Quantum Dot Formation by Interface Agglomeration at the Si$O_{2}/{Si}_{0.7}{Ge}_{0.3}/SiO_{2}$system

Si$O_{2}/{Si}_{0.7}{Ge}_{0.3}/SiO_{2}$계에서의 계면응집현상에 의한 양자점 형성에 관한 연구

  • Published : 1997.10.01