• 한국결정성장학회지
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• 제9권2호
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• pp.185-190
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• 1999

$Al_2O_3/Fe$ 복합재료 제조는 반응소결법에 의한 2단계 공정을 통해서 제조되었으며 이 공정은 장비가 간단하고 near-net-shape이 가능한 장점이 있다.$Al_2O_3/Fe$ 복합재료를 제조하기 위해서 1차로 $650^{\circ}C$에서 5시간동안 산화/환원 처리를 행하고 $1200^{\circ}C$에서 2차로 소결처리를 행하였다. 제조된 복합재료의 상분석결과 $\alpha$-Fe 와 $\alpha$-$Al_2O_3/Fe$가 주된 상이었고 소량의 $FeAl_2O_4$가 검출되었다. 이 소량의 $FeAl_2O_4$상은 Fe가 $Al_2O_4$기공을 채우는 것을 방해함으로써 소결동안 미세구조 내에 약간의 기공을 발생시킨다.

• 한국결정성장학회지
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• 제14권3호
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• pp.95-100
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• 2004

This paper reports a potential problem in the electrical performance of the silicide film to silicon contacts with respect to the scaling trend in integrated circuit (IC) devices. The effects of elastic strain on the agglomeration of the coherent silicide film embedded in an infinite matrix are studied employing continuum linear elasticity and finite-difference numerical method. The interface atomic diffusion is taken to be the dominant transport mechanism where both capillarity and elastic strain are considered for the driving forces. Under plane strain condition with elastically homogeneous and anisotropic system with cubic symmetry, the dilatational misfit and the tetragonal misfit in the direction parallel to the film thickness are considered. The numerical results on the shape evolution agree with the known trend that the equilibrium aspect ratio of the film increases with the elastic strain intensity. When the elastic strain intensity is taken to be only a function of the film size, the flat film morphology with a large aspect ratio becomes increasingly unstable since the equilibrium aspect ratio decreases, as the film scales. The shape evolution results in a large decrease in contact to silicon area, and may deteriorate the electrical performances.

• 한국결정성장학회지
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• 제14권3호
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• pp.115-122
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• 2004

다공성 물질이 건조될 때 입자는 겔 상태의 그물망 구조를 갖는다. 따라서 건조공정 중 발생하는 잔류응력을 정확하게 해석하기 위해서는 공극률과 공극형상에 따른 물성을 알아야 한다. 본 연구에서는 균질화법으로 원형과 십자형의 공극을 갖는 미시적인 겔구조로부터 공극률에 따른 재료의 탄성특성을 예측하고. 다공성 세라믹 애자의 건조공정을 유한요소 해석하였다. 해석 결과, 변형 형상과 온도, 습도 분포는 공극을 고려하지 않은 해석과 유사하지만 잔류응력 값은 큰 차이가 있음을 알 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제1권1호
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• pp.51-59
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• 1991

GaAs를 Si 웨이퍼에 성장시킬 때 초기단계의 핵생성에 대하여 computer simulation을 통해 이론적으로 고찰하였다. 기존의 핵생성이론과는 달리 초기의 미세한 핵의 경우 핵을 구성하는 ledge와 ledge간의 상호작용은 핵의 크기 및 모양에 의하여 결정되는 ledge간의 거리에 따라 변화함을 알 수 있었다. 따라서 여러 형태의 핵에 대하여 분석하여 본 결과 다층의 피라미드 형태로 GaAs 핵이 생성될 때 가장 낮은 excess에너지가 요구되었고 이와 같은 결과는 이러한 형태가 필연적으로 포함하게 되는 에너지가 낮은 Ga(111) facet 때문인 것으로 밝혀졌다. 그러므로 GaAs/Si에서 가장 문제가 되고 있는 전위결함도 초기의 핵생성에 크게 기인함을 알 수 있다.

• 한국결정학회지
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• 제14권2호
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• pp.93-104
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• 2003

The crystals of group-Ⅲ nitride semiconductors with wurtzite structure exhibit a strong polarity. Especially, GaN has characteristics of different growth rate, anisotropic electrical and optical properties due to the polarity. In this work, GaN epilayer was grown and the polarities of the crystals were observed by the chemical wet etching and SP-EFM. GaN thin films were deposited on c-plane A1₂O₃ substrate under the variations of growth conditions by HVPE such as the deposition temperature of the buffer layer, the deposition time, the ratio of Group-V and Ⅲ and the deposition temperature of the film. The adquate results were obtained under the conditions of 500℃, 90 seconds, 1333 and 1080℃, respectively. It is observed that the GaN layer grown without the buffer layer has N-polarity and the GaN layer grown on the buffer layer has Ga-polarity. Fine crystal single particles were grown on c-plane A1₂O₃ and SiO₂, layer. The external shape of the crystal shows ｛10-11｝｛10-10｝(000-1) planes as expected in the PBC theory and anisotropic behavior along c-axis is obvious. As a result of etching on each plane, (000-1) and ｛10-11｝planes were etched strongly due to the N-polarity and ｛10-10｝ plane was not affected due to the non-polarity. In the case of the crystal grown on c-plane A1₂O₃, two types of crystals were grown. They were hexagonal pyramidal-shape with ｛10-11｝plane and hexagonal prism with basal plane. The latter might be grown by twin plane reentrant edge (TPRE) growth.

• 한국결정성장학회지
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• 제5권2호
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• pp.100-108
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• 1995

SOI구조를 얻기 위한 방법의 한가지인 ZMR공정에 있어서 열전달은 계면의 위치와 모양을 결정하는 중요한 역할을 한다. 본 연구에서는 SOI구조를 얻기 위한 ZMR공정중의 열전달 공정을 모사할 수 있는 의사정상상태 2차원 ZMR모델을 수립하였다. 본 모델은 복사, 전도 그리고 대류 열전달을 포함하며, 고/액 계면의 위치를 결정한다. 모델로부터 구한 수치해는 실리콘 기판의 용융부에서의 유동장, 전체 SOR구조에서의 온도장 그리고 실리콘 박막과 기판에서의 고/액 계면의 위치를 포함한다. 여러 공정 변수들의 변화에 따른 온도장과 계면의 형상과 폭의 변화를 알아보았다.

• 한국패류학회지
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• 제20권1호
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• pp.1-6
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• 2004

An anatomical and ultrastructural study on the dart sac and the dart of a Korean snail Nesiohelix samarangae was conducted to understand their morphological characteristics with the help of the light microscope and electron microscopes, TEM and SEM. Nesiolelix samarangae had two darts which are pure white structures 6-8 mm in length, tapering from 0.6-0.8 mm to 0.15-0.3 mm. The dart sac had a long conic lumen subdivided into two by a septal wall, and the darts were centrally embedded in the thick muscular layers of the sac. The darts occupied each of the two luminal spaces one per each. The convexed surfaces of the darts had many crystal buds in the shape of the petals. Otherwise, the convexed surfaces of the darts had numerous crystal buds in the shape of candle or topaz. The luminal surface of the dart sac was covered with a single columnar epithelium. The epithelial cells possessed microvilli on their free surface.

• 한국결정성장학회지
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• 제20권5호
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• pp.207-215
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• 2010

본 연구는 자수정의 산지에 따른 내포물의 성상 변화를 조사함으로써 자수정의 산지 감별을 위한 기초자료를 얻을 목적으로 수행되었다. 자수정에 포획되어 있는 내포물의 삼차원적 형상을 입체현미경으로 관찰하여 그 특징을 조사하였고, 각 내포물 중 고체내포물 단면의 형상 및 화학조성을 SEM/EDS로 조사하였으며, SEM/EDS 관찰을 위한 감압코팅과정에서 액상포유물의 파괴와 증발에 의해 생성되는 수지상 무늬의 형상과 화학조성을 분석함으로써 액상포유물의 조성도 조사하였다. 아울러 각 자수정 시료를 플루오르화수소산으로 처리하여 완전 용해시킨 다음 ICP-AES를 이용하여 각종 자수정에 함유되어 있는 미량 성분의 농도를 정밀하게 분석하여 고찰하였다.

• 한국전산구조공학회논문집
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• 제27권2호
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• pp.63-70
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• 2014

본 논문에서는 압전 수정진동자의 설계민감도 해석 및 위상 최적설계 기법을 개발하였다. 압전 수정진동자는 가해지는 전하에 의해 두께방향 전단 변형하게 되거나, 혹은 그 반대방향으로 기계 변형에 의해 전기적 신호를 검출하게 된다. 엄밀한 두께방향 전단해석을 위해 두께방향으로 고차 보간을 하는 고차 민들린(Mindlin) 판 이론을 도입하였다. 압전 수정진동자에서 수정판은 부도체이기 때문에 전기적 신호를 검출하거나 전기적 신호에 의해 수정판을 기계적으로 진동시키기 위해 수정판의 상/하 표면에 얇은 전극경을 도포한다. 비록 전극경이 매우 얇기는 하지만 그 무게와 형상에 따라 진동자의 거동이 달라지기 때문에, 설계민감도 해석 및 위상 최적설계를 위한 설계변수는 전극경의 질량 밀도와 관계된다. 따라서 위상 최적설계 문제는 두께방향 전단 변형에너지를 최대화하는 최적의 전극경 분포를 구하도록 구성한다. 또한 보다 의미있는 설계안을 얻기 위해 전극경의 재료량과 면적에 제약조건을 부여한다. 두께방향 전단 주파수(고유치)와 상응하는 모드형상(고유벡터)에 대한 설계구배는 고유벡터 확장법을 이용한 해석적 설계민감도 해석법을 통해 매우 효율적이고 정확하게 계산될 수 있다. 수치예제를 통해 제안된 해석적 설계민감도가 유한차분 설계민감도와 비교하여 매우 효율적이고 정확하게 계산됨을 확인하였다. 또한 위상 최적설계를 통해 도출된 최적 전극경 설계가 모드형상과 두께방향 전단 변형에너지를 개선시킴을 확인하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제35권9호
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• pp.2704-2710
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• 2014

Catalase (CAT) decomposes hydrogen peroxide that is toxic to the body. In this study, simple and sensitive detector has been developed for observing catalase activity using liquid crystal droplet system. Microscale LC droplet patterns are formed by spreading aldehyde-doped nematic liquid crystal on pre-treated glass slides. When hydrogen peroxide is added, aldehyde is oxidized and amphiphiles are formed. Dodecanoates cause the pattern to transit from bright to dark as they self-assemble to form a carboxyalte monolayer at the interface. When a drop of pre-incubated CAT and hydrogen peroxide mixture is placed onto the pattern, bright fan-shape is observed. This planar optical appearance indicates that catalase has decomposed hydrogen peroxide. Compared to the detectors that have been previously developed, this system is more sensitive with detection limit of 1fM. This research suggests further studies to be on LC droplet patterning to develop highly sensitive and methodologically simple sensors for various chemicals.