• 제목/요약/키워드: Current-Mode Circuit

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디지털 오디오 프로세서용 전류모드 소자의 성능 개선에 관한 연구 (Performance Improvement of Current-mode Device for Digital Audio Processor)

  • 김성권;조주필;차재상
    • 한국인터넷방송통신학회논문지
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    • 제8권5호
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    • pp.35-41
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    • 2008
  • 본 논문은 디지털 오디오 신호처리의 고속 및 저전력 동작을 구현하기 위한 전류모드 신호처리의 고성능 회로에 관하여 설계방안을 제시한다. 디지털 오디오 프로세서는 FFT(fast Fourier transform)와 같은 디지털 연산 동작이 필요하며, FFT 프로세서는 그 설정 포인트에 따라, 전력이 많이 필요하게 되며, 또한 고속 동작의 요구에 따라, 전력의 부담은 증대되고 있다. 따라서, 디지털 오디오 프로세서에 SI(switched current) circuit을 이용하는 analog current-mode 신호처리의 응용이 적용되게 되었다. 그러나 SI circuit을 구성하는 current memory는 clock-feedthrough의 문제점을 갖기 때문에, 전류 전달 특성에 있어서 오차를 발생시킨다. 본 논문에서는 current memory의 문제점인 clock- feedthrough의 해결방안으로 switch MOS에 dummy MOS의 연결을 검토하고, 0.25um process로 제작하기 위하여 switch MOS와 dummy MOS의 width의 관계를 도출하고자 한다. 시뮬레이션 결과, memory MOS의 width가 20um, 입력전류와 바이어스전류의 비가 0.3, switch MOS의 width가 2~5um일 경우에 switch MOS와 dummy MOS의 width는 $W_{M4}=1.95W_{M3}+1.2$의 관계로 정의되고, switch MOS의 width가 5~10um일 경우에 width는 $W_{M4}=0.92W_{M3}+6.3$의 관계로 정의되는 것을 확인하였다. 이 때, 정의된 MOS transistor의 width관계는 memory MOS의 설계에 유용한 지침이 될 것이며, 저전력 고속 동작의 디지털 오디오 프로세서의 적용에 매우 유용할 것으로 기대된다.

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IC내부 온도 측정이 가능한 온도센서회로 설계 (Design of temperature sensing circuit measuring the temperature inside of IC)

  • 강병준;김한슬;이민우;손상희;정원섭
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
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    • pp.838-841
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    • 2012
  • 본 논문에서는 온도변화에 따른 회로 손상이나 성능 저하를 피하기 위해서 회로 안에 내장할 수 있는 온도 센서 회로를 설계하였다. 일반적인 PTAT회로를 사용하여 온도감지를 하고, 스위치를 내장시켜 회로 동작이 불가능할 정도로 IC 내부 온도가 높을 때는 절전모드로 동작하게 하였다. 또한, 전류미러 및 캐스코드회로를 사용함으로서 전류 정합특성을 향상시켰다. 시뮬레이션 결과 $75^{\circ}C$일 경우 약 1V, $130^{\circ}C$일 경우 1.75V를 출력전압을 발생하였으며, 절전모드의 경우 0V~7uV까지 즉 거의 0V에 가까운 출력전압을 발생함을 확인 할 수 있었다.

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전류모드 CMOS 4치 논리회로를 이용한 64×64-비트 변형된 Booth 곱셈기 설계 (Design of a 64×64-Bit Modified Booth Multiplier Using Current-Mode CMOS Quarternary Logic Circuits)

  • 김정범
    • 정보처리학회논문지A
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    • 제14A권4호
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    • pp.203-208
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    • 2007
  • 본 논문에서는 CMOS 다치 논리회로를 이용하여 $64{\times}64$ 비트 Modified Booth 곱셈기를 설계하였다. 설계한 곱셈기는 Radix-4 알고리즘을 이용하여 전류모드 CMOS 4치 논리회로로 구현하였다. 이 곱셈기는 트랜지스터 수를 기존의 전압모드 2진 논리 곱셈기에 비해 64.4% 감소하였으며, 내부 구조를 규칙적으로 배열하여 확장성을 갖도록 설계하였다. 설계한 회로는 2.5V의 공급전압과 단위전류 $5{\mu}A$를 사용하여, $0.25{\mu}m$ CMOS 기술을 이용하여 구현하였으며 HSPICE를 사용하여 검증하였다. 시뮬레이션 결과, 2진 논리 곱셈기는 $7.5{\times}9.4mm^2$의 점유면적에 9.8ns의 최대 전달지연시간과 45.2mW의 평균 전력소모 특성을 갖는 반면, 설계한 곱셈기는 $5.2{\times}7.8mm^2$의 점유면적에 11.9ns의 최대 전달지연시간과 49.7mW의 평균 전력소모 특성으로 점유면적이 42.5% 감소하였다.

Bi-directional current transceiver

  • Songsataya, Kiettiwan;Sungkabunchoo, Tiparat;Riewruja, Vanchai;Chaikla, Amphawan;Julsereewong, Prasit
    • 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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    • 제어로봇시스템학회 2005년도 ICCAS
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    • pp.861-863
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    • 2005
  • The current-mode circuit technique to design a bi-directional current transceiver for remote control systems and telemetering systems is presented in this paper. The proposed transceiver can transmit and receive the industrial standard current signal 4-20mA at the same time using two wires connection. The realization method is based on a second generation current conveyor (CCII) and a current mirror, which can be implemented using a commercially available device. To demonstrate the performance of the proposed scheme, the transceiver was simulated by the use of the PSPICE analog simulation program. The simulation results verifying the circuit performance are agreed with the expected values. The crosstalk of the proposed transceiver of about .63dB is observed.

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전류모드 CMOS를 사용한 병렬 3치 승산기 설계 ((The Design of Parallel Ternary-Valued Multiplier Using Current Mode CMOS))

  • 심재환;변기영;윤병희;이상목;김흥수
    • 전자공학회논문지SC
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    • 제39권2호
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    • pp.123-131
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    • 2002
  • 본 논문에서는 전류모드 CMOS를 통한 GF(3/sup m/)상의 표준기저 승산회로를 제안하였다. 먼저, GF(3)연산을 위해 필요한 가산 및 승산을 진리표를 통해 정의하고 이를 CMOS회로로 설계하였다. GF(3/sup m/)상의 임의의 두 원소들간의 승산의 전개방식을 수식을 통해 보였으며, 정의된 3치 기본연산자를 조합하여 GF(3/sup m/) 승산회로를 설계하였다. 제안된 수식과 회로를 m에 대하여 일반화하였고, 그 중 m=3에 대한 설계의 예를 보였다. 본 논문에서 제안된 승산회로는 그 구성이 블록의 형태로 이루어지므로 m에 대한 확장이 용이하며, VLSI에 유리하다. 또한 회로내부에 메모리소자를 사용하지 않고, 연산디지트들이 병렬로 연산되므로 빠른 연산이 가능하다. 제안된 회로의 논리연산동작을 시뮬레이션을 통해 검증하였다.

저전압 저전력 혼성신호 시스템 설계를 위한 800mV 기준전류원 회로의 설계 (A Novel 800mV Beta-Multiplier Reference Current Source Circuit for Low-Power Low-Voltage Mixed-Mode Systems)

  • 권오준;우선보;김경록;곽계달
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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    • pp.585-586
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    • 2008
  • In this paper, a novel beta-multiplier reference current source circuit for the 800mV power-supply voltage is presented. In order to cope with the narrow input common-mode range of the OpAmp in the reference circuit, shunt resistive voltage divider branches were deployed. High gain OpAmp was designed to compensate intrinsic low output resistance of the MOS transistors. The proposed reference circuit was designed in a standard 0.18um CMOS process with nominal Vth of 420mV and -450mV for nMOS and pMOS transistor respectively. The total power consumption including OpAmp is less than 50uW.

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무손실 스너버 회로를 이용한 소프트 스위칭 강압형 고역률 컨버터 (Soft switching high power factor buck converter using loss less snubber circuit)

  • 구헌회;변영복;김성철;서기영;이현우
    • 전자공학회논문지S
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    • 제34S권6호
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    • pp.77-84
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    • 1997
  • buck type converter doesn't appear when an input voltag eis lower than an output voltage. This is the main reason the buck converter has not been used for high power factor converters. In this paper, soft switching high power factor buck converter is proposed. This converter is composed of diode rectifier, input capacitor can be small enough to filter input current, buck converter with loss less snubber circuit. Converter is operated in discontinous conduction mode, turn on of the switching device is a zero current switching (ZCS) and high powr factor input is obtianed. In addition, zero voltage switching (ZVS) at trun off is achieved and switching loss is reduced using loss less snubber circuit. The capacitor used in the snubber circuit raised output voltage. Therefore, proposed converter has higher output voltage and higher efficiency than conventional buck type converter at same duty factor in discontinous conduction mode operation. High power factro, efficiency, soft switching operation of proposed converter is veified by simulation using Pspice and experimental results.

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Four Quadrant CMOS Current Differentiated Circuit

  • Parnklang, Jirawath;Manasaprom, Ampaul;Ukritnukul, Anek
    • 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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    • 제어로봇시스템학회 2003년도 ICCAS
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    • pp.948-950
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    • 2003
  • In this literature, the CMOS current mode fout quadrant differentiator circuit is proposed. The implementation is base on an appropriate input stage that converts the input current into a compressed voltage at the input capacitor ($C_{gs}$) of the CMOS driver circuit. This input voltage use as the control output current which flow to the output node by passing through a MOS active load and use it as the feedback voltage to the input node. Simulation results with level 49 CMOS model of MOSIS are given to demonstrate the correct operation of the proposed configuration. But the gain of the circuit is too low so the output differentiate current also low. The proposed differentiator is expected to find several applications in analog signal processing system.

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전류모드 CMOS에 의한 다치논리회로의 설계 (Design of Multivalued Logic Circuits using Current Mode CMOS)

  • 성현경;강성수;김흥수
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1988년도 전기.전자공학 학술대회 논문집
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    • pp.278-281
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    • 1988
  • This paper realizes the multi-output truncated difference circuits using current mode CMOS, and presents the algorithm designing multi - valued logic functions of a given multivalued truth tables. This algorithm divides the discrete valued functions and the interval functions, and transforms them into the truncated difference functions. The transformed functions are realized by current mode CMOS. The technique presented here is applied to MOD4 addition circuit and GF(4) multiplication circuit.

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A Semi-analytical Model for Depletion-mode N-type Nanowire Field-effect Transistor (NWFET) with Top-gate Structure

  • Yu, Yun-Seop
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제10권2호
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    • pp.152-159
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    • 2010
  • We propose a semi-analytical current conduction model for depletion-mode n-type nanowire field-effect transistors (NWFETs) with top-gate structure. The NWFET model is based on an equivalent circuit consisting of two back-to-back Schottky diodes for the metal-semiconductor (MS) contacts and the intrinsic top-gate NWFET. The intrinsic top-gate NWFET model is derived from the current conduction mechanisms due to bulk charges through the center neutral region as well as of accumulation charges through the surface accumulation region, based on the electrostatic method, and thus it includes all current conduction mechanisms of the NWFET operating at various top-gate bias conditions. Our previously developed Schottky diode model is used for the MS contacts. The newly developed model is integrated into ADS, in which the intrinsic part of the NWFET is developed by utilizing the Symbolically Defined Device (SDD) for an equation-based nonlinear model. The results simulated from the newly developed NWFET model reproduce considerably well the reported experimental results.