본 논문에서는 접힌 슬롯이 추가된 소형 이중 대역 슬롯 안테나에 대한 설계 방법을 연구하였다. 제안된 슬롯 안테나는 이중 대역 동작을 위해 직사각형 슬롯에 접힌 슬롯이 추가되었다. 직사각형 슬롯은 내부에 직사각형 급전패치를 두어 동축케이블로 급전한다. 직사각형 슬롯의 위쪽 모서리에 접힌 슬롯이 대칭적으로 추가되면 슬롯의 길이가 증가하여 새로운 공진주파수가 낮은 주파수에서 발생한다. 2.45 GHz WLAN 대역과 5 GHz WLAN 대역을 포함하는 4.50-8.30 GHz 대역에서 동작하는 이중 대역 슬롯 안테나를 FR4 기판 상에 $30mm{\times}30mm$ 크기로 제작하였다. 실험 결과, 입력 반사계수 < -10 dB인 대역이 2.40-2.49 GHz, 4.33-9.85 GHz으로 원하는 이중대역에서 동작하는 것을 확인하였다.
Recently, soft robots using soft materials are presented. Thanks to soft materials, soft robots have flexible, highly-stretchable or adaptable features. However, due to the flexibility of soft material, it is hard for soft robots to control accurately or perform high force. To deal with these limitations, variable stiffness technology, which enables the stiffness control of structure, has been developed. In this research, a dual-stiffness structure that is actuated by the assembly of two flexible structures are presented. Each flexible structure consists of flexible film part and rigid parts placed at regular intervals. The flexibility of film between rigid parts allows each structure to move softly. On the other hand, by combining two structures rigid part of each part constrain the degrees of freedom of the other side part. And this causes the stiffness of whole structure to be increased. This paper will cover concepts, design, analysis and experiments of this structure.
In this paper, TCAD assessment of 30-V class n-channel EDMOS (extended drain metal-oxide-semiconductor) transistors with DWFG (dual work function gate) structure are described. Gate of the DWFG EDMOS transistor is composed of both p- and n-type doped region on source and drain side. Additionally, lengths of p- and n-type doped gate region are varied while keeping physical channel length. Two-dimensional device structures are generated trough TSUPREM-4 and their electrical characteristics are investigated with MEDICI. The DWFG EDMOS transistor shows improved electrical characteristics than conventional device - i.e. higher transconductance ($g_m$), better drain output current ($I_{ON}$), reduced specific on-resistances ($R_{ON}$) and higher breakdown characteristics ($BV_{DSS}$).
Dichroic beam-splitter (DBS) with polarization-maintaining took an important role in the free space quantum telecommunication tests on the Micius satellite of China. In this presentation, we designed and prepared a 50 layer polarization-maintaining DBS coating by a dual ion beam sputtering deposition (Dual-IBS) method. In order to solve a stress problem, an 18 layer special anti-reflection (AR) coating with similar physical thickness ratio was deposited on the backside. By stress compensation, the surface flatness RMS value of the DBS sample decreased from 0.341 λ (@632.8 nm) to 0.103 λ while beam splitting and polarization maintaining properties were almost kept unchanged. Further, we discussed the mechanism of film stress and stress compensation by equation deduction and found that total stress had a strong relationship with the total physical thickness and the ratio of layer materials.
In this study, a new voltage-balancing dual-active bridge converter that integrates a DAB converter with a voltage balancer is proposed for a bipolar DC distribution system. The proposed converter is configured to connect two loads to the transformer secondary center tap of the DAB converter, and no additional components are added. The proposed converter has the same operation as the conventional DAB converter, and it makes both output voltages similar. Moreover, the imbalanced current offset between the two loads is bypassed only on the secondary side of the transformer. Consequently, the proposed converter integrates a voltage balancer without any additional components, and no additional loss occurs in the corresponding components. Thus, high efficiency and high power density can be achieved. The feasibility of the proposed converter is verified using 3 kW prototypes under 380 V input and 190/190 V output conditions.
Kim, Dae-Hyun;Kim, Suk-Jin;Kim, Young-Ho;Kim, Sung-Wong;Seo, Kwang-Seok
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제3권1호
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pp.27-32
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2003
Highly reproducible side-wall process for the fabrication of the fine gate length as small as 40nm was developed. This process was utilized to fabricate 40nm InGaAs HEMTs with the 65% strained channel. With the usage of the dual $SiO_2$ and $SiN_x$ dielectric layers and the proper selection of the etching gas, the final gate length (Lg) was insensitive to the process conditions such as the dielectric over-etching time. From the microwave measurement up to 40GHz, extrapolated fT and fmax as high as 371 and 345 GHz were obtained, respectively. We believe that the developed side-wall process would be directly applicable to finer gate fabrication, if the initial line length is lessened below the l00nm range.
Perovskite type ceramic membranes which exhibit dual ion conduction (proton and oxygen ion conduction) can permeate water and can aid solving operational problems such as temperature gradient and carbon deposition associated with a working solid oxide fuel cell. From this point of view, it is crucial to reveal water transport mechanism and especially the nature of the surface sites that is necessary for water incorporation and evolution. $BaCe_{0.8}Y_{0.2}O_{3-{\alpha}}$ (BCY20) was used as a model proton and oxygen ion conducting membrane in this work. Four different catalytically modified membrane configurations were used for the investigations and water flux was measured as a function of temperature. In addition, CO was introduced to the permeate side in order to test the stability of membrane against water and $CO/CO_2$ and post operation analysis of used membranes were carried out. The results revealed that water incorporation occurs on any exposed electrolyte surface. However, the magnitude of water permeation changes depending on which membrane surface is catalytically modified. The platinum increases the water flux on the feed side whilst it decreases the flux on the permeate side. Water flux measurements suggest that platinum can block water permeation on the permeate side by reducing the access to the lattice oxygen in the surface layer.
A dual side cooling annular fuel having internal and external coolant channels has many advantages basically due to low fuel temperature and high DNBR margin, which can make a significant increase of core power density possible. So recently a 12x12 square annular fuel array was proposed for the fuel assembly to be reloaded without structural interference with operating reactors of OPR-1000s. Even through the inherent potential of the annular fuel on the high power density, it may be seriously eroded in the case of a severe unbalanced mass flux split to the internal and external channels in standpoint of DNB. Mass flux split is determined pressure drop characteristics between inner and outer channels. The spacer grids binding fuel array influence greatly the pressure drop in outer channels and the mass flux split. As an important factor of DNB behavior, the enthalpy differences at both channel exits were evaluated using the mass flux splits.
The esophageal perforation is the most rapidly fatal and most serious perforation of the gastrointestinal tract. The 53 year old male patient was admitted because of substernal and epigastric pain altar esophageal bougienage for the indigestion and the difficult swallowing before about 18 hours. On esophagogram, there was the extravasation of contrast media at the right side of the lower esophagus [retrocardiac segment]. The emergency thoractotomy, debridement and suture closure with drainage were performed. But after 7 days the esophageal leakage was complicated again with pus discharge, although primary repair was done. On the 13th hospital day, the temporary cervical esophageal fistulation with dual drainages was made under general anesthesia. On the 38th day after this procedure, the esophageal leakage was closed spontaneously. On the 63rd hospital day the cervical fistulation was repaired and ever since the esophageal passage was good without leakage or swallowing difficulty.
최신(4GDRAM)의 MASK design에서는 전자기파의 산란에 의한 효과를 고려해 주는 것이 매우 중요하다. 이를 위하여 시간 영역에서의 요한 차분법을 도입하여 직접 마스크 함수를 계산하였다. 새롭게 도입한 마스크 함수를 사용함으로써 마스크와 렌즈의 효과뿐만 아니라, submicron 노광용 위상 변이 마스크의 식각된 옆벽에서의 산란효과를 정확하게 설명할 수 있었다. 산란효과를 줄이기 위해 변형된 마스크의 형태에 따른 특성을 살펴보았고, dual etch back에 의한 마스크 변형이 가장 좋은 공정 여유도를 제공함을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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