본 논문에서는 생체 내부를 비침습적으로 영상화하기 위한 방법으로 생체내에서의 빛의 전파가 흡수보다는 산란이 지배적으로 작용하는 근적외선(NIR, near-infrared) 영역의 레이저 광원 및 광 검출기를 이용하여 주파수영역(frequency-domain) 확산 광 단층촬영(DOT, diffuse optical tomography) 시스템을 구현하였으며, 생체조직을 모사한 액체 팬텀에 광학적 특성이 다른 이형성분(anomaly)을 삽입하여 실험적으로 흡수 및 산란 분포에 대한 영상을 복원함으로써 이형성분의 위치와 형태에 대한 정보를 획득하였다.
양자점 셀룰라 오토마타(QCA: quantum-dot cellular automata)는 나노 규모의 크기와 낮은 전력 소비로 각광받고 있으며, CMOS 기술 규모의 한계를 극복할 수 있는 대체 기술로 떠오르고 있다. 다양한 QCA 회로들이 연구되고 있고, 그 중 카운터와 상태 제어에 필요한 래치는 순차 회로의 구성 요소로서 제안되어 왔다. 래치는 이전 상태를 유지하기 위한 피드백 구조의 형태를 가지고 있으며, 이를 QCA 상에서 구현하기 위해 4 클럭을 소모하는 사각형 형태의 루프 구조를 사용한다. 기존의 QCA 상에서 제안된 래치는 동일 평면상에서 제안되었으며, 피드백 구조를 구현하기 위해 많은 셀과 클럭이 소모되었다. 본 논문에서는 이러한 단점을 개선하기 위해서 다층 구조를 이용한 새로운 형태의 SR 래치와 D 래치를 제안한다. 제안한 3차원 루프 구조는 다층 구조 기반의 설계이며 총 3개의 층으로 구성한다. 각 층의 배선은 다른 층과 영향을 받지 않도록 인접한 배선 간 2 클럭 차이를 주어 설계한다. 설계된 래치 구조는 시뮬레이션을 수행하고 기존의 래치와 비교 및 분석한다.
This paper describes the method for the fabrication of micro dot array on a plastic mold steel using DPSS (diode pumped solid-states) UV laser and wet etching process. We suggest the process of the ablation of a photoresist (PR) coated on plastic mold steel and wet etching process using solutions of various concentrations of $FeCl_3$, $HNO_3$ in water as etchant. This method makes it possible to fabricate metallic roller mold because the microstructures are directly fabricated on the metal surface. In the range of operating conditions studied, $17\;{\mu}J$ laser pulse energy and 50 ms laser exposure time, an etchant containing 40wt% $FeCl_3$, 5wt% $HNO_3$ and etch time for 45 s gave the $10\;{\mu}m$ of micro dot pattern on plastic mold steel.
Nano-floating gate memory (NFGM) devices were fabricated by using the low temperature poly-Si thin films crystallized by ELA and the $In_2O_3$ nano-particles embedded in polyimide layers as charge storage. Memory effect due to the charging effects of $In_2O_3$ nano-particles in polyimide layer was observed from the TFT NFGM. The post-annealing in 3% diluted hydrogen $(H_2/N_2)$ ambient improved the retention characteristics of $In_2O_3$ nano-particles embedded poly-Si TFT NFGM by reducing the interfacial states as well as grain boundary trapping states.
분자선 에피택시 (MBE)법으로 성장된 양자점 원적외선 수광소자(Quantum Dot Infrared Photodetector: QDIP)구조의 $In_{0.5}Ga_{0.5}As/GaAs$ 자발형성 양자점에 대하여, 수소화 처리(Hydrogen Plasma treatment) 전후의 각각의 특성을 광학적인 방법으로 분석하였다. 광학적 특성은 광루미네센스(photoluminescence: PL) 그리고 광전류(Photocurrent: PC)방법으로 각각 15K 300K 10K 130k 범위에서 측정되었으며, 수소화 처리 전후의 $In_{0.5}Ga_{0.5}As$ 자발형성 양자점의 광학적 특성을 비교 분석해보면, 원시료(as-grown)의 하나의 봉우리가 수소화 처리를 통하여 두개의 봉우리로 나뉘지만 PL의 전체 세기(intensity)에는 큰 변화가 없었으며, 광전류는 수소화 처리 후에 감소함을 알 수 있다. 수소화 처리 전후의 샘플에 대해 PL의 결과로부터 활성화 에너지를 계산하여 비교해보면, 수소화 처리 전후의 활성화 에너지가 다름을 알 수 있고, 이 변화된 활성화 에너지 값은 측정된 광전류의 봉우리에 해당하는 에너지 값과 거의 일치함을 알 수 있다. 수소화 처리된 샘플은 역 수소화 처리를 통하여 PL 그래프의 모양이 원시료의 모양으로 되돌아가야 함에도 불구하고, 수소화 처리된 시료의 PL의 그래프와 동일한 모습을 보였다. 이러한 현상은 자발형성 양자점의 수소화 처리에 따른 양자점 내부의 양자점 조성의 변동에 그 원인이 있는 것으로 보인다.
본 연구는, HBV의 증식 및 감염력을 파악하는데 가장 중요한 표지자로 알려진 HBV DNA를 최근 임상에서 많이 이용되고 있는 PCR법을 사용해 검출함으로써 기존의 dot blot법과 PCR법을 비교하고, 만성 간질환 환자에서 HBV의 e항원, 항체체계에 따른 HBV DNA의 검출율을 PCR법을 이용하여 알아봄으로써 HBV의 증식 및 감염력을 파악하고자 무증상 HBsAg 보유자 17명(HBeAg 양성 9명, anti-HBe 양성 8명), 만성 B형 간염 환자 91명(HBeAg 양성 50명, anti-HBe 양성 41명), 간경변증 한자 57명(HBeAg 양성 21명, anti-HBe 양성 36명), 원발성 간세포암 환자 27명(HBeAg 양성 10명, antiHBe 양성 17명)을 대상으로 HBV DNA의 검출빈도를 조사하여 다음과 같은 결과를 얻었다. Dot blot법의 경우 HBeAg 양성인 환자군, anti-HBe 양성인 환자군에서의 HBV DNA의 검출율은 각각 58.9%, 34.3% 이었고, PCR법에 의한 검출율은 상기군에서 각각 72.2%, 53.9%였다. HBeAg 음성인군에서의 PCR법에 의한 HBV DNA 검출율은 무증상 HBsAg 보유자의 경우 25.0%, 만성 B형 간염 환자군의 경우 61.0%, 간병변증 환자군의 경우 52.8%, 원발성 간세포암 환자군의 경우 52.9%였다. 무증상 HBsAg 보유자에서 HBeAg 양성인 군과 음성인 군간의 HBV DNA 검출율은 각각 77.8%, 25.0%로 유의한 차이가 있었으나, 나머지 군에서는 HBeAg 양성인 군과 음성인 군간의 HBV DNA 검출율의 유의한 차이는 없었다. 이상의 결과로 PCR을 이용할 경우 기존의 dot blot보다 훨씬 예민하게 HBV DNA를 검출할 수 있고, HBsAg 양성인 만성 간질환 환자의 대부분에서는 HBeAg 및 anti-HBe 표식자 체계와는 무관하게 바이러스의 증식이 지속되고 있음을 알 수 있었으며, PCR법이 무증상 HBsAg 보유자의 예후를 알 수 있는 지표로서 유용성에 대한 가능성을 의미하나 확실한 의의를 알기 위하여 전향적인 연구가 필요할 것으로 사료된다.
Compared with bulk material, quantum dots have received increasing attention due to their fascinating physical properties, including optical and electronic properties, which are due to the quantum confinement effect. Especially, Luminescent CdSe quantum dots have been highly investigated due to their tunable size-dependent photoluminescence across the visible spectrum. They are of great interest for technical applications such as light-emitting devices, lasers, and fluorescent labels. In particular, quantum dot-based light-emitting diodes emit high luminance. Quantum dots have very high luminescence properties because of their absorption coefficient and quantum efficiency, which are higher than those of typical dyes. CdSe quantum dots were synthesized as a function of the synthesis time and synthesis temperature. The photoluminescence properties were found strongly to depend on the reaction time and the temperature due to the core size changing. It was also observed that the photoluminescence intensity is decreased with the synthesis time due to the temperature dependence of the band gap. The wavelength of the synthesized quantum dots was about 550-700 nm and the intensity of the photoluminescence increased about 22~70%. After the CdSe quantum dots were synthesized, the particles were found to have grown until reaching a saturated concentration as time increased. Red shift occurred because of the particle growth. The microstructure and phase developments were measured by transmission electron microscopy (TEM) and X-ray diffractometry (XRD), respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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