• 한국전자파학회논문지
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• 제16권10호
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• pp.1003-1009
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• 2005

본 논문에서는 결함접지구조(Defected Ground Structure: DGS)의 전파 지연 특성을 이용하여 소형으로 구현한 휴대 인터넷용 고전력 Single Pole Double Throw(SPDT) 스위치의 특성이 제공되며 1/4 파장 전송선을 이용하여 제작된 일반적인 방식의 스위치와 그 특성이 비교된다. DGS를 활용하여 제작된 스위치는 높은 격리도를 확보하기 위해 병렬구조의 다이오드를 사용하여 구성되었으며 2.3 GHz에서 0.8 dB의 삽입 손실과 50 dB 이상의 격리도 특성을 보였고 50 W 이상의 전력을 다룰 수 있었다. DGS를 활용한 스위치는 기존의 전송선 방식의 스위치와 거의 동일한 스위칭 특성을 보이면서도 $50\%$ 가까운 회로의 크기 감소를 달성할 수 있었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제22권9호
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• pp.833-839
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• 2011

본 논문에서는 다양한 변조 신호에 대한 1.8 GHz 대역 VSWR을 구하는 방법을 제시하였다. 방향성 결합기를 이용하여 입사 전력과 반사 전력을 측정하였으며, 측정 회로 크기와 비용을 최소화하기 위해 SPDT(Single Pole Double Throw) 스위치를 사용하여 한 개의 검파기와 한 개의 AD(Analog to Digital) 변환기로 회로 구현이 가능하게 되었다. MCU(Micro Control Unit)를 이용하여 전압 반사 계수와 VSWR을 계산하였으며, 다양한 변조 신호에 대한 측정오차를 줄이고 MCU의 처리 시간 및 부하를 최소화하기 위해, 간단한 버블정렬 알고리즘을 적용하여 비적용한 경우보다 0.2의 VSWR 오차를 개선할 수 있었다.

• 한국유체기계학회 논문집
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• 제12권4호
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• pp.23-29
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• 2009

For the purpose of high outlet pressure, compactness and low vibration and noise, 2 stage reciprocating air compressors can have various cylinder arrangement: opposed, in-line, and V type. This paper presents an effective method to calculate the inertia forces and to design counter weight. This method is based on the complex representation for the orbital behavior of the compressor shaft. This method helps to find the optimal balancing rate easily to reduce the inertial force or moment. This paper shows that the residual inertia forces of the single throw shafts and the residual inertia moments of the double throw shafts remain to be imbalanced.

• 센서학회지
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• 제20권2호
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• pp.77-81
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• 2011

This paper presents a single-pole eight-throw(SP8T) switch based on proposed a radio-frequency(RF) microelectromechanical systems (MEMS) switches. The proposed switch was driven by a double stop(DS) comb drive, with a lateral resistive contact. Additionally, the proposed switch was designed to have tapered signal line and bi-directionally actuated. A forward actuation connects between signal lines and contact part, and the output becomes on-state. A reverse actuation connects between ground lines and contact part, and the output becomes off-state. The SP8T switch of 3-stage tree topology was developed based on an arrangement of the proposed RF MEMS switches. The developed SP8T switch had an actuation voltage of 12 V, an insertion loss of 1.3 dB, a return loss of 15.1 dB, and an isolation of 31.4 dB at 6 GHz.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제43권1호
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• pp.143-148
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• 2006

본 논문에서는 이중대역 무선랜 응용을 위한 SPDT(single-pole double-throw) 스위치를 설계 및 제작하였다. 높은 격리도와 송신단의 선형성을 개선하기 위해 적층-게이트(stacked-gate)를 이용하는 비대칭구조를 제안하였다. 제안한 SPDT 스위치의 트랜지스터의 게이트-폭과 제어전압 그리고 적층-게이트의 개수는 모의실험을 통해 최적의 값으로 설계되었고, 500mS/mm의 Gmmax와 150GHz의 fmax를 갖는 $0.25{\mu}m$ GaAs pHEMT 공정을 이용하여 제작하였다. 설계된 스위치는 $DC\~6GHz$ 대역에서 0.9dB 이하의 삽입손실과 송신시 40dB 이상의 격리도와 수신시 25dB 이상의 격리도를 나타내었고, -3/0V 제어전압으로 23dBm의 입력 PldB 를 보였다. 제작된 SPDT 스위치는 $1.8mm{\times}1.8mm$의 면적을 갖는다.

• 한국ITS학회 논문지
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• 제22권6호
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• pp.223-229
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• 2023

본 논문에서는 3.6 ~ 4.0 GHz 대역의 6단의 방사형 스터브 공진기를 갖는 SPDT(Single Pole Double Throw) 스위치를 제안한다. SPDT 스위치는 무선통신회로 설계 툴인ADS(Advanced Design Software) 시뮬레이션을 통해 pcb 기판 위에 제작되었다. SPDT 스위치 측정결과, 격리도는 평균 90 dB, 삽입 손실은 1.5 dB 정도인 것으로 나타났다. 본 논문에서 제안한 스위치는 현재 연구되어 있거나 상용화 되어 있는 비슷한 구조의 스위치들보다 해당 주파수 대역에서 평균 20dB 이상의 고격리도를 나타내고 있다. 제안된 SPDT 스위치는 WiMAX, LTE/5G, WiFi 및 HyperLAN과 같은 다중 대역 RF front-end 시스템에 적용 가능하다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제18권1호
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• pp.16-20
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• 2017

A RF-MEMS (radio-frequency microelectromechanical-system) based DPDT (double pole double throw) switch for the Ku band has been designed and analyzed for this article. The switch topology is based on the FG-CPW (finite ground-coplanar waveguide) configuration of a microstrip-transmission line. An FEM-based multiphysics solver is used for the evaluation of the spring constant, stress distribution, and pull-in voltage regarding the requirements of the switch-beam unit. The electromagnetic performance of the switch is investigated for a $675{\mu}m$ thick silicon substrate. For the operational frequency of 14.5 GHz, an insertion loss better than -0.3 dB, a return loss better than -40 dB, and input/output- and output-port isolations better than -35 dB are achieved for the switching unit.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제15권3호
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• pp.53-58
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• 2008

본 연구에서는 상용화된 2.4 GHz 영역대에서 사용되어지는 WiFi용 DPDT(Double Pole Double throw) switch 칩을 laser 비아 가공과 도금 공정을 이용하여 폴리머 기판내에 내장시켜 그 특성을 분석하였으며 통상적으로 실장되는 wire 본딩방식으로 패키징된 기판과 특성차이를 분석 비교하였다. 폴리머는 FR4기판과 아지노 모토사의 ABF(Ajinomoto build up film)를 이용하여 패턴도금법으로 회로를 형성하였다. ABF공정의 최적화를 위해 폴리머의 경화정토를 DSC (Differenntial Scanning Calorimetry) 및 SEM (Scanning Electron microscope)으로 분석하여 경화도에 따라 도금된 구리패턴과의 접착력을 평가하였다. ABF의 가경화도가 $80\sim90%$일 경우 구리층과 최적의 접착강도를 보였으며 진공 열압착공정을 통해 기공(void)없이 칩을 내장할 수 있었다. 내장된 기관과 와이어 본딩된 기판의 측정은 S 파라미터를 이용하여 삽입손실과 반사손실을 비교 분석하였으며 그 결과 삽입손실은 두 경우 유사하게 나타났지만 반사손실의 경우 칩이 내장된 경우 6 GHz 까지 -25 dB 이하로 안정적으로 나오는 것을 확인할 수 있었다.

• ETRI Journal
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• 제31권3호
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• pp.342-344
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• 2009

From a hydrodynamic device simulation for the pseudomorphic high electron mobility transistors (pHEMTs), we observe an increase of maximum extrinsic transconductance and a decrease of source-drain capacitances. This gives rise to an enhancement of the switching speed and isolation characteristics as the upper-to-lower planar-doping ratios (UTLPDR) increase. On the basis of simulation results, we fabricate single-pole-double-throw transmitter/receiver monolithic microwave integrated circuit (MMIC) switches with the pHEMTs of two different UTLPDRs (4:1 and 1:2). The MMIC switch with a 4:1 UTLPDR shows about 2.9 dB higher isolation and approximately 2.5 times faster switching speed than those with a 1:2 UTLPDR.

• ETRI Journal
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• 제28권1호
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• pp.84-86
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• 2006

This letter presents a small-sized, high-power single-pole double-throw (SPDT) switch with defected ground structure (DGS) for wireless broadband Internet application. To reduce the circuit size by using a slow-wave characteristic, the DGS is used for the quarter-wave (${\lambda}$/4) transmission line of the switch. To secure a high degree of isolation, the switch with DGS is composed of shunt-connected PIN diodes. It shows an insertion loss of 0.8 dB, an isolation of 50 dB or more, and power capability of at least 50 W at 2.3 GHz. The switch shows very similar performance to the conventional shunt-type switch, but the circuit size is reduced by about 50% simply with the use of DGS patterns.