• 생물환경조절학회지
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• 제10권4호
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• pp.237-243
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• 2001

무가온 촉성재배시 멀칭재료가 참외 생육과 품질에 미치는 영향을 구명하기 위하여 토양 멀칭재료로 하우스외피복 재활용필름, 배색 P.E. 필름, 녹색 P.E. 필름과 대조구로 투명 P.E. 필름을 설치하여 지온의 변화와 생육, 과실품질 등을 조사하였다. 토양 5cm 깊이의 일.월중 지온은 하우스외피복 재활용필름에서 높았으나 광 투과율이 낮은 녹색 P.E필름에서 낮았다. 토양 심도별 야간지온은 녹색 P.E. 필름은 토양 깊이 20cm에서 나머지 필름은 토양 깊이 5cm에서 가장 높았으며, 멀칭 재료별 지온차는 깊이 내려갈수록 점차 감소되었다. 정식 후 30일의 초장과 절수는 지온이 높은 하우스외피복 재활용필름이 유의하게 높았으며, LAI, CGR, RGR도 높은 경향을 보였다. 정식 후 30일의 잡초 발생량은 큰 차이가 없었으나 정식 후 90일에는 투명 P.E.필름에서 많았다. 과실 수확은 하우스외피복 재활용필름에서 빨라 투명 P.E.필름보다 2일 단축되었으나, 과중, 과장, 당도 등 과실특성은 큰 차가 없었다. 하우스외피복 재활용필름에서 상품수량은 2,426kg.10a$^{-1}$로 투명 P.E. 필름보다 6% 증수되었다.

• 한국진공학회지
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• 제22권6호
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• pp.327-334
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• 2013

InAs/GaSb 제2형 응력 초격자(strained layer type II superlattice, T2SL)을 이용한 nBn 구조 장적외선 검출소자의 설계 및 제작을 하였다. InAs와 GaSb 두께에 따른 T2SL 구조의 장적외선 밴드갭 에너지를 Kronig-Penney 모델을 이용하여 계산하였다. 소자의 암전류 밀도를 줄이기 위해서, nBn 구조에서 장벽층인 $Al_{0.2}Ga_{0.8}Sb$ 성장 중에 Te 보상도핑(compansated doping)을 하였다. 온도(T) 80 K 및 인가전압($V_b$) -1.5 V에서, 반응스펙트럼 측정을 통한 소자의 차단파장은 ${\sim}10.2{\mu}m$ (~0.122 eV)로 나타났다. 또한 온도 변화에 따른 암전류 측정으로부터 도출된 활성화 에너지는 0.128 eV로 계산 되었다. T=80 K 및 $V_b$=-1.5 V에서 암전류는 $1.0{\times}10^{-2}A/cm^2$으로 측정되었다. 흑체복사 적외선 광원을 이용한 반응도(Responsivity)는 소자 온도 80 K 및 인가전압 -1.5 V의 조건에서 0.58 A/W로 측정되었다.

• 한국재료학회지
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• 제5권7호
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• pp.802-807
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• 1995

진공증착법으로 제작한 V$_2$O$_{5}$ 박막의 두께 및 결정성에 따른 전기변색 특성을 체계적으로 조사하였다. 증착된 박막은 노란색을 띄고 있었으며 14$0^{\circ}C$ 보다 높은 기판온도에서 증착된 V$_2$O$_{5}$ 박막은 결정질로 낮은 기판온도에서 증착된 박막들은 비정질로 밝혀졌다. 리튬 이온 주입에 따른 V$_2$O$_{5}$ 박막의 광 변조 특성 결과 V$_2$O$_{5}$ 박막의 두께와 결정성에 관계없이 300~500nm 파장영역에서는 산화발색이 500~1100nm 파장영역에서는 환원 발색이 나타났다. 비정질과 결정질 Li$_{x}$ V$_2$O$_{5}$ 박막의 optical band gap 에너지는 리튬 이온 주입양이 증가함에 따라 (x=0.0~0.6) 각각 0.75 [eV], 0.17 [eV]씩 높은 에너지쪽으로 이동하였다. 비정질 Li$_{x}$ V$_2$O$_{5}$ 박막의 coloration efficiency는 근적외선 영역에서는 리튬 이온 주입과 박막두께에 따라 거의 변화가 없었으나 blue와 near-UV 영역에서는 absorption edge가 500nm 파장근처에서 높은 에너지 부근으로 이동됨으로 인하여, 박막두께가 증가하고 리튬 이온주입양이 감소할수록 coloration efficiency가 상당히 증가하는 것으로 나타났다. 그러나 결정질 Li$_{x}$ V$_2$O$_{5}$ 박막의 경우 coloration efficiency는 전파장영역에서 리튬 이온 주입양과 박막두께에 거의 영향을 받지 않는 것으로 밝혀졌다.

• 한국진공학회지
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• 제14권2호
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• pp.97-102
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• 2005

제일원리 분자동역학 방법을 이용하여 Si(001) 표면에 NO 분자 흡착을 연구하였다. NO 분자가 Si(001)의 dimer축과 나란히 흡착될 경우에 50K에서도 분해가 일어났다. 이를 에너지 장벽으로 환산해 보면 0.006eV로서 거의 무시해도 좋을 정도이다 만일 NO 분자가 표면에 수직으로 들어오면 이웃에 있는 dimer에 걸쳐서 분해가 일어났다. 이 경우는 에너지 장벽은 0.08eV 정도였으며 여전히 낮은 수준이다. 분해가 된 산소분자는 dimer와 기판 사이의 backbend로 파고들어서 (에너지 장벽 0.007eV) 안정된 구조를 만들었다. 또 dimer에 나란히 흡착된 분자 상태의 경우는 N=Si_3$를 만들기도 하는데 속전자준위분광학(core level spectroscopy) 실험 결과와 일치한다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제19권12호
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• pp.2892-2898
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• 2015

양극성 이중 독립 게이트 실리콘 나노와이어 전계 효과 트랜지스터를 새롭게 제안한다. 제안한 트랜지스터는 극성 게이트와 제어 게이트를 가지고 있다. 극성게이트의 바이어스에 따라서 N형과 P형 트랜지스터의 동작을 결정할 수 있고 제어 게이트의 전압에 따라 트랜지스터의 전류 특성을 제어할 수 있다. 2차원 소자 시뮬레이터를 이용해서 양극성 전류-전압 특성이 동작하도록 두 개의 게이트들과 소스 및 드레인의 일함수를 조사했다. 극성게이트 4.75 eV, 제어게이트 4.5 eV, 소스 및 드레인 4.8 eV일 때 명확한 양극성 특성을 보였다.

• 한국재료학회지
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• 제8권2호
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• pp.173-178
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• 1998

$MgB_4O_7$ 열형광체의 활성체는 란탄계 금속인 Tb, Tm, Dy, La, Ho 및 Nd를 첨가하여 $580^{\circ}C$의 Ar 분위기에서 2시간동안 소결하여 제작하였다. 활성화에너지와 glow 곡선의 주 Peak의 세기는 peak shape법과 초기상승법의 두방법에 의해 결정했으며, 최적활성에너지는 $0.76\pm0.02eV$(Tm 첨가시), $0.94\pm0.03eV$(Tm 첨가시) 및 $0.72\pm0.02eV$(Dy 첨가시)였다. 이들 열형광체들은 저 에너지 X-선에 대해 매우 높은 감도를 나타냈으므로 방사선 센서 소자로 개발하기 위한 기초자료가 될 것으로 생각된다.

• 한국한의학연구원논문집
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• 제1권1호
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• pp.1-14
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• 1995

The clinical study was carried out on 1737 cases of inpatient and outpatient which have been diagnosed as C.V.A at hospital attached to 8 colleges of oriental medicine in Korea or National Medical Center from January 1st 1994 to December 31st 1994. The results were as follows; 1. In this study, the case of Occlusive C.V.D was 70.1%, Cerebral hemorrhage was 20.5%, Transient ischemic attack (T.I.A) was 5.3%, Subdural hemorrhage was 3.0%, Subarachnoid hemorrhage was 0.8% 2. It was confirmed by C.T (20%), E.K.G. (19%), X-ray (19%), Urinalysis (19%), Hematoscopy (20%). 3. The mean days of hospital treatment was 27.88 days, mean days of ambulation was 70.34 days. The mean days of hospital treatment of Occlusive C.V.D, Cerebral hemorrhage, T.I.A., Subdural hemorrhage, Subarachnoid hemorrhage were 25.79, 39.32, 12.49, 16.23, 23.40 days, respectively. The mean days of ambulation of Occlusive C.V.D, Cerbral hemorrhage, T.I.A., Subdural hemorrhage, Subarachnoid hemorrhage were 74.40, 93.68, 69.10, 29.75, 32.57 days, respectavely. 4. Oriental medical treatment of C.V.A was mainly Acupuncture (25%), Paper of Chinese herbs (22%), Chinese physiotherapy (14%), Extract of Chinese herbs (11%). 5. Oriental medical physiotherapy for C.V.A was mostly E.S.T., Kinesiatrics, electric negative therapy, others Aerohydrotherapy, interferential current therapy (I.C.T.), Carbon, Samhogi, T.E.N.S., Ultra-sound, Infra-red, Microwave, T.D.P., Ultraviolet, S.S.P., Chinese herbs beth, Prarffin bath, Magnetic treatment and tractions.

• 한국결정학회지
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• 제8권1호
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• pp.48-58
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• 1997

[ $CuInTe_2$ ] 다결정은 수평전기로에서 합성하고, $CuInTe_2$ 단결정은 수직 Bridgman 방법으로 성장시켰다. $CuInTe_2$ 단결정의 c축에 수직 및 평행한 시료의 광전도도와 광발광특성을 293K에서 20 K의 온도영역에서 측정하였다. 측정된 광전류 봉우리로부터 구한 c축에 수직 및 평행한 시료의 에너지 띠 간격은 상온에서 각각 0.948 eV와 0.952 eV였다. 광전류 봉우리와 광발광 봉우리의 에너지차는 포논에너지이며 상온에서 c축에 수직 및 평행한 시료의 에너지차는 각각 22.12 meV와 21.4 meV였다. 또한 광전류 스펙트럼으로부터 시료의 spin-orbit 상호작용과 결정장 상호작용에 의한 가전자대의 갈라짐 ${\Delta}cr$과 ${\Delta}so$는 각각 0.046, 0.014 eV였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1987년도 전기.전자공학 학술대회 논문집(I)
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• pp.513-516
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• 1987

Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films have been deposited, for thye first time, by a remote plasma chemical vapor deposition. The hydrogen radical play a important role to control the deposition rate, The bonded hydrogen content to silicon is independent of hydrogen partial pressure in the plasma. Optical gap of deposited a-Si:H lies between 1.7eV and 1.8eV and all samples have sharp absorption edge. B-doped a-Si:H films by a RPECVD has a high doping efficiency compared with plasma CVD. The Fermi level of 100ppm B-doped film lies at 0.5eV above valence band edge.

• 지질공학
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• 제18권4호
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• pp.371-379
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• 2008

본 연구에서는 경기도 일대의 편마암지역 11곳에서 다운홀(down-hole) 탄성파탐사를 이용하여 획득한 탄성파속도를 이용, 편마암지역에서의 탄성파 속도와 동탄성계수와의 상관성을 조사하였다. 연구결과 편마암에서의 탄성파속도의 특성은 $V_s=0.5589{\times}V_p$ 상관관계를 보여준다. 탄성파 속도와 동탄성계수와의 상관관계는 두 개의 군으로 분리된다. 풍화가 진행됨에 따라 첫 번째 군은 암석의 비중에 큰 영향을 받지만 두 번째 군에서는 절리면의 간격에 영향을 받는다. 풍화가 진행됨에 따라 첫 번째 군은 감소하는 경향을 보인다. 경암반에서의 압축파속도($V_p$) 동탄성계수($E_d$, $G_d$, $K_d$)의 상관관계는 선형으로 분석되었지만, 보통암반에서의 압축파속도($V_p$)와 동탄성계수($E_d$, $G_d$, $K_d$)의 상관관계는 2차 함수 포물선 곡선의 형태를 띠는 것으로 분석되었다. 전단파속도($V_s$)와 동탄성계수($E_d$, $G_d$, $K_d$)의 상관관계 또한 압축파속도($V_p$)와 유사한 결과를 보이는 것으로 분석되었다.