 증가시켰다. 펌핑 커패시터로는 PMOS 펌핑 커패시터에 비해 펌핑전류가 크고 레이아웃 면적이 작은 12V native NMOS 펌핑 커패시터를 사용하였다. 한편 110nm eFlash 공정을 기반으로 설계된 512Kb eFlash 메모리 IP의 레이아웃 면적은 $933.22{\mu}m{\times}925{\mu}m(=0.8632mm^2)$이다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권2호
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• pp.125-129
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• 2005

Two kinds of physical treatments were examined for the analysis both of intrinsic surface and interior nature of CuInS $e_2$[CIS] and CuGaS $e_2$[CGS] films grown in separated systems. For the first method, a selenium protection layer which was immediately deposited after the growth of the CIS was investigated. The Se cap layer protects CISe surface from oxidation and contamination during the transport under ambient atmosphere. The Se cap was removed by thermal annealing at temperature above 15$0^{\circ}C$. After the decapping treatment at 2$25^{\circ}C$ for 60 min, ultraviolet photoemission and inverse photoemission measurements of the CIS film showed that its valence band maximum(VBM) and conduction band minimum (CBM) are located at 0.58 eV below and 0.52 eV above the Fermi level $E_{F}$, respectively. For the second treatment, an Ar ion beam etching was exploited. The etching with ion kinetic energy $E_{k}$ above 500 eV resulted in broadening of photoemission spectra of core signals and occasional development of metallic feature around $E_{F}$. These degradations were successfully suppressed by decreasing $E_{k}$ below 400 eV. CGS films etched with the beam of $E_{k}$ = 400 eV showed a band gap of 1.7 eV where $E_{F}$ was almost centered.st centered.

• 한국재료학회지
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• 제12권6호
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• pp.431-435
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• 2002

The dark current and photocurrent(PC) spectrum of Mg-doped GaN thin film were investigated with various bias voltages and temperatures. At high temperature and small bias, the dark current is dominated by holes thermally activated from an acceptor level Al located at about 0.16 eV above the valence band maximum $(E_v)$, The PC peak originates from the electron transition from deep level A2 located at about 0.34 eV above the $E_v$ to the conduction band minimum $(E_ C)$. However, at a large bias voltage, holes thermally activated from A2 to Al experience the field-in-duces tunneling to form one-dimensional defect band at Al, which determines the dark current. The PC peak associated with the transition from Al to $E_ C$ is also observed at large bias voltages owing to the extended recombination lifetime of holes by the tunneling. In the near infrared region, a strong PC peak at 1.20 eV appears due to the hole transition from deep donor/acceptor level to the valence band.

• 헤리티지:역사와 과학
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• 제55권4호
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• pp.278-294
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• 2022

그동안 문화재교육은 국가의 요구와 개인의 필요로 인해 양적으로 많은 성장을 이루었다. 그러나 문화재교육의 질적 성장은 그에 뒤따르지 못했다. 문화재교육은 목표조차 제대로 설정되어 있지 못하였고, 그 결과 문화재교육은 그 정체성마저 흔들렸다. 지금의 문화재교육에서 가장 시급한 것은 먼저 문화재 교육의 목표를 설정하는 것이다. 본 연구는 현행 문화재교육의 목표를 분석하고, 문제점을 찾아낸 후 교육적으로 유의미하면서 국가의 요구와 개인의 필요를 충족시킬 수 있는 새로운 문화재교육 목표를 설정하고자 하였다. 현행 문화재교육 목표의 문제점은 문화재교육 관련자들이 교육목표의 개념을 정확하게 이해하지 못하고 있으며, 문화재교육 목표가 교육의 실제 내용을 제대로 담고 있지 못하다는 것이다. 또 문화재교육의 목표가 학습자의 다양한 역량과 흥미를 고려하고 있지 못하며, 시대 변화와도 맞지 않는다. 이런 문제점을 해결하기 위해서 'U.V.E.C. 문화재교육'이란 새로운 문화재교육을 제시하였다. U.V.E.C. 문화재교육은 문화재를 이해(Understand)하고, 문화재의 가치를 인식(Value)하고, 문화재를 향유(Enjoy)하고, 문화를 창조(Create)하는 교육이다. U.V.E.C. 문화재교육의 목표는 명확하고 실천적인 형식과 내용으로, 학습자 중심으로, 변용이 가능하도록 유연하게 설정하고자 하였다. 이런 방향을 바탕으로 총괄목표, 세부목표, 실천목표라는 단계별 목표를 설정하고 각 단계별 문화재교육 목표의 구체적 사례를 제시하였다. U.V.E.C. 문화재교육 목표는 교육으로서의 일반성과 문화재를 내용으로 하는 특수성을 고려하여 행동목표의 영역 다양성과 진술 명확성, 문제해결목표와 표현결과의 학습자 주도성과 개방성을 모두 포함하였다. U.V.E.C. 문화재교육 목표는 교수자에게는 명확하고 구체적인 목표를 제시해주어 교육의 효율성을 높이게 하고, 학습자에게는 흥미로우면서도 다양한 역량을 개발할 수 있게 할 것으로 생각된다. 아울러 U.V.E.C. 문화재교육 목표는 이제까지 제대로 연구된 적이 없는 문화재교육의 목표 설정에도 많은 영향을 줄 것으로 예상한다. 본 연구 이후에 U.V.E.C. 문화재교육의 내용과 방법에 대한 체계적이고 구체적인 연구가 지속적으로 이루어진다면 문화재교육 전반이 변화될 것이며 문화재교육은 새로운 학문의 한 영역으로 자리매김하게 될 것이다.

• 한국미생물·생명공학회지
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• 제51권1호
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• pp.37-42
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• 2023

Neutral and non-essential amino acid, glutamine (Gln), plays an essential role in supplying nitrogen to all the amino acids and nucleotides in the mammalian body. Gln is also the most important carbon source that provides intermediates for gluconeogenesis and fatty acid synthesis and supplements the tricarboxylic acid cycle in fast-growing cancer cells. Among the known 14 Gln transporter genes, soluted carrier family 1 member 5 (SLC1A5) has been reported to be closely associated with cancer cell growth. Three variants (v1, v2, and v3) have been derived from SLC1A5. Here, we established a heterologous gene expression system for the active form of human SLC1A5 variant-2 (hSLC1A5v2) in Escherichia coli. v2 is the smallest variant that has not yet been studied. Four expression systems were investigated: pBAD, pCold, pET, and pQE. We also addressed the problem of codon usage bias. Although pCold and pET overexpressed hSLC1A5v2 in E. coli, they were functionally inactive. hSLC1A5v2 using the pBAD system was able to catalyze the successful transport of Gln, even if it was not highly expressed. Initial activity of hSLC1A5v2 for [¹⁴C] Gln uptake in E. coli reached up to 6.73 μmole·min^-1·gDW^-1 when the cell was induced with 80 mM L-arabinose. In this study, we demonstrated a heterologous expression system for the human membrane protein, SLC1A5, in E. coli. Our results can be used for the functional comparison of SLC1A5 variants (v1, v2, and v3) in future studies, to facilitae the developement of SLC1A5 inhibitors as effective anticancer drugs.

• Asian Pacific Journal of Cancer Prevention
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• 제15권5호
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• pp.2221-2224
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• 2014

Objective: To explore the relationship between expressions of cell adhesion molecules CD44 v6 and E-cadherin (E-cad) and lymphatic metastasis in non-small cell lung cancer (NSCLC). Materials and Methods: Eightyseven tissue samples obtained from patients with primary NSCLC were collected in our hospital from Dec., 2007 to Dec., 2012, and the expressions of CD44 v6 and E-cad gene proteins in these samples were detected by immunohistochemical method. Results: In the tissue without lymphatic metastasis, the positive expression rate of CD44 v6 was significantly lower, whereas the normal expression rate of E-cad was notably higher than that with lymphatic metastasis (55.6% vs. 78.4%, 47.2% vs. 21.6%), and both differences had statistical significance (P<0.05). Besides, CD44 v6 and E-cad expressions had a significant correlation in the NSCLC tissue with lymphatic metastasis (P<0.05). Conclusions: The positive expression of CD44 v6 and abnormal expression of E-cad may play a very important role in promoting lymphatic metastasis of NSCLC, with synergistic effect. Hence, detection of CD44 v6 and E-cad expressions is conductive to judging the lymphatic metastasis in NSCLC.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.225-225
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• 2011

The dielectric and optical properties of GaInZnO (GIZO), HfInZnO (HIZO) and InZnO (IZO) thin films on glass by RF magnetron sputtering method were investiged using reflection electron energy loss spectroscopy (REELS). The band gap was estimated from the onset values of REELS spectra. The band gaps of GIZO, HIZO and IZO thin films are 3.1 eV, 3.5 eV and 3.0 eV, respectively, Hf and Ga incorporated into IZO results in an increase in the energy band gap of IZO by 0.5 eV and 0.1 eV. The dielectric functions were determined by comparing the effective cross section determined from experimental REELS with a rigorous model calculation based on the dielectric response theory, using available software package, good agreement between the experimental and fitting results gives confidence in the accuracy of the determined dielectric function. The main peak of Energy Loss Function (ELF) obtained from IZO shows at 18.42 eV, which shifted to 19.43 eV and 18.15 eV for GIZO and HIZO respectively, because indicates the corporation of cation Ga and Hf in the composition. The optical properties represented by the dielectric function e, the refractive index n, the extinction coefficient k, and the transmission coefficient, T of HIZO and IZO thin films were determined from a quantitative analysis of REELS. The transmission coefficient was increased to 93% and decreased to 87% in the visible region with the incorporation of Hf and Ga in the IZO compound.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제14권1호
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• pp.183-190
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• 2010

본 논문에서는 외부 프로그램 전압으로 프로그램 가능한 로직 공정 기반의 eFuse OTP 셀을 제안하였다. 기존의 eFuse OTP 메모리 셀은 eFuse의 양극 (anode)에 연결된 SL (Source Line)으로 SL 구동회로의 전압강하를 거치면서 프로그램 데이터가 공급된 반면, 새롭게 제안된 eFuse 셀은 NMOS 프로그램 트랜지스터의 게이트에 프로그램 데이터가 공급되고 eFuse의 양극에 3.8V의 외부 프로그램 전압 (FSOURCE)이 전압강하 없이 공급된다. 그리고 제안된 셀의 FSOURCE 전압은 읽기 모드에서 0V 또는 플로팅 상태를 유지한다. 한편 본 논문에서는 FSOURCE 핀의 전압이 플로팅 상태인 경우는 회로적으로 0V로 바이어싱 하는 클램프 회로를 제안하였고, 로직 전압인 VDD (=1.8V)와 FSOURCE전압 사이에 스위칭 해주는 VPP 스위칭 회로를 제안하였다. 동부하이텍 $0.15{\mu}m$ generic 공정으로 설계된 8비트 eFuse OTP IP의 레이아웃 면적은 $359.92{\times}90.98{\mu}m^2$이다.

• 한국진공학회지
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• 제20권2호
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• pp.135-140
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• 2011

Be을 도핑한 p형 GaSb:Be 에피층의 광여기 발광(PL) 스펙트럼(20 K)의 도핑밀도에 따른 변화를 조사하여, Be 억셉터의 근원을 분석하였다. 도핑을 증가시키면 PL 피크가 고에너지로 변위하고 반치폭은 줄어드는 경향을 보이다가, 밀도가 ${\sim}10^{17}cm^{-3}$ 이상에서 피크 에너지는 오히려 저에너지로 변위하고 반치폭이 늘어나는 현상을 관측하였다. 3개 피크로 분리한 PL 스펙트럼의 적분 PL 강도 변화를 통하여, 도핑 증가에 따라 $Be[Be_{Ga}]$ 준위(0.794 eV)는 감소하는 반면 진성결함에 기인한 $A[Ga_{Sb}]$ 피크(0.778 eV)와 함께 Be과 A 사이에 위치하는 새로운 $Be^*$ 준위(0.787 eV)가 증가하기 때문으로 분석되었다. 이것은 Be을 도핑한 p-GaSb:Be 에피층에는 Be 얕은준위(${\Delta}E=16meV$)와 Be과 A 결함준위가 결합한 $Be^*[Ga_{Sb}-Be_{Ga}]$의 복합준위(${\Delta}E=23meV$)가 공존하기 때문으로 논의하였으며, ${\sim}10^{17}cm^{-3}$ 이상 도핑할 경우에는 Be 준위가 다소 감소할 수 있음을 보였다.

• 한국수산과학회지
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• 제35권6호
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• pp.545-550
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• 2002

금강 하구에서 분리한 용혈독소를 생산하는 V. mimicus와 유사하지만 분류되지 않은 기수성 Vibrio속으로 추정되는 균주 Vibrio sp. E10 (V. kunsan)의 세균학적 특징은 다음과 같다. 기본적인 생화학적 시험과 전자현미경 상의 형태에서는 V. mimicus와 유사하였지만 TCBS 배지 상의 colony 형태는 V. vulnifirus와 유사하였으므로 V. mimicus와는 차이를 보였다. Human과 sheep blood agar에서의 뚜렷한 용혈환과 rat에 피부혈관투과항진 작용으로 용혈독성이 있었으며, mouse에 대한 치사독성이 있었으므로 병원성이 확인되었다. 생육 가능한 환경 조건은 염도 0$\~$$4.5\%$, pH 6.2$\~$9.2, 온도 $14\~42^{\circ}C$이 었다. Vibrio sp. E10의 16S rDNA 염기서열은 10여종의 V. cholerae와 1종의 Vibrio mimicus의 염기서열과 $99\%$의 상동성을 보여 유사 종으로 판명되었다. 그러나 세균 자동동정기를 이용한 동정 결과, genus는 Vibrio 속으로 동정되었으나 species는 일치하는 균종이 없었다. 알려진 Vi-brio속 중에서 유사성이 높았던 V. mimicus와 비교해 볼 때 18종류의 항목이, V. cholerae와는 11종류의 항목이 다른 반응을 나타내어 미분류 균종으로 확인되었다.