• 조명전기설비학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.155-159
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• 2004

본 논문은 마이크로 스트립 라인을 무선 랜(IEEE 802.11a, IEEE 802.11b, IEEE 802.llg)에 사용할 수 있는 SPDT FET 스위치를 설계하고 시뮬레이션 하였다. 특히 주파수에 따른 능동소자의 영향을 최소화하기 위하여 임피던스 변환회로를 적용하여 설계하였다. 이 SPDT스위치 수신경로의 삽입손실은 2(㎓)에서 4(㎓)까지 0.8(㏈)에서 1.462(㏈)를 나타내고 있으며, 4.7(㎓)에서 6.7(㎓)까지 1.26(㏈)에서 2.3(㏈)을 보이고, 격리도는 2[㎓)에서 6.7(㎓)의 대역에서 30(㏈)이하를 나타낸다. 그리고 송신경로에서의 삽입손실은 2(㎓)에서 4(㎓)까지 1.18(㏈)에서 2.87(㏈)를 나타내고 있으며, 4.7(㎓)에서 6.7(㎓)까지 0.625(㏈)에서 1.2(㏈)을 나타내고 있다. 격리도는 2(㎓)에서 6.7(㎓)의 대역에서 30(㏈)이하를 나타낸다

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제46권1호
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• pp.102-106
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• 2009

본 논문은 EER(Envelope Elimination and Restoration)에 적용된 class F 전력 증폭기의 드레인 전압의 변화에 따른 출력 정합회로의 최적화에 대하여 연구하였다. EER 구조에 적용된 class F PA의 PAE(Power Added Efficiency)를 개선하기 위해 고조파 조정 회로에 Varactor 다이오드를 사용하였다. 포락선의 변화에 따라 2차 고조파는 단락 시키고 3차 고조파는 개방 시키도록 설계되었으며 본 논문에서 제안된 고조파 조정 회로를 통해 드레인 전압이 25 V에서 30 V까지 변화할 때 수 %의 PAE 개선 효과를 얻을 수 있었다.

• 한국ITS학회 논문지
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• 제10권5호
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• pp.71-78
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• 2011

본 논문은 GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 Class-J 모드를 적용한 고효율, 광대역 특성을 갖는 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 Class-J 모드 전력증폭기의 정합회로는 2차 고조파 임피던스가 리액턴스 성분만 갖도록 하였으며, 1.4 ~ 2.6 GHz 주파수대역내에서 연속파 (CW) 신호를 사용하여 $40{\pm}1$ dBm의 출력 전력과 50 % 이상의 전력부가효율 (Power-Added Efficiency, PAE) 및 60 % 이상의 드레인 효율 (Drain Efficiency, DE)이 측정되었다.

• 한국소음진동공학회논문집
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• 제19권6호
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• pp.634-640
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• 2009

Helmholtz resonator has been used, especially in intake and exhaust systems of vehicles, due to its good noise reduction characteristics at low frequencies. Many approaches have been developed to predict the acoustic behavior of the resonator with the assumption that there is no leakage from the resonator. However, its behavior may be affected by leakage which may exist in manufacturing processes or on purpose. This study investigates the effect of leakage on the noise reduction characteristics of Helmholtz resonator with two practical examples. One is a resonator with a gap between baffle and housing of the resonator and the other one is a resonator with two drain holes on the baffle. The measured transmission loss shows that the resonance frequencies are considerably shifted to higher frequency due to the leakage. The Boundary Element Method was applied to predict the transmission loss of the Helmholtz resonator with drain holes. The comparison between the measured and predicted transmission loss shows that the acoustic impedance of the holes is essential for accurate predictions of the transmission loss.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제8권11호
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• pp.1633-1640
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• 2013

본 논문에서는 이중게이트 FET를 고주파회로에 응용하기 위해 필요한 열잡음 파라미터를 추출하여 그 특성을 분석하였다. 이중게이트 열잡음 파라미터를 추출하기 위해 튜너를 이용해 잡음원의 임피던스를 바꿔가며 잡음특성을 측정하였으며, open과 short 더미를 이용해서 패드의 기생성분을 제거하였다. 측정결과 일반적인 캐스코드구조의 FET와 비교해서 5GHz에서 약 0.2dB의 잡음 개선효과가 있음을 확인하였으며, 시뮬레이션과 소신호 파라미터 분석을 통해 드레인 소스 및 드레인 게이트간 캐패시턴스의 감소에 의해 잡음지수가 줄어들었음을 확인하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제7권2호
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• pp.178-185
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• 1996

In this paper, a theoretical analysis of a wide band distributed mixer using a dual-gate GaAs MESFET's(DGFET) is introduced. Based on low noise mixer mode(LNM) region modeling of DGFET, variation of g/sub m/ and conversion gain are presented versus bias. The distributed mixer is composed of drain and gate transmission line, m-derived image impedance matching circuits at each input and output port, and DGFET's. Through computer simulation, wide-band characteristics of designed distributed mixer are confirmed. And, it is certificated that LO/RF isolation between gate 1 and gate 2 is obtained more than 15dB.

• 한국전자파학회논문지
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• 제29권4호
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• pp.290-298
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• 2018

본 논문에서는 Wolfspeed사의 CGHV40320D GaN HEMT를 사용하여 LTE 밴드 7 대역에서 동작하는 S-대역 300 W급 내부 정합 전력증폭기를 설계하고 제작하였다. 비선형 모델을 바탕으로 기본주파수 및 고조파에서 소스풀 및 로드풀 시뮬레이션을 수행하여 최적 임피던스를 추출하였고, 세라믹 패키지 내부에 고조파 임피던스를 튜닝한 정합회로가 적용되었다. 비유전율 40의 고유전율 기판과 RF35TC PCB 기판을 사용하여 제작된 내부 정합 전력증폭기는 펄스 주기 1 ms, 듀티 10 %의 펄스 모드 조건에서 전력 성능이 측정되었으며, 2.62~2.69 GHz에서 257~323 W의 최대 출력 전력과 64~71 %의 드레인 효율, 11.5~14.0 dB의 전력 이득을 보였다. LTE 신호 기반의 ACLR 측정에서는 79 W의 평균 출력 전력에서 42~49 %의 드레인 효율을 보였고 2.62 GHz를 제외한 전체 주파수 대역에서 -30 dBc 이하의 성능을 보였다.

• 한국ITS학회 논문지
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• 제9권2호
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• pp.51-59
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• 2010

본 논문에서는 입력신호의 Peak to Average Power Ratio (PAR) 에 따라 원하는 출력전력 백-오프 (Output Power Back-Off, OPBO) 구간에서 최적의 효율특성을 가지는 반전 타입의 비대칭 도허티 전력증폭기의 설계 방법을 제안하였다. 원하는 OPBO 구간에서 비대칭 도허티 전력증폭기의 최적 효율특성을 얻기 위해 주 증폭기와 피킹 증폭기의 피크 전력비를 결정하였고 피크 전력비에 따른 $90^{\circ}$ 임피던스 변환기의 정확한 임피던스 값을 도출 하였다. 또한 비대칭 도허티 전력증폭기 설계시 최적의 성능을 얻기 위해 오프셋 라인의 길이와 전력 분배비를 계산하였다. 측정결과, 비대칭 도허티 전력증폭기는 CDMA 2000 1x 3-FA 테스트 신호에 대해서 평균 출력 전력 48.7 dBm에서 40%의 전력 효율과 -35 dBc의 인접 채널전력비를 얻었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권1호
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• pp.100-108
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• 2014

Low noise amplifier (LNA) is an integral component of RF receiver and frequently required to operate at wide frequency bands for various wireless system applications. For wideband operation, important performance metrics such as voltage gain, return loss, noise figure and linearity have been carefully investigated and characterized for the proposed LNA. An inductive shunt feedback configuration is successfully employed in the input stage of the proposed LNA which incorporates cascaded networks with a peaking inductor in the buffer stage. Design equations for obtaining low and high impedance-matching frequencies are easily derived, leading to a relatively simple method for circuit implementation. Careful theoretical analysis explains that input impedance can be described in the form of second-order frequency response, where poles and zeros are characterized and utilized for realizing the wideband response. Linearity is significantly improved because the inductor located between the gate and the drain decreases the third-order harmonics at the output. Fabricated in $0.18{\mu}m$ CMOS process, the chip area of this wideband LNA is $0.202mm^2$, including pads. Measurement results illustrate that the input return loss shows less than -7 dB, voltage gain greater than 8 dB, and a little high noise figure around 6-8 dB over 1.5 - 13 GHz. In addition, good linearity (IIP3) of 2.5 dBm is achieved at 8 GHz and 14 mA of current is consumed from a 1.8 V supply.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제12권4호
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• pp.1556-1565
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• 2017

This paper depicts the design, implementation and analysis of efficient resonant based wireless power transfer (WPT) technique using three magnetic coupled coils. This work is suitable for mid ranged device due to small form factor while minimizing the loading effect. A multi turned loop size resonator is exploited for both the transmitter and receiver for longer distance. In this paper, class-E power amplifier (class-E PA) is introduced with an optimum power tracking mechanism of WPT system to enhance the power capability at mid-range with a flat gain. A robust method of finding optimum distance is derived with an experimental analysis of the designed system. In this method, the load sensitive issue of WPT is resolved by tuning coupling coefficient at considerable distances. Our designed PA with a drain efficiency of 77.8% for a maximum output of 5W is used with adopted tuning technique that improves the overall WPT system performance by 3 dB at various operating points.