Human $\varepsilon$-globin DNA fragment was used to determine the thermal stabilities of base pairs at d(CXG) and d(GXC) by Temperature Gradient Gel Electrophoresis(TGGE). The base pair stability depends on the hydrogen bonding interaction and base stacking interaction of neighbor base sequence. The orders of base pair stabilities were T.AG.A = A.G>C.T>T.C>C.A>A.C for d(GXC).d(GYC).
In this paper, we introduce the concept of split and non-split tree (D, C)- set of a connected graph G and its associated color variable, namely split tree (D, C) number and non-split tree (D, C) number of G. A subset S ⊆ V of vertices in G is said to be a split tree (D, C) set of G if S is a tree (D, C) set and ⟨V - S⟩ is disconnected. The minimum size of the split tree (D, C) set of G is the split tree (D, C) number of G, γχST (G) = min{|S| : S is a split tree (D, C) set}. A subset S ⊆ V of vertices of G is said to be a non-split tree (D, C) set of G if S is a tree (D, C) set and ⟨V - S⟩ is connected and non-split tree (D, C) number of G is γχST (G) = min{|S| : S is a non-split tree (D, C) set of G}. The split and non-split tree (D, C) number of some standard graphs and its compliments are identified.
The electromigration phenomena and the characterizations of the conductor lifetime (Time-To-Failure, TTF) in Al-1%Si thin film interconnections under D.C. and Pulsed D.C. conditions were investigated . Meander type test patterns were fabricated with the dimensions of 21080$mu \textrm{m}$ length, 3$\mu\textrm{m}$ width, 0.7$\mu\textrm{m}$ thickness and the 0.1$\mu\textrm{m}$/0.8$\mu\textrm{m}$($SiO_2$/PSG)dielectric overlayer. The current densities of $2 \times10^6 A/\textrm{cm}^2$ and $1 \times10^7 A/\textrm{cm}^2$ were stressed in Al-1%Si thin film interconnection s under a D.C. condition. The peak current densities of $2 \times10^6 A/\textrm{cm}^2$ and $1 \times10^7 A/\textrm{cm}^2$ were also applied under a Pulsed D.C. condition at frequencies of 200KHz, 800KHz, 1MHz, and 4MHz with the duty factor of 0.5. THe time-to-failure under a Pulsed D.C.($TTF_{pulsed D.C}$) was appeared to be larger than that under a D.C. condition. It was found that the TTF under both a D.C. and a Pulsed D.C. condition. It was found that the TTF under both a D.C. and a Pulsed D.C. condition largely depends upon the appiled current densities respectively . This can be explained by a relaxation mechanism view due to a duty cycle under a Pulsed D.C. related to the wave on off. The relaxation phenomena during the pulsed off period result in the decayof excess vacancies generated in the Al-1%Si thin film interconnections because of the electrical and mechanical stress gradient . Hillocks and voids formed by an electromigration were observed by using a SEM (Scanning Electron Microscopy).
Let D be an integral domain with quotient field K,$\mathcal{I}(D)$ be the set of nonzero ideals of D, and $w$ be the star-operation on D defined by $I_w=\{x{\in}K{\mid}xJ{\subseteq}I$ for some $J{\in}\mathcal{I}(D)$ such that J is finitely generated and $J^{-1}=D\}$. The D is called a Pr$\ddot{u}$fer $v$-multiplication domain if $(II^{-1})_w=D$ for all nonzero finitely generated ideals I of D. In this paper, we show that D is a Pr$\ddot{u}$fer $v$-multiplication domain if and only if $(A{\cap}(B+C))_w=((A{\cap}B)+(A{\cap}C))_w$ for all $A,B,C{\in}\mathcal{I}(D)$, if and only if $(A(B{\cap}C))_w=(AB{\cap}AC)_w$ for all $A,B,C{\in}\mathcal{I}(D)$, if and only if $((A+B)(A{\cap}B))_w=(AB)_w$ for all $A,B{\in}\mathcal{I}(D)$, if and only if $((A+B):C)_w=((A:C)+(B:C))_w$ for all $A,B,C{\in}\mathcal{I}(D)$ with C finitely generated, if and only if $((a:b)+(b:a))_w=D$ for all nonzero $a,b{\in}D$, if and only if $(A:(B{\cap}C))_w=((A:B)+(A:C))_w$ for all $A,B,C{\in}\mathcal{I}(D)$ with B, C finitely generated.
Three genes, nsdD, nsdC, and veA are known to be necessary for positive regulating sexual development of Aspergillus nidulans. Since the mutants of those genes hardly form fruiting bodies in heterokaryons constructed by cross between two of them, it is difficult to isolate double mutants. In this work, double mutants of ${\Delta}nsdD$${\Delta}veA$ and ${\Delta}nsdD$${\Delta}nsdC$ were isolated using the characteristic of the nsdD deletion mutant that it could develop mature cleistothecia in hypoxic and low temperature culture condition. According to the phenotypes of double mutants, the nsdD gene controls the apical growth independently with veA or nsdC. Deletion of veA or nsdC was epistatic to nsdD deletion for pigment production. Conidia formation in submerged culture with lactose as sole carbon source was observed in ${\Delta}nsdD$${\Delta}nsdC$ double mutant implicating it to be unique phenotype of nsdC deletion.
Journal of Elementary Mathematics Education in Korea
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v.23
no.3
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pp.273-288
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2019
This study focuses on understanding proportionality, in particular, what constitutes relational understanding of a:b=c:d, which is called proportional expression. The meanings of a:b=c:d are analyzed and some suggestions are offered for improving the teaching and learning of it. The equation a:b=c:d has three different meanings. First, it represents two different structures in one proportional situation. Second, it represents a common structure in two different proportional situations. Finally, it represents a number or a quantity underlying in different proportional situations. It is important to choose and use a unit flexibly to understand the first and the second meanings of a:b=c:d, Double strip diagram and double number line are useful to visualize the meanings of a:b=c:d. In addition, what a number or a quantity in the third meaning of a:b=c:d refers to in proportional situations should be emphasized in teaching and learning of a:b=c:d.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
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v.45
no.4
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pp.474-483
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1996
In this paper, as a part of the method improving stability, the load-flow calculation in D.C. power system and the models for stability analysis are studied with A.C-D.C. interconnected power systems transmission performed. Moreover, the theory is established in relation to each control method of D.C. power systems. Then the stability of A.C-D.C.interconnected power systems is compared and considered by the way of dividing the operating control method of the rectifier inverter converter into ACR-AVR, APR-A.gamma.R, A.alpha.R-ACR. The dynamics characteristic of terminal voltage, frequency, active-reactive power and rotor angle of the generator with disturbances and load fluctuations is considered. In addition, the characteristic of direct voltage, direct current, power and control systems. From this the comparative analysis of the direct current control method, the possibility of the stability analysis of A.C.-D.C. interconnected power system is considered. (author). refs., figs., tabs.
In this paper, we propose a new interconnection network, hierarchical odd network HON($C_d,C_d$), which used the odd network as basic modules. We investigate various topological properties of HON($C_d,C_d$), including connectivity, routing algorithm, diameter and broadcasting. We show that HON($C_d,C_d$) outperforms the three networks, i.e. the odd network, HCN(m,m), and HFN(m,m).
For c > -1, let ${\nu}_c$ denote a weighted radial measure on ${\mathbb{C}}$ normalized so that ${\nu}_c(D)=1$. For $c_1,c_2>-1$ and $f{\in}L^1(D^2,\;{\nu}_{c_1}{\times}{\nu}_{c_2})$, we define the weighted Berezin transform $B_{c_1,c_2}f$ on $D^2$ by $$(B_{c_1,c_2})f(z,w)={\displaystyle{\smashmargin2{\int\nolimits_D}{\int\nolimits_D}}}f({\varphi}_z(x),\;{\varphi}_w(y))\;d{\nu}_{c_1}(x)d{\upsilon}_{c_2}(y)$$. This paper is about the space $M^p_{c_1,c_2}$ of function $f{\in}L^p(D^2,\;{\nu}_{c_1}{\times}{\nu}_{c_2})$ ) satisfying $B_{c_1,c_2}f=f$ for $1{\leq}p<{\infty}$. We find the identity operator on $M^p_{c_1,c_2}$ by using invariant Laplacians and we characterize some special type of functions in $M^p_{c_1,c_2}$.
본 변환기는 교번자계의 원리에 의한 보통 변환기가 아니고 회전자계의 원리를 이용한 변환기로서 상변환, 주파수변화, A.C.에서 D.C. 전원변환, D.C.에서 A.C. 전원변환, 속도제어, 진상기 등을 얻을 수 있는 경제적이고 능률적인 변환기를 얻을 수 있다. 임의의 다상을 얻을 수 있는 이 변환기는 다상 전원을 필요로 하는 수은정류기 등에 응용할 수 있고 A.C.전원에서 D.C.전원의 대용량전원을 얻어 D.C.전원이 필요로 하는 직류전철의 전원, 직류송전의 전원등에 이용할 수 있고, D.C.전원에서 A.C.전원을 얻어 교류전력기를 운전할 수 있으며 D.C.송전선에서 A.C.로 변환하여 종전의 A.C.배전선에 공급하면 D.C.송전을 이용한 송전손실을 경감시킬수 있고 주파수를 변환하여 속도제어를 하는 등 광범위하게 그 응용이 가능한 것이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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