• 전기학회논문지
• /
• 제62권12호
• /
• pp.1764-1770
• /
• 2013

Use of the 5.1 channel audio signals suitable for the television system is improper for the radio broadcasting system, which uses the stereo audio system. Therefore, it is necessary to develop an audio down-mixer to convert 5.1 multi-channel audio signals to stereo signals for radio broadcasting. In this paper, a development of an audio down-mixer was carried out to convert 5.1 multi-channel audio signals to stereo signals. The down-mixer which was developed can use the audio signals separated from video signals, including sound signals or individual signals provided from 3-channel AES/EBU signals including Left(L), Right(R), Left Surround(Ls), Right Surround(Rs), Center(C) and Low Frequency Effect(Lfe) sounds as mixer inputs.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제16권2호
• /
• pp.139-143
• /
• 2005

본 논문에서는 $CMOS\;0.18\;{\mu}m $ 공정을 이용하여 MB-OFDM UWB용 RF 수신기의 광대역 LNA와 Down-mixer를 설계하였다. 광대역 LNA는 $3\~5\;GHz$의 대역에서 전력이득은 $12.8\~15dB$, 잡음지수는 2.6 dB 이하, 그리고 입력 IP3는 4 GHz에서 -8 dBm의 특성을 나타내고, 입출력 반사손실은 10 dB 이하의 특성을 보인다. Down-mixer는 3개의 채널에서 2 dB 이하의 gain flatness를 나타내고, 변환이득은 $-2.9\~0.4dB$의 특성을 나타낸다. 또한 LO의 leakage와 feedthrough는 각각 30 dB 이상의 특성을 나타내도록 설계하였다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제17권8호
• /
• pp.719-724
• /
• 2006

본 논문에서는 Half-LO 주파수를 이용하는 새로운 방식의 double-conversion down mixer를 2.3 GHz 대역에서 설계하였다. 제안된 mixer에서는 Half-LO 주파수를 2개의 HEMT에 인가하여 두 HEMT에서의 변환 방식을 gate type과 resistive type으로 다르게 함으로서 IF 주파수를 얻게 된다. 기존의 sub-harmonic mixers와 같이 Half-LO 주파수를 사용하지만 제안된 mixer는 Half-LO의 second harmonic 성분을 이용하지 않고 Half-LO의 기본 주파수를 이용하여 주파수 변환을 하고 두 번째 HEMT에서 Resistive mixer type으로 IF 신호를 얻기 때문에 기존의 능동 mixer보다 향상된 선형성을 얻을 수 있다. 2.3 GHz 대역에서 설계 제작된 mixer는 Half-LO 전력 10 dBm을 이용하여 5dB의 변환 손실과 16.25dBm의 IIP3 특성을 얻을 수 있었다.

• ETRI Journal
• /
• 제32권3호
• /
• pp.457-459
• /
• 2010

A low-power down-sampling mixer in a low-power digital 65 nm CMOS technology is presented. The mixer consumes only 830 ${\mu}W$ at 1.2 V supply voltage by combining an NMOS and a PMOS mixer with cascade transistors at the output. The measured gain is (19 ${\pm}$1 dB) at frequencies between 100 MHz and 3 GHz. An IIP3 of -5.9 dBm is achieved.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(5)
• /
• pp.61-64
• /
• 2000

This paper describes a RF Down-Conversion Mixer for mobile communication systems. This circuit achieves low voltage operation and low power consumption by reducing stacked devices of conventional gilbert cell mixer. In order to reduce stacked devices, we use source-follower structure. The proposed RF Down-Conversion mixer operates up to 1.85GHz at 1.5V power supply with 0.25um CMOS technology and consumes 2.2mA.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 2001년도 하계종합학술대회 논문집(1)
• /
• pp.193-196
• /
• 2001

To reduce third-order intermodulation distortion(IMD3) generated in the down-conversion process of the mixer, predistortion technique was proposed and its performance was verified fDr Cellular band circuit. This method is based on the fact that down converted IMD3 of a down conversion mixer could be canceled by that of predistortor with a fine tuned vector modulator. Two tone test has been performed at 836 Mhz with 442 KHz separation. The results showed that IM3 level was improved about 16dB and PldB of the mixer was increased 3dB. from the above results, the suggested technique is useful to design the down converters for communication system .

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제13권8호
• /
• pp.764-768
• /
• 2002

본 논문에서는 (주)타키오닉스의 SiGe HBT 공정을 이용하여 double balanced Gilbert cell down conversion MMIC mixer를 구현한 결과를 제시하고, 이를 통해 RFIC 설계용 SiGe HBT 파운드리의 정확성과 신뢰성을 평가하였다. 제작된 Mixer는 3 V 동작 전압에서 10 mA의 전류를 소모하며, 2 GHz의 주파수 대역에서 17 dB의 Conversion Gain과 9.8 dB NF, -4.2 dBm Output 1 dB Compression Point, -27 dEc의 RF-IF Isolation의 특성을 나타내었으며 우수한 50 $\Omega$ 입. 출력 정합 특성을 갖는다. 시뮬레이션 결과와 측정결과는 거의 유사한 특성을 가지며, 이를 통해 SiGe HBT 모델 라이브러리의 정확성과 공정의 재현성을 검증할 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제43권10호
• /
• pp.97-103
• /
• 2006

본 논문에서는 무선 수신기용 down-conversion mixer에서 발생하는 2차 비선형과 DC-offset 문제를 향상시키는 방법을 제시하였다. 제안 된 회로에서는 간단한 수식적인 분석으로부터 2차 혼변조 왜곡 성분과 DC-offset 성분은 duty cycle 조절을 통하여 제거 될 수 있음을 알 수 있었다. 제안 된 방법을 가지고 $0.13{\mu}m$ RF CMOS 공정을 사용하여 출력 저항에 5%의 오차를 어 모의실험을 수행하여 보았다. 실험 결과 출력 저항에 5%의 오차를 주었을 때, IIP2(second-order input intercept point)와 DC-offset은 각각 2.04dBm와 22mV의 값을 가졌으나, 여기에서 제안된 방법을 통하여 IIP2는 38.8dBm로, DC-offset은 $777{\mu}V$로 각각 향상됨을 확인 할 수 있었다.

• ETRI Journal
• /
• 제27권5호
• /
• pp.569-578
• /
• 2005

The purpose of this paper is to describe the implementation of monolithically matching circuits, interface circuits, and RF core circuits to the same substrate. We designed and fabricated on-chip 1 to 6 GHz up-conversion and 1 to 8 GHz down-conversion mixers using a 0.8 mm SiGe hetero-junction bipolar transistor (HBT) process technology. To fabricate a SiGe HBT, we used a reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD) system to grow a base epitaxial layer, and we adopted local oxidation of silicon (LOCOS) isolation to separate the device terminals. An up-conversion mixer was implemented on-chip using an intermediate frequency (IF) matching circuit, local oscillator (LO)/radio frequency (RF) wideband matching circuits, LO/IF input balun circuits, and an RF output balun circuit. The measured results of the fabricated up-conversion mixer show a positive power conversion gain from 1 to 6 GHz and a bandwidth of about 4.5 GHz. Also, the down-conversion mixer was implemented on-chip using LO/RF wideband matching circuits, LO/RF input balun circuits, and an IF output balun circuit. The measured results of the fabricated down-conversion mixer show a positive power conversion gain from 1 to 8 GHz and a bandwidth of about 4.5 GHz.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제2권2호
• /
• pp.147-155
• /
• 2002

This paper describes RF front-end transceiver chipset for the dual-mode operation of PCS-Korea and IMT-2000. The transceiver chipset has been implemented in a $0.25\mutextrm{m}$ single-poly five-metal CMOS technology. The receiver IC consists of a LNA and a down-mixer, and the transmitter IC integrates an up-mixer. Measurements show that the transceiver chipset covers the wide RF range from 1.8GHz for PCS-Korea to 2.1GHz for IMT-2000. The LNA has 2.8~3.1dB NF, 14~13dB gain and 5~4dBm IIP3. The down mixer has 15.5~16.0dB NF, 15~13dB power conversion gain and 2~0dBm IIP3. The up mixer has 0~2dB power conversion gain and 6~3dBm OIP3. With a single 3.0V power supply, the LNA, down-mixer, and up-mixer consume 6mA, 30mA, and 25mA, respectively.