• Journal of Electrochemical Science and Technology
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• 제3권2호
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• pp.85-89
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• 2012

This study demonstrates the direct anodic electrodeposition of polypyrrole (PPy), poly(3,4-ethyl-enedioxythiophene) (PEDOT), and polythiophene (PTh) on Cu electrodes by employing a corrosion inhibitor, succinonitrile (SN). SN was found to suppress anodic Cu dissolution beyond the oxidation potential of the polymer monomers. It is also revealed that the Cu surface passivated by SN is still adequately conductive to allow the redox reaction of 1,4-difluoro-2,5-dimethoxybenzene (FMB) and the oxidation of the polymer monomers. Through both cyclic voltammetry and galvanostatic techniques, PPy, PEDOT, and PTh films were successfully synthesized on Cu electrodes in the presence of SN, and the redox behaviors of the films were evaluated.

• 대한용접접합학회:학술대회논문집
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• 대한용접접합학회 2007년 추계학술발표대회 개요집
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• pp.227-228
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• 2007

본 연구에서는 플립칩 범프를 형성하는 여러 가지 방법 중 전해도금을 이용하여 Sn-0.7wt%Cu 솔더 범프를 형성 하고자 하였다. 전류밀도에 따른 전류 효율을 알아보기 위하여 전류밀도에 따른 실험적 증착 속도와 이론적 속도를 비교 분석 하였다. 도금 두께는 FE-SEM(Field Emission Scanning Electron Microscope)을 이용하여 측정 하였으며 최종적으로 $20{\mu}m{\times}20{\mu}m{\times}10{\mu}m$ 크기에 $50{\mu}m$ 피치를 가지는 straight wall 형 Sn-0.7wt%Cu 솔더 범프를 형성하고자 하였다.

• Journal of Welding and Joining
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• 제20권5호
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• pp.72-77
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• 2002

Flip-chip interconnection that uses solder bump is an essential technology to improve the performance of microelectronics which require higher working speed, higher density, and smaller size. In this paper, the shear strength of Cr/Cr-Cu/Cu UBM structure of the high-melting solder b01p and that of low-melting solder bump after aging is evaluated. Observe intermetallic compound and bump joint condition at the interface between solder and UBM by SEM and TEM. And analyze the shear load concentrated to bump applying finite element analysis. As a result of experiment, the maximum shear strength of Sn-97wt%Pb which was treated 900 hrs aging has been decreased as 25% and Sn-37wt%Pb sample has been decreased as 20%. By the aging process, the growth of $Cu_6Sn_5$ and $Cu_3Sn$ is ascertained. And the tendency of crack path movement that is interior of a solder to intermetallic compound interface is found.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2007년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.109-110
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• 2007

본 연구에서는 범프를 형성하는 여러 가지 방법중 전해도금을 이용하여 Sn-Cu 솔더 범프를 형성하고자 하였다. 기초적인 도금 특성을 알아보기 위하여 전류밀도에 따른 중착속도, 도금 시간에 따른 도금두께 등을 측정하였으며, 최종적으로는 $20{\times}20{\times}10{\mu}m$ 크기에 $50{\mu}m$피치를 갖는 Sn-Cu 솔더 범프를 형성하고자 하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제12권4호통권37호
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• pp.289-299
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• 2005

실험과 비선형 유한요소해석을 병행하여, area array 패키지에서 솔더 접합부 특성을 판별하기 위한 전단시험 결과에 미치는 전단속도와 높이의 영향을 연구하였다. 전단속도의 증가와 전단높이의 감소에 따라 전단강도는 증가하는 경향을 나타내었다. 과대하게 높은 전단높이는 비정상적으로 높은 표준편차 또는 솔더볼 표면으로부터 전단 프로브의 밀림 현상과 같은 실험오차를 발생시켰다. 반면, 낮은 전단 속도는 취약한 계면 파괴나 계면에서 가장 약한 층의 판별에 있어서 유용하였다. 한편, 리플로우 회수 증가에 따른 Sn-37Pb/Cu와 Sn-3.5Ag/Cu BGA 솔더 접합부의 기계적${\cdot}$전기적 특성에 대하여 연구하였다. Cu6Sn5와 Cu3Sn으로 구성된 금속간화합물 층의 총 두께는 리플오우 시간의 1/3승에 비례하여 증가하였다. 전단 강도는 3회 또는 4회 리플로우까지 증가한 후, 이후 리플로우 회수에 비례하여 감소하는 경향을 나타내었다. 이때, 파괴는 리플로우 회수에 관계없이 솔더 내에서 발생하였다. 진기 비저항은 리플로우 회수에 비례하여 증가하였다.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2001년도 추계 기술심포지움
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• pp.141-145
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• 2001

Sn-3.5Ag 무연 솔더에 Cu를 첨가한 3원계 합금을 만든 후 압연과 열처리한 후 크리프 특성을 연구하였다. 모든 솔더 합금에서 1차 크리프는 거의 관찰되지 않았으며, 2차와 3차 크리프가 대부분을 차지하였고, 최소 크리프 변형율은 Cu 함량이 0.75 wt %에서 최소이었고, 응력 지수는 약 4이었으며, 파단 시간 또한 0.75 wt% Cu에서 가장 길었다. 크리프 기구는 격자 확산에 의한 전위의 상승과 전위 활주에 의한 고온 크리프임을 앞 수 있었으며, Cu의 첨가는 1 wt% 가지 연성에 큰 영향을 주지 않았으나, 1.5 wt% 첨가했을 경우 연성은 크게 감소하였다.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2004년도 국제표면실장 및 인쇄회로기판 생산기자재전:전자패키지기술세미나
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• pp.37-59
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• 2004

In the case of Ni/Au finished pad on the package side, the solder joint of SnAgCu system can bring brittle fracture under impact load such as drop test. Therefore, it's difficult to prevent the brittle fracture of lead-free solder, by controlling Cu content. The failure locus existing on the interface between $(Ni,Cu)_3Sn_4\;and\;(Cu,Ni)_6Sn_5$ IMC layers must be changed to other site in order to avoid brittle fracture due to impact load. It was not found any clear evidence that there were two IMC layers exist. But it was strongly assumed these were two layers which have different Cu-Ni composition. From the above analysis it was assumed that Cu atom in the solder alloy or substrate seemed to affect IMC composition and cause to IMC brittle fracture.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2003년도 기술심포지움 논문집
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• pp.99-102
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• 2003

Reactions between 48Sn-52In solder and under bump metallurgies(UBM) such as 100nm $Ti/8{\mu}m$ Cu and 300nm Al/400nm Ni(V)/400nm Cu have been investigated, and the shear strength of 48Sn-52In solder bumps on each UBM has been evaluated. While intermetallic compounds with two different morphologies were continuously thickened on Ti/Cu with repeating the reflow process, the intermetallics on Al/Ni(V)/Cu spalled into the solder with increasing the number of reflow times. The solder bumps on Ti/Cu exhibited higher shear strength than those on Al/Ni(V)/Cu.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.99-99
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• 2014

Transparent oxide semiconductors (TOSs) are. currently attracting attention for application to transparent electrodes in optoelectronic devices and active channel layers in thin-film transistors. One of the key issues for the realization of next generation transparent electronic devices such as transparent complementary metal-oxide-semiconductor thin-film transistors (CMOS TFTs), transparent wall light, sensors, and transparent solar cell is to develop p-type TOSs. In this talks, I will introduce issues and status related to p-type TOSs such as LnCuOQ (Ln=lanthanide, Q=S, Se), $SrCu_2O_2$, $CuMO_2$ (M=Al, Ga, Cr, In), ZnO, $Cu_2O$ and SnO. The growth and properties of SnO and Cu-based oxides and their application to electronic devices will be discussed.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제7권2호
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• pp.47-53
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• 2000

TSM(Top Surface Metallurgy)이 증착된 유리기판의 Pb-free 솔더에 대한 젖음성을 무플럭스하에서 wetting balance법으로 평가하였다. TSM 층의 젖음성을 단면 증착시편의 wetting balance법으로부터 도출된 새로운 젖음성 지수들로 평가할 수 있었다. 유리기판의 TSM층으로는, Cu를 젖음층으로 하고 Au를 Cu의 산화 방지 층으로 사용하는 경우가 Au 자체를 젖음층으로 사용하는 경우보다 우수하였다. SnSb 솔더는 SnAg, SnBi, SnIn 솔더보다 TSM층에 대한 젖음특성이 우수하였다. 유리기판에 단면 증착된 TSM과 Pb-free솔더의 접촉각을 $F_{s}$와 기울어짐각을 측정하고, 메니스커스의 정적 상태에서 힘의 평형으로부터 유도된 식을 이용하여 계산할 수 있었다.