We have investigated the effects of crystalline activation on solid phase crystallization (SPC) of amorphous silicon (a-Si) thin films. Wet blasting and self ion implantation were employed as the activation treatments to induce macro or micro crystalline damages on deposited a-Si films. Low temperature and larger grain crystallization were obtained by the applied two-step activation. High degree of crystallinity was also observed on both furnace and rapid SPC. crystalline activations showed the promotion of nucleation on the activated regions and the retardation of growth in an amorphous matrix in SPC. The observed behavior of two-step SPC was strongly dependent on the applied activation and annealing processes. It was also found that the diversified effects by macro and micro activations on the SPC were virtually diminished as the annealing temperature increased.
Crystallization of one-dimensional porous tin oxide during the anodic oxidation of tin at ambient temperatures is reported. Remarkable crystallinity is achieved when a substrate with a high elastic modulus (e.g., silicon) is used and the tin coating on it is very thin. It is suggested that the compressive stress applied to the anodic tin oxide during the anodization process is the key factor affecting the degree of crystallinity. The measured value of the stress generated during anodization matches well with the range of the most favorable theoretical pressure (stress) for crystallization.
Li2O.2SiO2 glass-ceramics were made from the melt by the nucleation and growth treatment. The optimum nucleation temperature and time were determined from DTA curves of as-quenched and thermally treated glasses, and found to be 44$0^{\circ}C$ and 3hrs. The optical microscopic technique was also used to support this result. The volume fractions of crystals present in the partially crystallized specimens were measured using the optical microscopy and the amorphous X-ray scattering methods. The degree of crystallization increased with increasing the crystallization temperature and time. The crystalline phase identified by X-ray diffraction was lithium disilicate. As the crystallinity increased up to 95%, the transmittance of glass-ceramics was decreased linearly. It was also found that for the same heat treatment condition (575$^{\circ}C$, 30min), a thicker specimen showed higher transmittance, presumably due to less crystallinity.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.13
no.2
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pp.93-97
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2003
The crystallization behavior of amorphous silicon is affected by direction and intensity of electric field in FALC(Field-Aided Lateral Crystallization). Electric field was calculated in a simplified model using conductivity data of Mo, a-Si, $SiO_2$and boundary conditions for electric potential at the electrodes. The magnitude of electric field intensity in each corner of cathode was much larger than that in the center of patterns, and the electric field direction was 50~60 degree outside to cathode. And electric field intensity at a relatively small pattern was larger than that of a large pattern.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.17
no.12
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pp.737-742
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2016
We prepared five different ethylene-propylene copolymers (EPCs) for use as the encapsulant of a photovoltaic module. All of the polymers were of commercial grade from ExxonMobile company and had different ethylene/propylene compositions. The crystallization behaviors and crystal structures of the polymers were analyzed by differential scanning calorimetry and wide angle X-ray scattering diffractometry, respectively. We observed the general trend that the degree of crystallization, density and glass transition temperature of the EPCs decreased with increasing ethylene content. However, an unexpected result was also observed: the EPC with the highest ethylene content (22.2 mol. %) showed the highest melting temperature. As a result, the EPC with 22.2 mol. % of ethylene shows the highest light transmittance, due to its having the lowest degree of crystallization and highest thermal creep resistance. This abnormal result is attributed to the blocky structure prepared by ExxonMobile's special catalyst technology. It was also observed that new additional melting peaks appeared as the crystallization time increased. Using wide angle X-ray scattering diffractometry, it was confirmed that these additional peaks originated from the formation of a new crystal structure caused by annealing.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.20
no.6
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pp.272-277
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2010
The glass-ceramics containing bottom ash (B/A) which was a by-produced from an electrical power plant was fabricated and its crystalline phase, microstructure and mechanical properties were analyzed. At first, the glass was fabricated by adding modifier oxide $Li_2O$ to lower the melting temperature of coal bottom ash. The glass obtained was heat-treated by using a 2-stage process to crystallize, that is to say, to increase the degree of crystallization in the glass-ceramics, the first heat treatment for nucleation was performed followed by the secondary one for the growth of nucleates. The main crystalline phase formed in the glass-ceramics was ${\beta}$-spodumene and the secondary phase was $L_2SiO_3$. It was recognized that the degree of crystallization of glass-ceramics was increased with a holding time of the secondary heat treatment stage. In the case of the specimens hold up to 3 hour, the crystallization was not completed and the microstructures and morphologies of crystalline phase were not uniform. In the specimens of holding time over 9 hours, the cracks were generated inside of it, so its compressive strength would decrease due them. In conclusion, it was able to obtain the optimum condition to fabriate the glass-ceramics having the properties of high crystallization degree, uniform microstructures and morphologies and the high mechanical strength.
The distribution of impurity included in benzene layer crystal was explored in layer crystallization of cyclohexane and benzene mixtures. The influence of crystal growth rate on crystal purity was investigated. All experimental results for bezene-cyclohexane system obtained in layer crystallizer have been evaluated with the criterion of Wintermantel. The purity of crystal decreases with increasing degree of subcooling, decreasing feed concentration and increasing crystal growth rate. The crystal growth rate was a key parameter to determine the inclusion of impurity in crystals. The results obtained from runs performed at increasing crystallization time(i.e. crystal thickness) have clearly shown that migration of inclusions within crystal layer to the melt, leading to the removal of impurity occurs. The diffusion of impurity which takes place during the crystallization from the beginning, enhances a further purification of the crystal layer if that underwent a thermal gradient after growth of the layer crystal stops.
In recent, development of nano fiber has been one of the most active subjects in the world. Nano fiber is defined as a ultra fine yarn with a diameter unit of $10-100\times10^{-9}meter$, which is possible to be produced by an electro-spinning technology. In this study, physical characteristics and dyeing properties of nylon 66 nano fiber were investigated. Nylon 66 nano fiber was dyed with levelling type acid dyes. X-ray diffraction method and DSC analysis were used for the measurement of the degree of crystallization. Analysis of amino end groups was also performed in order to examine a relationship between number of amino groups and its dyeing property as well as water absorption behavior. The maximum exhaustion % of dyes and dyeing rate under various dyeing conditions, such as dyeing temperature and pH in dye bath, along with build-up properties for 2 acid dyes were evaluated. It was found that the degree of crystallization of nano fiber was smaller than that of regular fiber, and amino end groups of nano fiber were less than regular fiber. Half dyeing time of nano fiber was shorter than regular fiber because of the bigger specific surface area. Effect of pH on exhaustion % was small in case of nano fiber. Exhaustion of nano fiber increased with higher concentration of dye.
The effect of humidity on crystallization and polymorphic transformation of hydrous aluminum oxide under various humidity at $37^{\circ}$ was examined by means of X-ray diffraction, scanning electron micrograph, IR spectra and DTA. The humidity was an important factor influencing crystallization of hydrous aluminum oxide. The growth or crystal was strongly accelerated by humidity. The aging process is assumed that it is composed of two seperate steps, an increase of the diffraction around $36{\sim}42^{\circ}$, and an appearance and its development of the peak at $18{\sim}20^{\circ}$ of $2{\theta}$ value. The former is considered to be nucleation and the latter correspond to the growth period on crystallization. The crystalline form of aging products was various depending on the degree of humidity, directly it leads to the eventual formation of bayerite in more than 72%, $b{\"{o}}hmite$ in 50% and resembled to Nordstandite in 0% relative humidity, respectively but once formed, it was mostly stable in each surroundings and does not transform to the other more stable form in solid state even after aging for five years. The mechanism responsible for aging is further polymerization process of six-membered rings by deprotonation-dehydration reaction in which positively charged polynuclear hydroxy aluminum complexes formed in the presence of moisture are joined at their edges by double hydroxide bridges.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.34
no.2
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pp.99-104
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2021
Ion-beam sputtering (IBS) was used to deposit semiconducting IZTO (indium zinc tin oxide) thin films onto heavily-doped Si substrates using a sintered ceramic target with the nominal composition In0.4Zn0.5Sn0.1O1.5, which could work as a channel layer for oxide TFT (oxide thin film transistor) devices. The crystallization behavior and electrical properties were examined for the films in terms of deposition parameters, i.e. target tilt angle and substrate temperature during deposition. The thickness uniformity of the films were examined using a stylus profilometer. The observed difference in electrical properties was not related to the degree of crystallization but to the deposition temperature which affected charge carrier concentration (n), electrical resistivity (ρ), sheet resistance (Rs), and Hall mobility (μH) values of the films.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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