The effect of flip chip bonding parameters on formation of intermetallic compounds (IMCs) between Au stud bumps and Sn-3.5Ag solder was investigated. In this study, flip chip bonding temperature was performed at $260^{\circ}C$ and $300^{\circ}C$ with various bonding times of 5, 10, and 20 sec. AuSn, $AuSn_2$ and $AuSn_4$ IMCs were formed at the interface of joints and (Au, Cu)$_6Sn_5$ IMC was observed near Cu pad side in the joint. At bonding temperature of $260^{\circ}C$, $AuSn_4$ IMC was dominant in the joint compared to other Au-Sn IMCs as bonding time increased. At bonding temperature of $300^{\circ}C$, $AuSn_2$ IMC clusters, which were surrounded by $AuSn_4$ IMC, were observed in the solder joint due to fast diffusivity of Au to molten solder with increased bonding temperature. Bond strength of Au stud bump joined with Sn-3.5Ag solder was about 23 gf/bump and fracture mode of the joint was intergranular fracture between $AuSn_2$ and $AuSn_4$ IMCs regardless bonding conditions.
Ag-Cu-Ti 삽입금속을 이용하여 제조된 AlN/Cu와 AlN/W 활성금속브레이징 접합체의 잔류응력을 유한요소법으로 탄성 및 탄소성 해석을 행하여 그 결과를 접합강도 측정 결과와 파단 거동 관찰 결과와 비교, 분석하였다. 최대 잔류 주응력의 크기는 AlN/W 접합체보다 모재간 열팽창계수 차이가 큰 AlN/Cu 접합체에서 더 크게 나타났으며, 접합계면에 인접한 AlN 세라믹스 자유표면에 인장 성분의 응력집중이 확인되었다. 모재와 삽입금속의 탄소성 변형을 모두 고려할 경우, AlN/Cu 접합체의 경우 연질의 삽입금속에 의해 최대 잔류 주응력이 감소하여 소성변형에 의한 응력완화 효과가 있음을 확인하였으나, 100$\mu\textrm{m}$ 이상으로 삽입금속 두께를 증가시키더라도 잔류 주응력의 크기는 더 이상 크게 감소하지 않았다. 측정된 최대 접합강도는 AlN/Cu와 AlN/W 접합체에서 각각 52 MPa와 108 MPa이었으며, 파단 형태는 AlN/Cu 접합체는 AlN 자유표면으로부터 AlN 내부로 큰 각도를 이루면 진행되는 돔형의 파단이, AlN/W 접합체에서는 접합계면의 삽입금속층을 따라 AlN 측에서 파단이 일어나는 형태를 보였다.
The sealing technique between a glass tube and a copper heat pipe in an evacuated tube solar collector is studied. In this study two different sealing techniques, such as flame method and furnace firing, are examined. After the sealing of a copper to a glass, the oxidation state of the copper and its bonding morphology were examined by SEM and XRD. Its oxidation was retarded by coating of borate solution on the copper, and $Cu_2O(cuprite)$ turned into CuO(tenorite) with increase in a firing temperature and firing time. Porous structure was found in the oxide layer when CuO formed. The best sealing morphology was observed when the thickness of the oxidation layer was less than $20{\mu}m$. The sealing technique performed in a furnace was promising and the satisfactory result was obtained when the sample was fired at $950^{\circ}C$ for 5 min under $N_2$ atmosphere. Annealing procedure is recommended to remove the stress left at the bonding zone.
In this study. we searched for the mechanical and electrical properties of laminated coated conductors with stabilizer tape. Stabilizer tape plays a role for mechanical and electrical stability and environmental protection. Cu material stabilizer was laminated to Ag capping layer on SmBCO conductor layer. This architecture allows the wire to meet operational requirements including the stressless at cryogenic temperature and winding tension as well as mechanical bending requirements including thermal and electrical stability under fault current conditions. First, we have experimentally studied mechanical bonding properties of the laminated Cu stabilizers on SmBCO coated conductors. We have laminated SmBCO coated conductors by continuous dipping soldering process, Second, we have investigated electrical properties of the SmBCO coated conductors with stabilizer lamination. We evaluated bonding properties, peeling strength and critical current for laminated SmBCO coated conductors with Cu stabilizers.
As the limitations of Moore's Law become evident, there has been growing interest in advanced packaging technologies. Among various 3D packaging techniques, Cu-SiO2 hybrid bonding has gained attention in heterogeneous devices. However, certain issues, such as its high-temperature processing conditions and copper oxidation, can affect electrical properties and mechanical reliability. Therefore, we studied depositing only a heterometal on top of the Cu in Cu-SiO2 composite substrates to prevent copper surface oxidation and to lower bonding process temperature. The heterometal needs to be deposited as an ultra-thin layer of less than 10 nm, for copper diffusion. We established the process conditions for depositing a Co film using a Co(EtCp)2 precursor and utilizing plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD), which allows for precise atomic level thickness control. In addition, we attempted to use a growth inhibitor by growing a self-assembled monolayer (SAM) material, octadecyltrichlorosilane (ODTS), on a SiO2 substrate to selectively suppress the growth of Co film. We compared the growth behavior of the Co film under various PEALD process conditions and examined their selectivity based on the ODTS growth time.
In electronic industry, the trend of future electronics will be flexible, bendable, wearable electronics. Until now, there is few study on bonding technology and reliability of bonding joint between chip with micro solder bump and flexible substrate. In this study, we investigated joint properties of Si chip with eutectic Sn-58Bi solder bump on Cu pillar bump bonded on flexible substrate finished with ENIG by flip chip process. After flip chip bonding, we observed microstructure of bump joint by SEM and then evaluated properties of bump joint by die shear test, thermal shock test, and bending test. After thermal shock test, we observed that crack initiated between $Cu_6Sn_5IMC$ and Sn-Bi solder and then propagated within Sn-Bi solder and/or interface between IMC and solder. On the other hands, We observed that fracture propated at interface between Ni3Sn4 IMC and solder and/or in solder matrix after bending test.
Y123 초전도체 및 Y124 초전도체 결정 구조에서 사슬과 층에 존재하는 구리의 화학결합 및 전자 성질을 반경험적 분자 궤도론인 ASED-MO로 계산하여 VEP(valence electron population), DOS(density of state) 및 COOP(crystal orbital overlap population)로써 고찰하였다. 또한 구리 원자의 환경 효과를 알아보기 위하여 하전 덩어리 모델에 수소의 점전하가 있는 경우와 점전하가 없는 경우를 도입하였다. ASED-MO 계산 결과로 부터, Y123 초전도체 및 Y124 초전도체의 사슬에 존재하는 구리 원자는 전자 받게 역할을 하며, 층에 존재하는 구리 원자는 전자 주게 역할을 한다는 것을 알 수 있었다. 점전하가 없는 Y123 초전도체 및 Y124 초전도체의 사슬에 존재하는 구리의 산화 상태는 층에 존재하는 구리의 산화 상태보다도 더 크다. Y123 초전도체의 층에 존재하는 구리 원자의 산화 상태는 Y124 초전도체의 층에 존재하는 구리 원자의 산화 상태보다도 더 크다. 그리고 Y123 초전도체의 사슬과 층에 존재하는 구리 원자는 주위 환경에 크게 영향을 받지 않으며, Y124 초전도체의 사슬과 층에 존재하는 구리 원자의 경우 Y123 초전도체와 다르게 주위 환경에 크게 영향을 받는다는 것을 알 수 있었다. 또한 Cu1-O4, Cu2-O4의 전자분포와 결합성은 Y123 초전도체와 Y124 초전도체가 다르게 나타났다.
본 연구에서는 세가지 중금속 (Cd(II), Cu(II), Zn(II))에 대하여 활성슬러지 미생물 folc의 중금속 흡착 및 축적 작용에 의한 중금속 제거과정을 실험을 통해 연구하였다. 회분식 실험을 통해 pH, 중금속 농도, MLSS 농도 및 온도에 따른 반응시간별 중금속 제거율과 축적량을 측정하였다. 활성슬러지 공정에 의한 중금속제거는 흡착 및 축적에 의해 중금속이 슬러지에 고농도로 농축되어 일어났다. 회분식 실험결과 중금속의 흡착평형은 단시간내에 일어났으며, 미생물 floc과 중금속이온과의 결합세기는 Cu(II)>Zn(II)>Cd(II)의 순으로 나타났다.
The effects of the alkali surface modification process on the adhesion strength between electroless-plated Cu and polyimide films were investigated. The polyimide surfaces were effectively modified by alkali surface treatments from the hydrophobic to the hydrophilic states, and it was confirmed by the results of the contact angle measurement. The surface roughness increased by alkali surface treatments and the adhesion strength was proportional to the surface roughness. The adhesion strength of Cu/polyimide interface treated by KOH + EDA (Ethylenediamine) was 874 gf/cm which is better than that treated by KOH and KOH + $KMnO_4$. The results of XPS spectra revealed that the alkali treatment formed oxygen functional groups such as carboxyl and amide groups on the polyimide films which is closely related to the interfacial bonding mechanism between electroless-plated Cu and polyimide films. It could be suggested that the species and contents of functional group on polyimide films, surface roughness and contact angle were related with the adhesion strength of Cu/polyimide in combination.
An, HyeLan;Kang, Leeseung;Ahn, Hyo-Jin;Choa, Yong-Ho;Lee, Chan Gi
한국세라믹학회지
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제55권3호
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pp.267-274
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2018
$TiO_2/CuS$ nanocomposites were fabricated by precipitation of nanosized CuS via sonochemical method on electrospun $TiO_2$ nanofibers, and their structure, chemical bonding states, optical properties, and photocatalytic activity were investigated. In the $TiO_2/CuS$ nanocomposite, the position of the conduction band for CuS was at a more negative than that of TiO; meanwhile, the position of the valence band for CuS was more positive than those for TiO, indicating a heterojunction structure belonging to type-II band alignment. Photocatalytic activity, measured by decomposition of methylene blue under visible-light irradiation (${\lambda}$ > 400 nm) for the $TiO_2/CuS$ nanocomposite, showed a value of 85.94% at 653 nm, which represented an improvement of 52% compared to that for single $TiO_2$ nanofiber (44.97% at 653 nm). Consequently, the photocatalyst with $TiO_2/CuS$ nanocomposite had excellent photocatalytic activity for methylene blue under visible-light irradiation, which could be explained by the formation of a heterojunction structure and improvement of the surface reaction by increase in surface area.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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